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本发明属于薄膜晶体管制备技术领域，涉及一种制备p型金属氧化物薄膜晶体管的方法，用于p型金属氧化物半导体薄膜及p型金属氧化物薄膜晶体管制备场合；解决传统TFT器件载流子迁移率低，能耗高，制备成本昂贵，反应条件苛刻，电容密度小和栅极漏电流大的难...
该专利属于青岛大学所有，仅供学习研究参考，未经过青岛大学授权不得商用。

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