一种p型金属氧化物薄膜晶体管的制备方法技术

本发明专利技术属于薄膜晶体管制备技术领域，涉及一种制备p型金属氧化物薄膜晶体管的方法，用于p型金属氧化物半导体薄膜及p型金属氧化物薄膜晶体管制备场合；解决传统TFT器件载流子迁移率低，能耗高，制备成本昂贵，反应条件苛刻，电容密度小和栅极漏电流大的难题，实现低温低成本制备高性能低能耗的p型金属氧化物薄膜晶体管，制得的产物为Ni/Cu:NiO/ZrO

【技术实现步骤摘要】
一种p型金属氧化物薄膜晶体管的制备方法
：本专利技术属于薄膜晶体管制备
，涉及一种金属氧化物薄膜晶体管的制备方法，尤其是一种p型金属氧化物薄膜晶体管的制备方法，用于p型金属氧化物半导体薄膜及p型金属氧化物薄膜晶体管制备场合。
技术介绍
：近年来，金属氧化物薄膜晶体管(Metal-OxideThin-FilmTransistor，简称MOTFT)在有源矩阵驱动液晶显示器件(ActiveMatrixLiquidCrystalDisplay,简称AMLCD)中发挥了重要作用。从低温非晶硅薄膜晶体管到高温多晶硅薄膜晶体管，技术越来越成熟，应用对象也从只能驱动液晶显示器件(LiquidCrystalDisplay，简称LCD)发展到既可以驱动LCD又可以驱动有机发光显示器(OrganicLightEmittingDisplay，简称OLED)，甚至电子纸。薄膜晶体管(简称TFT)已经成为平板显示行业的核心部件，每台显示器都集成了数百万甚至上亿个TFT器件。目前研究与应用最多的金属氧化物材料为ZnO、SnO2和In2O3体系(Nature,432488,2004；NatureMateria本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种p型金属氧化物薄膜晶体管的制备方法，其特征在于具体工艺步骤为：(1)清洗衬底：首先选取电阻率为0.0015Ω·cm的低阻硅作为衬底，并依次用丙酮和无水乙醇超声波清洗衬底各10min，用去离子水冲洗3‑5次，再用纯度为99.99％的氮气吹干备用；(2)溶胶‑凝胶法制备栅介电层：接着将0.01‑0.5mol/L的乙酰丙酮锆Zr(C

【技术特征摘要】
1.一种p型金属氧化物薄膜晶体管的制备方法，其特征在于具体工艺步骤为：(1)清洗衬底：首先选取电阻率为0.0015Ω·cm的低阻硅作为衬底，并依次用丙酮和无水乙醇超声波清洗衬底各10min，用去离子水冲洗3-5次，再用纯度为99.99％的氮气吹干备用；(2)溶胶-凝胶法制备栅介电层：接着将0.01-0.5mol/L的乙酰丙酮锆Zr(C5H7O2)4溶于二甲基甲酰胺中，同时加入与乙酰丙酮锆等摩尔量的乙醇胺作为稳定剂，乙醇胺与二甲基甲酰胺的体积比为1：1-10，在20-100℃下磁力搅拌1-24小时形成澄清透明的栅介电层前驱体溶液，其中，锆离子[Zr4+]的摩尔浓度为0-0.9mol/L；再将步骤(1)处理完毕的低阻硅衬底放入等离子体清洗腔内,并将清洗腔内压力抽取至0.5Pa后通入30SCCM且纯度为99.99％的氧气，控制功率为35Watt，清洗时间为10min；接着利用常规的溶胶-凝胶技术旋涂栅介电层前驱体溶液在低阻硅衬底上，旋涂1-5次后低阻硅衬底表面形成薄膜，旋涂时先在400-600转/分转速下旋涂4-8秒，然后在3000-6000转/分转速下旋涂15-25秒，每增加一次旋涂薄膜厚度增加5-20nm；然后将薄膜放到高压汞灯下进行紫外光照处理20-40分钟，实现光解和固化后得到ZrOx栅介电层薄膜半成品,其中x取值范围为1-2；再放到烤胶台上200℃退火2h，制得均匀连续的ZrO2栅介电层薄膜成品，完成栅介电层薄膜的制备；(3)采用燃烧合成法制备沟道层：然后称量15mL的乙二醇甲醚作为溶剂，称量适量纯度均大于98％的硝酸铜Cu(NO3)2·H2O和硝酸镍Ni(NO3)2·H2O加入溶剂中，其中，金属阳离子总量为0.01-0.5mol/L，Cu和Ni离子原子比为0到1:5；Cu的掺杂浓度分别为0-10％；在20-90℃条件下磁力搅拌1-24h形成澄清的溶液；然后加入0.146g的乙酰丙酮作为燃烧剂，放置于50℃水浴中反应1小时，完成沟道层前驱体溶液的配制；将配制的沟道层前驱体溶液旋涂在步骤(2)制得的ZrO2栅介电层薄膜成品上，旋涂次数为1-5次，每增加一次旋涂薄...

【专利技术属性】
技术研发人员：单福凯，刘奥，孟优，朱慧慧，刘国侠，
申请(专利权)人：青岛大学，
类型：发明
国别省市：山东,37