一种可直接描绘曝光成像的抗蚀剂组合物及抗蚀剂层压体制造技术

技术编号:15745574 阅读:96 留言:0更新日期:2017-07-02 23:01
本发明专利技术涉及一种可直接描绘曝光成像的抗蚀剂组合物及抗蚀剂层压体,它包括:(a)光聚合性组分;(b)光引发剂;(c)重均分子量为3×10

Resist composition capable of directly depicting exposure imaging and resist laminated body

The present invention relates to an resist composition capable of directly depicting exposure imaging and an resist laminate, comprising: (a) photopolymerization component; (b) photoinitiator; (c) weight average molecular weight is 3 * 10;

【技术实现步骤摘要】
一种可直接描绘曝光成像的抗蚀剂组合物及抗蚀剂层压体
本专利技术涉及一种印刷电路板用抗蚀剂,具体涉及一种可直接描绘曝光成像的抗蚀剂组合物及抗蚀剂层压体。
技术介绍
在印刷电路板制造领域,抗蚀剂是广泛用于刻蚀或电镀等过程的抗蚀材料。例如,在制造印刷电路板时,首先,在铜基板上层层叠一层抗蚀剂,用具有图形的掩模层叠于抗蚀剂之上,然后进行曝光,图形曝光后用显影液去除未曝光部位,再实施刻蚀或电镀处理而形成图形,最后用去除剂剥离去除固化部分,从而实现图形转移。抗蚀剂通常被制作成抗蚀剂层压体,通常我们也称之为感光干膜,即在透明支持体之上层叠一层抗蚀剂,然后在抗蚀剂层之上再覆盖保护膜保护。使用抗蚀剂层压体时,一边撕去保护膜,一边将抗蚀剂层通过热压合层叠于铜基板上,然后进行曝光、显影、蚀刻或镀铜、退膜等工序。近年来,为了提高生产效率,不采用掩膜而直接使用数据将活性光线以图像直接描绘的方法也在不断实用化。作为无掩膜的光源,往往使用能释放出波长355nm和405nm的光源。为了提高生产能力,这种图像直接描绘的方法,在图像曝光时须尽可能的缩短曝光时间,需要提高光源输出的能量或者提高抗蚀剂的灵敏度。从抗蚀剂角度,作为直接描绘曝光用的抗蚀剂,除了需要很好的感光灵敏性外,抗蚀剂组合物提供的分辨率和剥离特性等性能也很重要。优异的分辨率,能减少线路的短路或断路;良好的剥离特性,可以提高线路的形成效率。
技术实现思路
本专利技术目的是为了克服现有技术的不足而提供一种在355nm和405nm都具有高灵敏度、高分辨率和良好的剥离特性等综合性能且可直接描绘曝光成像的抗蚀剂组合物。为达到上述目的,本专利技术采用的技术方案是:一种可直接描绘曝光成像的抗蚀剂组合物,它包括:(a)光聚合性组分;(b)光引发剂;(c)重均分子量为3×104~1.2×105且结构通式如式(I)所示的碱溶性共聚物树脂,式中,R1、R2、R3、R4和R5相互独立地为H原子或甲基,R6为碳原子数为1~12的烷基链,R7、R8相互独立地表示碳原子数为1~2的烷基链;k和I相互独立地为1~4的整数。优化地,所述光引发剂的质量占所述光聚合性组分和所述碱溶性共聚物树脂总质量的3.5~5%,所述光聚合性组分的质量占所述光聚合性组分和所述碱溶性共聚物树脂总质量的35~50%。进一步地,所述碱溶性共聚物树脂中含有R1、R2、R3、R4和R5基团的单体在所述碱溶性共聚物树脂中所占的质量含量分别为16~30%、40~80%、0.5~15%、0.1~5%和3~15%。优化地,所述光聚合性组分的结构式中含有双酚A类(甲基)丙烯酸酯结构单元。优化地,所述光聚合性组分的结构式中含有如式(Ⅱ)或/和式(III)所示的(甲基)丙烯酸酯结构单元,式中,m和n相互独立地为1~15的整数。优化地,所述光引发剂含有六芳基双咪唑衍生物或/和如式(IV)表示的吖啶化合物,式中,R为H、烷基、芳基、吡啶基或烷氧基。优化地,它还包括:(d)1-苯基-3-(4-甲氧基苯乙烯基)-5-(4-甲氧基苯基)-吡唑啉或/和苯基-3-(4-异丙基苯乙烯基)-5-(4-异丙基苯基)-吡唑啉,其质量占所述光聚合性组分和所述碱溶性共聚物树脂总质量的0.1~2%。本专利技术的又一目的在于提供一种抗蚀剂层压体,它包括支持膜、形成在所述支持膜任一表面上的抗蚀层以及形成在所述抗蚀层表面的保护膜层,所述抗蚀层含有权利要求1至7中任一所述可直接描绘曝光成像的抗蚀剂组合物。由于上述技术方案运用,本专利技术与现有技术相比具有下列优点:本专利技术可直接描绘曝光成像的抗蚀剂组合物,使用的碱溶性共聚物树脂共聚单元中含羧基单元使抗蚀剂组合物在碱溶液中实现可溶解,而(甲基)丙烯酸烷基酯单元提高分辨率和改善剥离特性,同时还起到调节共聚物树脂的剥离化转变温度,使抗蚀剂组合物在一定温度下,可层压粘合于铜基材;使用(甲基)丙烯酸羟基烷基酯单元可提高抗蚀剂对铜基材的附着力和分辨率;使用(甲基)丙烯酸二烷基氨基烷基酯单元使抗蚀剂组合物具有更好的光敏性,和对铜基材具有更好的附着力;使用(甲基)苯乙烯单元,可使抗蚀剂组合物对铜基材具有更好的附着力。因此,使用本专利技术所述的抗蚀剂组合物,在进行直接描绘曝光时有优异的光敏性、分辨率和剥离特性,能够高效率的形成精细的抗蚀图形和制造高精细的印刷线路板。具体实施方式本专利技术可直接描绘曝光成像的抗蚀剂组合物,它包括:(a)光聚合性组分;(b)光引发剂;(c)重均分子量为3×104~1.2×105且结构通式如式(I)所示的碱溶性共聚物树脂,式中,R1、R2、R3、R4和R5相互独立地为H原子或甲基,R6为碳原子数为1~12的烷基链,R7、R8相互独立地表示碳原子数为1~2的烷基链;k和I相互独立地为1~4的整数。通过使用特定结构的碱溶性共聚物树脂,在进行直接描绘曝光时(如355nm和405nm等)都有优异的光敏性、分辨率和剥离特性,能够高效率的形成精细的抗蚀图形和制造高精细的印刷线路板。其中,使用的碱溶性共聚物树脂共聚单元中含羧基单元使抗蚀剂组合物在碱溶液中实现可溶解,而(甲基)丙烯酸烷基酯单元提高分辨率和改善剥离特性,同时还起到调节共聚物树脂的剥离化转变温度,使抗蚀剂组合物在一定温度下,可层压粘合于铜基材;使用(甲基)丙烯酸羟基烷基酯单元可提高抗蚀剂对铜基材的附着力和分辨率;使用(甲基)丙烯酸二烷基氨基烷基酯单元使抗蚀剂组合物具有更好的光敏性,和对铜基材具有更好的附着力;使用(甲基)苯乙烯单元,可使抗蚀剂组合物对铜基材具有更好的附着力。因此,使用本专利技术所述的抗蚀剂组合物,在进行直接描绘曝光时有优异的光敏性、分辨率和剥离特性,能够高效率的形成精细的抗蚀图形和制造高精细的印刷线路板。对于(a)光聚合性组分从感光灵敏性和剥离特性角度看,光聚合性组分可以为含有双酚A类二(甲基)丙烯酸酯结构单元的化合物或混合物。作为含有双酚A类二(甲基)丙烯酸酯结构单元的化合物,可以列举长兴化学EM3260或沙多玛SR348的(2)乙氧基化双酚A而甲基丙烯酸酯;长兴化学EM3261的(4)乙氧基化双酚A而甲基丙烯酸酯;长兴化学EM3265或沙多玛SR480的(10)乙氧基化双酚A而甲基丙烯酸酯和沙多玛单体SR602(10)乙氧基化双酚A二丙烯酸酯等,这些化合物可以单独使用,也可以组合使用。光聚合性组分使用含有双酚A类(甲基)丙烯酸酯,可提高抗蚀剂组合物的光敏性和良好的剥离特性,使用分子结构中含有烷氧基的化合物可使抗蚀剂组合物达到亲水和疏水的平衡,有利于获得良好地图形的侧边形貌,和合适地剥离特性,以及减少显影后的显影液浮渣。从剥离特性的角度看,光聚合性组分为分子结构中具有(II)和/或(III)结构的(甲基)丙烯酸酯结构单元的化合物或混合物,m和n相互独立地为1~15的整数;这类化合物可以列举,(乙氧)丙氧基化季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、(乙氧基)丙氧基化季戊四醇四(甲基)丙烯酸酯、(乙氧基)丙氧基化二季戊四醇四(甲基)丙烯酸酯、(乙氧基)丙氧基化二季戊四醇五(甲基)丙烯酸酯、(乙氧基)丙氧基化二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、聚乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、聚丙二醇二(甲基)丙烯酸酯、聚环氧乙烷-环氧丙烷二(甲基)丙烯酸酯和乙氧基化壬基酚(甲基)丙烯酸酯等。这些化合物可以单独使用,也可以组合使用本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种可直接描绘曝光成像的抗蚀剂组合物,其特征在于,它包括:(a)光聚合性组分;(b)光引发剂;(c)重均分子量为3×10

【技术特征摘要】
1.一种可直接描绘曝光成像的抗蚀剂组合物,其特征在于,它包括:(a)光聚合性组分;(b)光引发剂;(c)重均分子量为3×104~1.2×105且结构通式如式(I)所示的碱溶性共聚物树脂,,式中,R1、R2、R3、R4和R5相互独立地为H原子或甲基,R6为碳原子数为1~12的烷基链,R7、R8相互独立地表示碳原子数为1~2的烷基链;k和I相互独立地为1~4的整数。2.根据权利要求1所述的可直接描绘曝光成像的抗蚀剂组合物,其特征在于:所述光引发剂的质量占所述光聚合性组分和所述碱溶性共聚物树脂总质量的3.5~5%,所述光聚合性组分的质量占所述光聚合性组分和所述碱溶性共聚物树脂总质量的35~50%。3.根据权利要求2所述的可直接描绘曝光成像的抗蚀剂组合物,其特征在于:所述碱溶性共聚物树脂中含有R1、R2、R3、R4和R5基团的单体在所述碱溶性共聚物树脂中所占的质量含量分别为16~30%、40~80%、0.5~15%、0.1~5%和3~15%。4.根据权利要求1所述的可直接描绘曝光成像的抗蚀剂组合物,其特征在于:所述光聚合...

【专利技术属性】
技术研发人员:李志强李伟杰严晓慧黄森彪韩传龙朱霞月
申请(专利权)人:苏州福斯特光伏材料有限公司
类型:发明
国别省市:江苏,32

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