高分子量聚合物制造技术

本发明专利技术公开了具有三维无规网状结构的高分子量（ＭＷ）和超高分子量（ＭＷ）的均聚物和共聚物。该聚合物具有通式［ＡＲ］↓［ｎ］的重复结构单元，其中Ａ可为碳、硅、锗、锡原子，或其它元素和化合物。Ｒ与Ａ相同或不同（在每个重复单元中），并可为氢，含有约１到约３０个碳原子的饱和直链或支链烃，在环中含有约５到约１４个碳原子的不饱和含环烃或环烃，各自可为取代或未取代的形式，具有至少２０个重复结构单元的聚合物链基团，卤素，或其它元素或化合物。数字“ｎ”可至少为２０，和所述高ＭＷ聚合物的分子量至少为１０，０００道尔顿，例如为约３０，０００道尔顿，和１，０００，０００或更高道尔顿。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术总地涉及高分子量(MW)到超高分子量(MW)的聚合物；化学改性高MW聚合物；和由这种聚合物生产的材料，包括陶瓷、晶体、合金、和复合材料。本专利技术另外涉及合成和生产这些材料的方法。
技术介绍
由于化学计量为的聚乙炔类聚合物的导电特性和电子特性，一直以来它们都是研究的焦点，如T.A.Skotheim在Handbook ofConducting Polymers，Marcel DekkerNew York，(1986)，第1和2卷；和J.C.W.Chien在PolyacetylenesChemistry，Physics，and MaterialScience；Academic Press，Orlando，(1984)中所讨论的。最近合成了具有类似的化学计量但结构不同的无机和碳骨架聚合物。更具体地，化学计量为n(如聚硅炔(polysilynes)n、聚锗炔(polygermynes)n、和它们的共聚物)的无机网状聚合物是已知的。这些聚合物具有连续无规网状骨架，每个无机原子为四面体杂化并通过单键与三个其它无机原子和一个取代基结合。由于网状结构赋予的特征，这些聚合物表现出来的特性与本文档来自技高网...

【技术保护点】
高分子量聚合物，其具有式［ＡＲ］↓［ｎ］的重复单元，其中ｎ至少为２０，其中Ａ选自碳、硅、锗、和锡原子、第１３族到第１６族元素及其化合物、第４族金属及其化合物、镧系元素、过渡金属、及其组合，Ｒ与Ａ相同或不同，并选自氢原子，含有约１到３０个碳原子的饱和直链或支链烃，在环中含有约５到１４个碳原子的不饱和含环烃或环烃，含有至少２０个重复结构单元的聚合物链基团，卤素，第１３族到第１６族元素及其化合物，第４族金属及其化合物，镧系元素，过渡金属，含有一个或多个Ｎ、Ｏ或Ｓ杂原子、卤素、第１３族到第１６族元素、第４族金属、镧系元素、过渡金属及其组合的有机基团或聚合物，及其组合，并且Ｒ在各个重复结构单元内可相同或...

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：帕特里夏A比安科尼，斯科特若雷，
申请(专利权)人：麻省大学，
类型：发明
国别省市：US[美国]