聚硅氮烷的制备方法技术

本发明专利技术涉及新型聚硅氮烷、其制备方法、将其进一步加工成含四氮化三硅的陶瓷材料的方法和该陶瓷材料本身。为了制备该聚硅氮烷，用结构式为ＲＳｉＣｌ－［２］－ＮＲ＇－ＳｉＣｌＲ的Ｓｉ，Ｓｉ＇－二有机基－Ｎ－烷基－四氯－二硅氮烷与氨反应。然后可将该聚硅氮烷热解为含四氮化三硅的陶瓷材料。本发明专利技术的聚硅氮烷溶于通常的质子惰性溶剂。（*该技术在2008年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及新型聚硅氮烷、其制备方法、将其进一步加工成含四氮化三硅的陶瓷材料的方法和该陶瓷材料本身。含四氮化三硅的陶瓷材料系通过该聚硅氮烷的热解而得，其大部分由四氮化三硅组成，并含部分碳化硅和碳。聚硅氮烷的热解能产生含四氮化三硅-碳化硅的陶瓷材料，这在文献(R.R.Wills等，CeramicBwllelin，第62卷，(1983)，904-915页)中已有描述。通常用氯硅烷作制备聚硅氮烷的原材料，使其与氨或伯胺或仲胺反应，或与二硅氮烷反应(美国专利第4，540，803、4，543，344、4，535，007、4，595，775、4，397，828和4，482，669号)。制备聚硅氮烷的另一方法包括使氨基硅烷与过量的氨或过量的伯胺反应。而氨基硅烷则是通过氯硅烷和胺反应而得(FR-Al-2，583，423)。例如，四(甲氨基)硅烷Si(NHCH3)4是由四氯硅烷SiCl4与甲胺反应而得。SiCl4+8CH3NH2＝Si(NHCH3)4+4CH3NH3Cl然后使氨基硅烷与过量的氨反应，使所有甲氨基均被NH基所取代。这样就生成能通过热解而产生含四氮化三硅的陶瓷材料且陶瓷产率为72～本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种制备聚硅氮烷的方法，该方法包括使一种或一种以上结构式为ＲＳｉＣｌ↓［２］－ＮＲ′－ＳｉＣｌ↓［２］Ｒ（式中Ｒ为Ｃ↓［１～４］烷基、乙烯基或苯基，Ｒ′为Ｃ↓［１～４］烷基）的Ｓｉ，Ｓｉ′－二有机基－Ｎ－烷基－四氯－二硅氮烷与氨在－８０℃～＋７０℃下在溶剂中进行反应，每摩尔氯二硅氮烷至少与６．７摩尔氨反应。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：迪罗威斯，汉斯杰尔克来诺，玛塞鲁斯波克特，马丁布吕克，
申请(专利权)人：赫彻斯特股份公司，
类型：发明
国别省市：DE[德国]