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本发明涉及新型聚硅氮烷、其制备方法、将其进一步加工成含四氮化三硅的陶瓷材料的方法和该陶瓷材料本身。为了制备该聚硅氮烷，用结构式为ＲＳｉＣｌ－［２］－ＮＲ＇－ＳｉＣｌＲ的Ｓｉ，Ｓｉ＇－二有机基－Ｎ－烷基－四氯－二硅氮烷与氨反应。然后可将该聚硅...
该专利属于赫彻斯特股份公司所有，仅供学习研究参考，未经过赫彻斯特股份公司授权不得商用。

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