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本实用新型公开了可提高MOCVD反应腔内载盘温度均匀性的加热装置,晶片载盘正下方的加热器包括内圈、中圈和外圈,加热器下方设有多层隔热板,隔热板下设有反射板,支撑轴从内圈穿过,并支撑起晶片载盘;内圈的内表面覆盖热辐射层。本实用新型加热器分成三...该专利属于江苏实为半导体科技有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过江苏实为半导体科技有限公司授权不得商用。
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本实用新型公开了可提高MOCVD反应腔内载盘温度均匀性的加热装置,晶片载盘正下方的加热器包括内圈、中圈和外圈,加热器下方设有多层隔热板,隔热板下设有反射板,支撑轴从内圈穿过,并支撑起晶片载盘;内圈的内表面覆盖热辐射层。本实用新型加热器分成三...