新型化合物及包含它的有机发光元件制造技术

本发明专利技术涉及一种新型化合物，尤其涉及如下的新型化合物，将其应用于有机发光元件时，空穴注入和空穴传输特性优异，从而能够进行低电压驱动，同时电磁屏蔽特性优异，提高空穴迁移率(hole mobility)，实现低电压、高效率、长寿命，能够防止因高Tg导致的薄膜的再结晶化，能够使驱动稳定性优异。

Novel compound and organic light emitting element comprising the same

The present invention relates to novel compounds, in particular relates to novel compounds are as follows, the organic light emitting element, the hole injection and hole transport properties can be excellent, low driving voltage, and excellent electromagnetic shielding properties, improve the hole mobility (hole mobility), low voltage, high efficiency and long service life. To prevent high Tg thin films caused by recrystallization, can make excellent driving stability.

【技术实现步骤摘要】
新型化合物及包含它的有机发光元件
本专利技术涉及一种新型化合物及包含上述化合物的有机发光元件，尤其涉及如下的新型化合物，将其应用于有机发光元件时，空穴注入和空穴传输特性优异，从而能够进行低电压驱动，同时电磁屏蔽特性优异，提高空穴迁移率(holemobility)，实现低电压、高效率、长寿命，能够防止因高Tg导致的薄膜的再结晶化，能够使驱动稳定性优异。
技术介绍
最近，自发光型的可低电压驱动的有机发光元件与作为平板显示元件的主流的液晶显示器(LCD，liquidcrystaldisplay)相比，视场角、对比度等更优异，不需要背光，可实现轻量及薄型，在耗电方面上也有利，颜色再现范围宽，从而作为下一代显示元件受到关注。有机发光元件中用作有机物层的材料按功能大致可分为发光材料、空穴注入材料、空穴传输材料、电子传输材料、电子注入材料等。上述发光材料按分子量可分为高分子和低分子，按发光机理可分为来自电子的单重激发态的荧光材料、以及来自电子的三重激发态的磷光材料，发光材料按发光颜色可分为蓝色、绿色、红色发光材料、以及为了呈现更好的天然色所需的黄色和橙色发光材料。此外，为了增加通过色纯度的增加和能量转移的发光效率，可以使用主体/掺杂剂体系作为发光物质。其原理如下：如果在发光层中混合少量的与主要构成发光层的主体相比能带隙小且发光效率优异的掺杂剂，则在主体中产生的激子传输到掺杂剂而发出效率高的光。此时，主体的波长向掺杂剂的波段移动，因此可以根据所使用的掺杂剂和主体的种类，得到所期望的波长的光。目前为止，作为用于这样的有机发光元件的物质，已知多种化合物，但在利用以往已知的物质的有机发光元件的情况下，由于高驱动电压、低效率、以及短寿命而在实用化方面存在许多困难。因此，为了利用具有优异特性的物质来开发出具有低电压驱动、高亮度及长寿命的有机发光元件而不断努力。
技术实现思路
为了解决上述问题，本专利技术的目的在于，提供一种新型化合物，将其应用于有机发光元件时，空穴注入和空穴传输特性优异，从而能够进行低电压驱动，同时电磁屏蔽特性优异，提高空穴迁移率(holemobility)，实现低电压、高效率、长寿命，能够防止因高Tg导致的薄膜的再结晶化，能够使驱动稳定性优异。本专利技术的另一目的在于，提供一种有机发光元件，其包含上述新型化合物，空穴注入和空穴传输特性优异，从而能够进行低电压驱动，同时电磁屏蔽特性优异，提高空穴迁移率(holemobility)，实现低电压、高效率、长寿命，能够防止因高Tg导致的薄膜的再结晶化，能够实现驱动稳定性。为了达成上述目的，本专利技术提供一种由下述化学式1表示的化合物。【化学式1】上述式中，X为O或S,L为单键；被氘、卤素、氨基、氰基、硝基、C1-30烷基、C1-30烷氧基、C2-30烯基、硅烷基取代或未取代的C6-50亚芳基；或者被氘、卤素、氨基、氰基、硝基、C1-30烷基、C1-30烷氧基、C2-30烯基、硅烷基取代或未取代的C2-50亚杂芳基，Ar1和Ar2各自独立地为被氘、卤素、氨基、氰基、硝基、C1-30烷基、C1-30烷氧基、C2-30烯基、硅烷基取代或未取代的C6-50芳基；或者被氘、卤素、氨基、氰基、硝基、C1-30烷基、C1-30烷氧基、C2-30烯基、硅烷基取代或未取代的C2-50杂芳基，R1、R2、R3、R4和R5各自独立地为氢；氘；卤素；氨基；氰基；硝基；硅烷基；被氘、卤素、氨基、氰基、硝基取代或未取代的C1-30烷基；被氘、卤素、氨基、氰基、硝基取代或未取代的C2-30烯基；被氘、卤素、氨基、氰基、硝基取代或未取代的C2-30炔基；被氘、卤素、氨基、氰基、硝基取代或未取代的C1-30烷氧基；被氘、卤素、氨基、氰基、硝基取代或未取代的C6-30芳氧基；被氘、卤素、氨基、氰基、硝基、C1-30烷基、C1-30烷氧基、C2-30烯基、硅烷基取代或未取代的C6-50芳基；或者被氘、卤素、氨基、氰基、硝基、C1-30烷基、C1-30烷氧基、C2-30烯基、硅烷基取代或未取代的C2-50杂芳基。此外，本专利技术提供一种包含由上述化学式1表示的化合物的有机发光元件。根据本专利技术的新型化合物在应用于有机发光元件时，空穴注入和空穴传输特性优异，从而能够进行低电压驱动，同时电磁屏蔽特性优异，提高空穴迁移率(holemobility)，实现低电压、高效率、长寿命，能够防止因高Tg导致的薄膜的再结晶化，能够使驱动稳定性优异。附图说明图1是简略地表示根据本专利技术的一实施例的OLED的剖面的图。符号说明10：基板11：阳极12：空穴注入层13：空穴传输层14：发光层15：电子传输层16：阴极具体实施方式本专利技术的化合物由下述化学式1表示。【化学式1】上述式中，X为O或S,L为单键；被氘、卤素、氨基、氰基、硝基、C1-30烷基、C1-30烷氧基、C2-30烯基、硅烷基取代或未取代的C6-50亚芳基；或者被氘、卤素、氨基、氰基、硝基、C1-30烷基、C1-30烷氧基、C2-30烯基、硅烷基取代或未取代的C2-50亚杂芳基，Ar1和Ar2各自独立地为被氘、卤素、氨基、氰基、硝基、C1-30烷基、C1-30烷氧基、C2-30烯基、硅烷基取代或未取代的C6-50芳基；或者被氘、卤素、氨基、氰基、硝基、C1-30烷基、C1-30烷氧基、C2-30烯基、硅烷基取代或未取代的C2-50杂芳基，R1、R2、R3、R4和R5各自独立地为氢；氘；卤素；氨基；氰基；硝基；硅烷基；被氘、卤素、氨基、氰基、硝基取代或未取代的C1-30烷基；被氘、卤素、氨基、氰基、硝基取代或未取代的C2-30烯基；被氘、卤素、氨基、氰基、硝基取代或未取代的C2-30炔基；被氘、卤素、氨基、氰基、硝基取代或未取代的C1-30烷氧基；被氘、卤素、氨基、氰基、硝基取代或未取代的C6-30芳氧基；被氘、卤素、氨基、氰基、硝基、C1-30烷基、C1-30烷氧基、C2-30烯基、硅烷基取代或未取代的C6-50芳基；或者被氘、卤素、氨基、氰基、硝基、C1-30烷基、C1-30烷氧基、C2-30烯基、硅烷基取代或未取代的C2-50杂芳基。具体而言，L、Ar1和Ar2可以不包含芳胺；更具体而言，Ar1和Ar2中至少一个可以包含芴。此时，能够实现更优异的空穴迁移率(holemobility)导致的低电压驱动、高效率的有机发光元件。本专利技术中，由上述化学式1表示的化合物的具体例子如下：本专利技术涉及的由化学式1表示的化合物在应用于有机发光元件时具有如下优点：1.苯并呋喃/苯并噻吩与芳胺结合，形成适合于空穴注入和空穴传输的HOMO。可进行低电压驱动。2.苯并呋喃/苯并噻吩与芳胺结合，形成容易电磁屏蔽的LUMO。可实现高效率。3.通过苯并呋喃/噻吩第3位取代，提高空穴迁移率(holemobility)。可实现低电压、高效率、长寿命。4.防止因高Tg导致的薄膜的再结晶化。提高驱动稳定性。此外，本专利技术的化合物可以通过下述反应式1制造。[反应式1]上述反应式1中，L、Ar1、Ar2、R1、R2、R3、R4、R5的定义同化学式1中的定义。此外，本专利技术提供一种有机物层中包含由上述化学式1表示的化合物的有机发光元件。具体而言，包含空穴注入物质或空穴传输物质，更具体而言，包含空穴传输物质，此时，本专利技术的化合物可本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种由下述化学式1表示的化合物：化学式1

【技术特征摘要】
2015.09.10 KR 10-2015-0128592;2016.08.22 KR 10-2011.一种由下述化学式1表示的化合物：化学式1上述式中，X为O或S，L为单键；被氘、卤素、氨基、氰基、硝基、C1-30烷基、C1-30烷氧基、C2-30烯基、硅烷基取代或未取代的C6-50亚芳基；或者被氘、卤素、氨基、氰基、硝基、C1-30烷基、C1-30烷氧基、C2-30烯基、硅烷基取代或未取代的C2-50亚杂芳基，Ar1和Ar2各自独立地为被氘、卤素、氨基、氰基、硝基、C1-30烷基、C1-30烷氧基、C2-30烯基、硅烷基取代或未取代的C6-50芳基；或者被氘、卤素、氨基、氰基、硝基、C1-30烷基、C1-30烷氧基、C2-30烯基、硅烷基取代或未取代的C2-50杂芳基，R1、R2、R3、R4和R5各自独立地为氢；氘；卤素；氨基；腈氰基；硝基；硅烷基；被氘、卤素、氨基、腈氰基、硝基取代或未取代的C1-30烷基；被氘、卤...

【专利技术属性】
技术研发人员：咸昊完，安贤哲，金成勋，裴惟珍，金东骏，闵丙哲，韩政佑，李萤振，林东焕，
申请(专利权)人：东进世美肯株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国,KR