用于避免污染的定向的极紫外集光器制造技术

本发明专利技术涉及一种具有定向的集光器反射镜的极紫外(EUV)辐射源以减少由燃料液滴碎片产生的污染。在一些实施例中，EUV辐射源具有向EUV源容器提供多个燃料液滴的燃料液滴发生器。主激光器配置为产生指向多个燃料液滴的主激光束。主激光束具有足够的能量以点燃来自多个燃料液滴的等离子体，等离子体发射出极紫外辐射。使配置为将极紫外辐射聚焦至EUV源容器的出口孔的集光器反射镜定向，以使从集光器反射镜的顶点向外延伸的法向量以小于90°的角度与重力的方向相交。本发明专利技术实施例涉及一种极紫外辐射源、一种极紫外辐射源以及一种产生极紫外辐射的方法。

【技术实现步骤摘要】
用于避免污染的定向的极紫外集光器
本专利技术实施例涉及用于避免污染的定向的极紫外集光器，具体地涉及一种极紫外辐射源、一种极紫外辐射源以及一种产生极紫外辐射的方法。
技术介绍
光刻是一种通过用光辐射具有图案的光掩模以将图案转印至半导体衬底上面的光敏材料上。在半导体工业的历史上，通过减小光刻辐射源的曝光波长已经实现了较小的集成芯片最小的部件尺寸，从而提高了光刻分辨率。使用具有10nm和130nm之间的曝光波长的极紫外(EUV)光的极紫外(EUV)光刻是用于新兴技术节点(例如22nm、14nm、10nm等)的前景光明的新一代光刻解决方案。
技术实现思路
根据本专利技术的一个实施例，提供了一种极紫外(EUV)辐射源，包括：燃料液滴发生器，配置为向EUV源容器提供多个燃料液滴；主激光器，配置为产生指向所述多个燃料液滴的主激光束，其中，所述主激光束具有足够的能量以点燃来自所述多个燃料液滴的发射极紫外辐射的等离子体；以及集光器反射镜，配置为将所述极紫外辐射聚焦至所述EUV源容器的出口孔，其中，定向所述集光器反射镜以使从所述集光器反射镜的顶点向外延伸的法向量以小于90°的角度与重力的方向相交。根据本专利本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种极紫外辐射源，包括：燃料液滴发生器，配置为向极紫外源容器提供多个燃料液滴；主激光器，配置为产生指向所述多个燃料液滴的主激光束，其中，所述主激光束具有足够的能量以点燃来自所述多个燃料液滴的发射极紫外辐射的等离子体；以及集光器反射镜，配置为将所述极紫外辐射聚焦至所述极紫外源容器的出口孔，其中，定向所述集光器反射镜以使从所述集光器反射镜的顶点向外延伸的法向量以小于90°的角度与重力的方向相交。

【技术特征摘要】
2015.09.22 US 14/860,8661.一种极紫外辐射源，包括：燃料液滴发生器，配置为向极紫外源容器提供多个燃料液滴；主激光器，配置为产生指向所述多个燃料液滴的主激光束，其中，所述主激光束具有足够的能量以点燃来自所述多个燃料液滴的发射极紫外辐射的等离子体；以及集光器反射镜，配置为将所述极紫外辐射聚焦至所述极紫外源容器的出口孔，其中，定向所述集光器反射镜以使从所述集光器反射镜的顶点向外延伸的法向量以小于90°的角度与重力的方向相交。2.根据权利要求1所述的极紫外辐射源，其中，所述集光器反射镜具有延伸穿过所述集光器反射镜的所述顶点的开口；以及其中，所述主激光束沿着以小于90°的角度与所述法向量相交的第二轨迹延伸穿过所述开口。3.根据权利要求1所述的极紫外辐射源，其中，所述多个燃料液滴沿着以小于90°的角度与所述法向量相交的第一轨迹提供至所述极紫外源容器。4.根据权利要求3所述的极紫外辐射源，其中，所述集光器反射镜在与所述集光器反射镜的所述顶点偏移的位置处具有延伸穿过所述集光器反射镜的开口；以及其中，所述主激光束沿着以基本上直角的角度与所述第一轨迹相交的第二轨迹延伸穿过所述开口。5.根据权利要求1所述的极紫外辐射源，还包括：预脉冲激光器，配置为在所述主激光束击中所述多个燃料液滴之前产生使所述多个燃料液滴变形的预脉冲激光束，所述预脉冲激光束具有比所述主激光束的能量更低的能量；以及其中，所述预脉冲激光束在与所述主激光束的方向不平行的方向上延伸。6.根据权利要求1所述的极紫...

【专利技术属性】
技术研发人员：苏健元，郭宏铭，赵国宏，彭瑞君，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71