存储设备的使用方法和系统技术方案

本发明专利技术涉及一种存储设备的使用方法和系统。所述方法包括以下步骤：上电初始化后获取地址索引和擦写次数计数位；将擦写次数计数位增加1；判断新的擦写次数计数位是否小于擦写次数阈值；若是，则将数据和新的擦写次数计数位更新到所述地址索引所对应的页中和所述地址索引加1所对应的页中；若否，则将擦写次数计数位赋值为1，判断所述地址索引是否小于总页数减2，若是，则将所述地址索引加2，作为新的地址索引，若否，则将所述地址索引赋值为2，作为新的地址索引；以及将数据和擦写次数计数位更新到所述新的地址索引所对应的页中和所述新的地址索引加1所对应的页中，并将所述新的地址索引更新到第零页和第一页。延长了存储设备的使用寿命。

Storage device using method and system

The invention relates to a storage device using method and system. The method comprises the following steps: initialization after obtaining address index and erasing times of digital meter; digital meter will write times increased by 1; to determine the new digital meter is less than the endurance endurance threshold; if so, the data and the new digital meter endurance update to the address corresponding to the index page and the address index plus 1 corresponding to the page; if not, it will erase count digital values 1, judging whether the address index is less than the total number of pages by 2, if the address index 2, as the new address index, if not, the address index value 2, as the new address index; and address index data and write times bit updated to the new address index corresponding to the page and the new 1 corresponding to the page, and the new cable. Update to page zero and page 1. The service life of the storage device is prolonged.

【技术实现步骤摘要】
存储设备的使用方法和系统
本专利技术涉及存储设备管理领域，特别是涉及一种存储设备的使用方法和系统。
技术介绍
存储设备可包括FLASH、SD(SecureDigitalMemoryCard，安全数字存储卡)卡等。以FLASH为例，FLASH是内存的一种，但兼有RAM(Random-AccessMemory，随机存储设备)和ROM(read-onlymemory，只读存储设备)的优点，是一种可在系统进行电擦写，掉电后信息不丢失的存储器。传统的FLASH在使用中，数据存储在数据FLASH区域。往数据FLASH区域写入数据时需要先对数据FLASH区域进行擦除，再把数据写入数据FLASH区域中。但是数据FLASH区域有一定的擦写次数，当数据FLASH区域中某块区域擦写超过一定次数后，此块区域就会损坏不能再次使用，需要更换芯片，缩短了存储设备的使用寿命。
技术实现思路
基于此，有必要针对传统的存储设备的某数据区域频繁被擦写超过次数缩短了存储设备的使用寿命的问题，提供一种存储设备的使用方法，能延长存储设备的使用寿命。此外，还有必要提供一种存储设备的使用系统，能延长存储设备的使用寿命。一种存储设备的使用方法，包括以下步骤：上电初始化后获取地址索引和擦写次数计数位；当更新存储设备的页中的数据时，将擦写次数计数位增加1得到新的擦写次数计数位；判断新的擦写次数计数位是否小于擦写次数阈值；若新的擦写次数计数位小于擦写次数阈值，则将数据和新的擦写次数计数位更新到所述地址索引所对应的页中和所述地址索引加1所对应的页中；若新的擦写次数计数位不小于擦写次数阈值，则将擦写次数计数位赋值为1，并擦除所述地址索引所对应的页中的数据和所述地址索引加1所对应的页中的数据，再判断所述地址索引是否小于总页数减2，若是，则将所述地址索引加2，作为新的地址索引，若否，则将所述地址索引赋值为2，作为新的地址索引；以及将数据和擦写次数计数位更新到所述新的地址索引所对应的页中和所述新的地址索引加1所对应的页中，并将所述新的地址索引更新到第零页和第一页。一种存储设备的使用系统，包括：获取模块，用于上电初始化后获取地址索引和擦写次数计数位；自增模块，用于当更新存储设备的页中的数据时，将擦写次数计数位增加1得到新的擦写次数计数位；判断模块，用于判断新的擦写次数计数位是否小于擦写次数阈值；第一更新模块，用于若新的擦写次数计数位小于擦写次数阈值，则将数据和新的擦写次数计数位更新到所述地址索引所对应的页中和所述地址索引加1所对应的页中；第二更新模块，用于若新的擦写次数计数位不小于擦写次数阈值，则将擦写次数计数位赋值为1，并擦除所述地址索引所对应的页中的数据和所述地址索引加1所对应的页中的数据，再判断所述地址索引是否小于总页数减2，若是，则将所述地址索引加2，作为新的地址索引，若否，则将所述地址索引赋值为2，作为新的地址索引，以及将数据和擦写次数计数位更新到所述新的地址索引所对应的页中和所述新的地址索引加1所对应的页中，并将所述新的地址索引更新到第零页和第一页。上述存储设备的使用方法和系统，获取地址索引和擦写次数计数位，更新数据时，将擦写次数计数位增加1，通过判断擦写次数计数位是否小于擦写次数阈值，若小于，则将数据和新的擦写次数计数位更新到地址索引对应的页中，若擦写次数计数位不小于擦写次数阈值，则将擦写次数计数位赋值为1，再判断地址索引是否小于总页数减2的值，若是，则将地址索引加2后，将数据和擦写次数计数位更新到新的地址索引所对应的页中，若否，则将地址索引赋值为2，将数据和擦写次数计数位更新到新的地址索引所对应的页中，通过将擦写次数达到擦写次数阈值时，将数据更新到其他页，这样重复使用不同的数据页，避免了每次擦写针对同一页而导致该页擦写次数达到最大擦写次数而损坏，延长了存储设备的使用寿命。附图说明图1为一个实施例中存储设备的使用方法的流程图；图2为一个实施例中存储设备各分页的起始地址的示意图；图3为一个实施例中该上电初始化步骤的具体流程图；图4为一个实施例中存储设备的使用系统的结构框图；图5为另一个实施例中存储设备的使用系统的结构框图；图6为另一个实施例中存储设备的使用系统的结构框图。具体实施方式为了使本专利技术的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本专利技术进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本专利技术，并不用于限定本专利技术。可以理解，本专利技术所使用的术语“第一”、“第二”等可在本文中用于描述各种元件，但这些元件不受这些术语限制。这些术语仅用于将第一个元件与另一个元件区分。举例来说，在不脱离本专利技术的范围的情况下，可以将第一客户端称为第二客户端，且类似地，可将第二客户端称为第一客户端。图1为一个实施例中存储设备的使用方法的流程图。如图1所示，一种存储设备的使用方法，包括以下步骤：步骤102，上电初始化后获取地址索引和擦写次数计数位。本实施例中，步骤102包括：上电初始化读取第零页，从该第零页获取地址索引，再获取该地址索引所对应的页，从该页中读取擦除次数计数位。首先，对存储设备的数据区域进行分页处理，得到多个分页。例如存储设备为FLASH。数据FLASH区域的空间大小为4KB，擦除单位为512字节，以512字节为一页，则数据FLASH区域可以分为8页(4×1024/512＝8)。数据FLASH的起始地址为0x01_F000，终止地址为0x01_FFFF。如图2所示，第零页Zeropage的起始地址为0x01_F000，第一页Firstpage的起始地址为0x01_F200，第二页Secondpage的起始地址为0x01_F400，第三页Thirdpage的起始地址为0x01_F600，第四页Fourthpage的起始地址为0x01_F800，第五页Fifthpage的起始地址为0x01_FA00，第六页Sixpage的起始地址为0x01_FC00，第七页Seventhpage的起始地址为0x01_FE00。地址索引Addr_index是用来查找当前数据存储的页，地址索引存储在第零页中(即Zero-page中)。为了防止数据的损坏和丢失，将第零页中的数据备份到第一页中。数据的存储也进行备份，将当前数据所在数据页的数据备份到当前数据所在数据页的下一页，例如数据存储在第2页，则备份数据存储在第3页。擦写次数计数位存储在每页中，用来标志本页擦写次数，每次更新数据，擦写次数计数位Count也跟着更新。可采用一个数组来存放各页的起始地址，方便后续调用。例如Uint32_tPAGE_ADDR[8]＝{0x01_F000，0x01_F200，0x01_F400，0x01_F600，0x01_F800，0x01_FA00，0x01_FC00，0x01_FE00}。步骤104，当更新存储设备的页中的数据时，将擦写次数计数位增加1得到新的擦写次数计数位。具体地，每次更新页中的数据时，该页的擦写次数计数位增加1次，得到新的擦写次数计数位。步骤106，判断新的擦写次数计数位是否小于擦写次数阈值，若是，则执行步骤108，若否，则执行步骤110。具体地，擦写次数阈值根据需要确定，如可为512次或者300次等。当判断出新的擦写次数计数位小于本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种存储设备的使用方法，其特征在于，包括以下步骤：上电初始化后获取地址索引和擦写次数计数位；当更新存储设备的页中的数据时，将擦写次数计数位增加1得到新的擦写次数计数位；判断新的擦写次数计数位是否小于擦写次数阈值；若新的擦写次数计数位小于擦写次数阈值，则将数据和新的擦写次数计数位更新到所述地址索引所对应的页中和所述地址索引加1所对应的页中；若新的擦写次数计数位不小于擦写次数阈值，则将擦写次数计数位赋值为1，并擦除所述地址索引所对应的页中的数据和所述地址索引加1所对应的页中的数据，再判断所述地址索引是否小于总页数减2，若是，则将所述地址索引加2，作为新的地址索引，若否，则将所述地址索引赋值为2，作为新的地址索引；以及将数据和擦写次数计数位更新到所述新的地址索引所对应的页中和所述新的地址索引加1所对应的页中，并将所述新的地址索引更新到第零页和第一页。

【技术特征摘要】
1.一种存储设备的使用方法，其特征在于，包括以下步骤：上电初始化后获取地址索引和擦写次数计数位；当更新存储设备的页中的数据时，将擦写次数计数位增加1得到新的擦写次数计数位；判断新的擦写次数计数位是否小于擦写次数阈值；若新的擦写次数计数位小于擦写次数阈值，则将数据和新的擦写次数计数位更新到所述地址索引所对应的页中和所述地址索引加1所对应的页中；若新的擦写次数计数位不小于擦写次数阈值，则将擦写次数计数位赋值为1，并擦除所述地址索引所对应的页中的数据和所述地址索引加1所对应的页中的数据，再判断所述地址索引是否小于总页数减2，若是，则将所述地址索引加2，作为新的地址索引，若否，则将所述地址索引赋值为2，作为新的地址索引；以及将数据和擦写次数计数位更新到所述新的地址索引所对应的页中和所述新的地址索引加1所对应的页中，并将所述新的地址索引更新到第零页和第一页。2.根据权利要求1所述的存储设备的使用方法，其特征在于，所述上电初始化后获取地址索引和擦写次数计数位的步骤包括：上电初始化读取第零页，从所述第零页获取地址索引，再获取所述地址索引所对应的页，从所述页中读取擦除次数计数位。3.根据权利要求1所述的存储设备的使用方法，其特征在于，所述方法还包括：将所述第零页中的数据备份在第一页中；所述上电初始化后获取地址索引和擦写次数计数位的步骤包括：上电初始化读取第零页或第一页，从所述第零页或第一页中获取地址索引，再获取所述地址索引所对应的页，从所述页中读取擦除次数计数位。4.根据权利要求3所述的存储设备的使用方法，其特征在于，所述上电初始化读取第零页或第一页，从所述第零页或第一页中获取地址索引，再获取所述地址索引所对应的页，从所述页中读取擦除次数计数位的步骤包括：上电初始化读取第零页，从所述第零页读取地址索引，判断读取地址索引是否成功；若从所述第零页中读取地址索引成功，则读取所述地址索引所对应的页中的擦除次数计数位，判断读取擦除次数计数位是否成功，若读取擦除次数计数位成功，则结束，若读取擦除次数计数位失败，则读取所述地址索引加1所对应的页中的擦除次数计数位，再判断读取擦除次数计数位是否成功，若读取擦除次数计数位成功，则将所述地址索引加1所对应的页中的数据更新所述地址索引所对应的页中的数据，若读取擦除次数计数位失败，则结束；若从所述第零页中读取地址索引失败，则从第一页读取地址索引，判断读取地址索引是否成功，若是，则将所述第一页的数据更新第零页的数据，读取所述地址索引所对应的页中的擦除次数计数位，判断读取擦除次数计数位是否成功，若读取擦除次数计数位成功，则结束，若读取擦除次数计数位失败，则读取所述地址索引加1所对应的页中的擦除次数计数位，再判断读取擦除次数计数位是否成功，若读取擦除次数计数位成功，则将所述地址索引加1所对应的页中的数据更新所述地址索引所对应的页中的数据，若读取擦除次数计数位失败，则结束。5.根据权利要求1所述的存储设备的使用方法，其特征在于，所述方法...

【专利技术属性】
技术研发人员：卜有健，
申请(专利权)人：研祥智能科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44