一种基于磁性斯格明子的逻辑门电路制造技术
A logic gate circuit based on magnetic skyrmion
A logic gate circuit of magnetic skyrmion based on basic logic gate unit by the end of two magnetic metal nanowires converged into a magnetic metal nanowire structure, connecting three magnetic nanowires with three magnetic magnetic neck, neck with three different width, using current control logic operation the formation, \and\ or \or\ logic gate logic gate logic gate; the three terminal device three magnetic metal nanowire structure, the input consists of two parallel magnetic neck (M
【技术实现步骤摘要】
一种基于磁性斯格明子的逻辑门电路
本专利技术涉及微电子
，特别是涉及一种利用磁性斯格明子改变磁颈电阻，从而实现逻辑与门以及逻辑或门。
技术介绍
逻辑门是现代电子信息的基础，实现各种基本逻辑关系的电路称为逻辑门电路。在逻辑代数中，逻辑变量有两种取值真(1)和假(0)。而在逻辑电路中，通常定义高电平为逻辑真而低电平为逻辑假，即用高、低电平这两个电学参量分别来表示“1”、“0”这两个逻辑变量，然后利用电路改变电压的高低，从而实现了基本的逻辑门运算。表一给出了逻辑与门的真值表，其中A、B为输入逻辑变量，X为输出逻辑变量。表二给出了逻辑或门的真值表。表一：逻辑与门的真值表表二：逻辑或门的真值表目前常用的逻辑门基于半导体电路，但受半导体材料特性的限制，半导体基逻辑门必须工作在一定的温度范围内。而逻辑电路工作时，由于电流的热效应其器件温度会累积升高，故半导体逻辑门会有相应的散热装置，如散热片、风扇等，从而半导体基逻辑电路有较大的能量耗散。因此，我们提出一种基于磁性斯格明子的逻辑门电路，在电流的驱动下，斯格明子会在磁颈处累积，进而改变磁颈两端的电压。相对于半导体基逻辑电路，...
【技术保护点】
一种基于磁性斯格明子的逻辑门电路，其特征是逻辑门基本单元由两条磁性金属纳米线末端会聚成一条磁性金属纳米线构成，三根磁性金属纳米线连接处设有磁颈，三个磁颈具有三种不同宽度，以采用电流提供逻辑运算的控制，形成“与”逻辑门或者“或”逻辑门；所述的逻辑门为三根磁性金属纳米线构成的三接线端装置，输入端由两根并联的带有磁颈(M
【技术特征摘要】
1.一种基于磁性斯格明子的逻辑门电路，其特征是逻辑门基本单元由两条磁性金属纳米线末端会聚成一条磁性金属纳米线构成，三根磁性金属纳米线连接处设有磁颈，三个磁颈具有三种不同宽度，以采用电流提供逻辑运算的控制，形成“与”逻辑门或者“或”逻辑门；所述的逻辑门为三根磁性金属纳米线构成的三接线端装置，输入端由两根并联的带有磁颈(MA和MB)的纳米线组成，其末端会聚串联形成一根磁性金属纳米线为带有磁颈(MX)的一条输出磁性金属纳米线。2.根据权利要求1所述的基于磁性斯格明子的逻辑门电路，其特征是所述的磁性材料为Co/Pt双层膜。3.根据权利要求1所述的基于磁性斯格明子的逻辑门电路，其特征是输入端激发磁性斯格明子的结构为凹状图形。4.根据权利要求1所述的基于磁性斯格明子的逻辑门电路，其特征是当所述的逻辑门为“或”逻辑门的“或”功能，输入端的磁颈宽度大于输出端的磁颈宽度。5.根据权利要求1所述的基于磁性斯格明子的逻辑门电路，其特征是所述的逻辑门为“与”逻辑门的“与”功能，输入端的磁颈的宽度、临界电流分别小于输出端磁颈的宽度、临界电流。6.根据...
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