电路基片,形成电路的支承基片及其生产方法技术

一种具有在金属箔基片上的，含聚酰亚胺树脂的绝缘层的电路基片，其中聚酰亚胺树脂是通过芳族二胺，与芳族四羧酸二酐反应获得到的。形成电路的基片具有合乎需要的电路，它包括在该电路基片上的导电层。该聚酰亚胺树脂的吸水性低，因此甚至当环境气氛中的湿度变化时，该基片的尺寸稳定性是卓越的、且不发生卷曲。（*该技术在2017年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
,形成电路的支承基片及其生产方法
本专利技术涉及，形成电路的支承基片及其生产方法。特别是本专利技术涉及具有含于金属箔基片上的聚酰亚胺树脂的绝缘层的，具有在上形成的图形电路的，含导电层的形成电路的支承基片，及其生产方法。在磁盘元件，如被用作计算机等的外存元件的硬盘元件(用于进行磁记录和磁恢复)中，需要使上述的磁盘和磁头相对运行，将磁头弹性地推向磁盘，顶着由此形成的空气流，并且在磁头和磁盘之间保持一定限度的细小的间隔。用于如上所述地弹性地将磁头顶着空气流推向磁盘的磁头支撑装置是一个悬置。本专利技术涉及一种适用于产生这种形成电路的支承元件。具有在这种上形成的含来自构图技术的导电层的电路的形成电路的支承基片。近来，出于高密度组装半导体和高速处理信号的目的，一直用这样一种作薄膜多层它包含具有在其上形成的绝缘层金属箔，绝缘层包含聚酰亚胺树脂。但是，在这类常规的中，由于聚酰亚胺树脂有很大的亲水性，所以该易由于环境气氛中的湿度的变化而引起尺寸改变和卷曲。另一方面，在计算机及作为计算机辅助设备的存储元件中，除了改进容量以外，还一直需要减小尺寸和降低成本，特别是由于这种需要的背景，一直大大地推进着硬盘元件技术的发尾。还有，在磁头方面，近年来这样一些磁头其中的绕组是用薄膜制成的薄膜磁头(TFH)及用于读和写的及有很大存储容量的薄膜抗磁复合磁头(MR)的加快发展来弥补常规金属的差距(MI G)。但是，通过将导线布在支承基片上的构成所需布线的常规技术，导线对支承体的弹性模量有影响，以使引起该支承体的推力变化，而且由于这种情况，可能会因与磁盘的接触而降低该磁盘元件的寿命。因此，近年来，实际上一直采用通过直接在安装磁头的支承基片上形成电路而构成的支承。但是，用这种支承，当由于环境气氛中的湿度改变而在该上出现尺寸改变和卷曲时，有时出现性能变差。本专利技术一直致力于克服常规中的和用该制成的形成电路的支承基片中的上述问题，所述的包括金属箔，具有其上形成的包含聚酰亚胺树脂的绝缘层。因此，本专利技术的目的在于提供一种，其中所用的聚酰亚胺有低的亲水性，因此即使当环境气氛中的湿度改变时，尺寸变化及卷曲也几乎不发生。本专利技术的另一目的在于提供使用该的形成电路的支承基片。本专利技术的再一目的在于提供上述基片的生产方法。按照本专利技术的第一实施方案，提供了一种包含金属箔基片和在该金属箔基本上形成的含聚酰亚胺树脂的绝缘层，其中的聚酰亚胺树脂是由以下物质的反应而获得的聚酰亚胺树脂(A)包含(a)1，3-双(4-氨基苯氧基)苯，和(b)2，2′-双(三氟甲基)-4，4′-二氨基苯基的芳族二胺，和(B)包含(a)3，4，3′，4′-联苯四羧酸二酐，和(b)2，2-双(3，4-二羧苯基)六氟丙烷二酐。按照本专利技术的第二实施方案，提供了通过在金属箔基片上形成含光敏聚酰亚胺树脂前体的覆膜，使该覆膜曝光，在曝光后加热此膜，显影，再加热此膜，以使此前体酰亚胺化(imidate)生产具有含聚亚胺树脂的绝缘层的的方法，其中光敏的聚酰亚胺树脂前体通过使由以下物质的反应而得的聚酰胺酸与光敏剂化合而获得的(A)包含(a)1，3-双(4-氨基苯氧基)苯和(b)2，2′-双(三氟甲基)-4，4′-二氨基苯基的芳族二胺和(B)包含(a)3，4，3′，4′-联苯基四羧酸二酐和(b)2，2-双(3，4-二羧苯基)六氟丙烷二酐。按照上述方法，通过使按照确定的图形在金属箔基片上形成的含光敏聚酰亚胺树脂前体的覆膜曝光。在曝光后加热此膜，使此膜显影，以使形成含上述前体的确定的图形，及最后在高温下加热此形成图形的膜，以使形成聚酰亚胺，则可获得具有含聚酰亚胺树脂的，成图形的绝缘层的。按照本专利技术的第三实施方案，提供了一种包括箔基片，在该金属箔基片上形成的，含聚酰亚胺树脂的绝缘层和在该绝缘层上形成的，包含导电层的成图形电路的形成电路的支承基片，其中聚酰亚胺树脂是通过上述的芳族的二胺和四羧酸二酐的反应而获得的聚酰亚胺树脂。按照本专利技术的第四实施方案，还提供了一种形成电路的支承基片的生产方法，该支承基片通过在上述的含该聚酰亚胺树脂的绝缘层上形成含导体层的成图形的电路而获得的，其中，用于形成的绝缘层的光敏聚酰亚胺树脂前体通过使由上述的芳族二胺和四羧酸二酐的反应获得的聚酰胺酸和光敏剂化合而获得的。按照这种方法，通过形成具有含聚酰亚胺树脂的确定图形的绝缘层的上述，然后在该绝缘层上形成含导电层的成图形的电路，就获得形成电路的支承基片。附图说明图1是显示本专利技术形成电路的支承基片的斜视图；图2是沿图1中所示的形成支承基片的A-A线截取的截面图；图3是沿图1中所示的形成电路的支承基片的B-B线截取的截面图；图4、5、6、7、8、9、10、11、12、13、14、15和16是用于显示本专利技术的形成电路的支承基片的生产步骤的主要部分的截面图。下面详细叙述本专利技术。按照本专利技术，在含金属箔基片和含聚酰亚胺树脂的，在金属箔基片上形成的绝缘层的中，聚酰亚胺树脂是通过(A)包含(a)1，3-双(4-氨基苯氧基)苯 和(b)2，2′-双(三氟甲基)-4，4′-二氨基联苯 的芳族二胺与(B)包含(a)3，4，3′，4′-联苯四羧酸二酐 和(b)2，2′-双(3，4-二羧苯基)六氟丙烷二酐 的芳族四羧酸二酐反应获得的聚酰亚胺树脂。在本专利技术中，对金属箔基片没有特别的限制，但常采用不锈钢管、铜箔、铝箔、铜-铍箔、磷青铜箔、42合金箔等。此外，按照本专利技术，最好采用长的金属箔作这种金属箔基片。即，以反复施以确定图形的方式在长的金属箔基片上形成含聚酰亚胺树脂的各绝缘层，在各形成图形的绝缘层上形成含导电层的各合乎要求图形的电路，最后，按每个成图形的电路切割此长的金属箔基片，以提供各形成图形的支承基片。因此，按照本专利技术，该可这样获得将光敏聚酰亚胺树脂前体的溶液涂在长金属箔基片，如长的不锈钢箔上，按着进行干燥以形成覆膜，使覆膜经具有确定图形的障板暴露于紫外线下，加热(曝光后加热)，显影，然后进行热熟化(聚酰胺酸的聚酰亚胺化(polyimidation))，以使形成含聚酰亚胺树脂的确定图形作为绝缘层。上述的光敏聚酰亚胺树脂前体是一种液体组合物，它是通过使上述的芳族二胺和芳族的四羧酸二酐，以基本上相等摩尔比，在一种适宜的有机溶剂，如N-甲基-2-吡咯烷酮、二甲基乙酰胺等中反应，以使形成聚酰胺酸，并使该聚酰胺酸与一种光敏剂化合而得到的。按照本专利技术，在上述的芳族二胺中，1，3-双(4-氨基苯氧基)苯的比例在40-60％(摩尔)，更好是在45-55％(摩尔)的范围内，而2，2′-双(三氟甲基)-4，4’-二氨基联苯基的比例在60-40％(摩尔)，而更好是在55-45％(摩尔)的范围内。另外，在上述的芳族四羧酸二酐中，3，4，4′，4′-联苯四羧酸二酐的比例范围为40-60％(摩尔)，而更好是45-55％(摩尔)，而2，2-双(3，4-二羧苯基)六氟丙烷的比例范围为60-40％(摩尔)，而更好是55-45％(摩尔)。按照本专利技术，通过以这样的比例使用这两种芳族二胺和这两种芳族四羧酸二酐，则可得到具有低吸水性的聚酰亚胺树脂。还有，按照本专利技术，在该芳族二胺中，1，3-双(4-氨基苯氧基)苯具有使所得的聚酰亚胺树脂透过紫外线，使含光敏剂的光敏的聚酰亚胺树脂前体对紫外线高度敏感，并在光敏的聚酰本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种电路基片，它包括金属箔基片和在该金属箔基片上形成的含聚酰亚胺树脂的绝缘层，其中所述的聚酰亚胺树脂是通过 （Ａ）包括 （ａ）１，３－双（４－氨基苯氧基）苯和 （ｂ）２，２′－双（三氟甲基）－４，４′－二氨基联苯的芳族二胺，和 （Ｂ）包括 （ａ）３，４，３′，４′－联苯四羧酸二酐和 （ｂ）２，２－双（３，４－二羧基苯基）六氟丙烷二酐的芳族四羧酸二酐的反应获得的聚酰亚胺树脂。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：表利彦，船田靖人，
申请(专利权)人：日东电工株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]