一种阵列基板、液晶显示面板及显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种阵列基板、液晶显示面板及显示装置，通过利用桥接结构通过半过孔使相邻两个公共电极实现电性连接，针对沿第一方向排列的每一排桥接结构，其中一部分桥接结构对应的半过孔为第一半过孔，另一部分桥接结构对应的半过孔为第二半过孔。这样设置即使在制程中在第一方向存在工艺偏差时，每一行中还有一部分的公共电极通过桥接结构能够实现电性连接，从而使任意相邻两行公共电极对应的等效电阻一致，从而可以降低画面显示不良的问题。

An array substrate, a liquid crystal display panel and a display device

The invention discloses an array substrate, liquid crystal display panel and liquid crystal display device, through the use of the bridge structure through the half hole so that two adjacent common electrodes to realize electrical connection, for each row of the bridge structure arranged along a first direction, wherein a portion of the bridge structure of the half hole for the half half hole. A hole in another part of the bridge structure corresponding to the second hole. So even if the settings in the process in the first direction of process deviation, in each row and a portion of the common electrode via a bridge structure can realize the electrical connection, so that the equivalent resistance is consistent arbitrary two adjacent line corresponding to the common electrode, which can reduce the bad picture display problems.

【技术实现步骤摘要】
一种阵列基板、液晶显示面板及显示装置
本专利技术涉及显示
，特别涉及一种阵列基板、液晶显示面板及显示装置。
技术介绍
良好的画面品质是显示屏必备的特性，但是在显示时，由于公共电极会受到栅线和数据线之间耦合电容的影响，导致公共电极信号的不稳定，因此会给显示屏带来残像、Greenish、Crosstalk等不良现象。目前解决公共电极信号不稳定的方案可以通过降低耦合电容的方法来实现，如图1a所示，将公共电极层切割成多个块状结构的公共电极20，沿行方向排列的各公共电极20通过与沿行方向延伸的公共电极线30直接接触实现电性连接，沿列方向排列的每相邻两个公共电极20利用桥接结构40通过过孔实现电性连接。并且，目前为了减少面板的污渍，过孔一般采用的是半过孔方式的设计，如图1b所示，半过孔中，一半为深孔区域V1，一半为浅孔区域V2。为了增大像素开口率，半过孔的尺寸不能太大，并且由于面板工艺中PI液的扩散与过孔的尺寸有关，为了改善PI液的扩散，一般浅孔区域V2的尺寸比深孔区域V1的尺寸大，因此，半过孔中深孔区域V1的尺寸就变得更小。因此，理想情况下图1a所示的结构中公共电极20电阻的等效电路图如图1c所示；但是，在工艺制程中，不同膜层之间不可能完全重叠，都会存在一定的偏差，当工艺存在较大偏差即往一个方向偏差时，如图1d所示，由于深孔区域V1的尺寸较小，很容易使深孔区域V1被掩盖，从而导致桥接结构不能起到电连接公共电极的作用，这种情况下对应的公共电极20电阻的等效电路图如图1e所示，从而使相邻两行像素对应的公共电极20的等效电阻存在较大差异，从而导致画面显示不良的问题。
技术实现思路
本专利技术实施例提供一种阵列基板、液晶显示面板及显示装置，用以避免画面显示不良的问题。因此，本专利技术实施例提供了一种阵列基板，包括：衬底基板，位于所述衬底基板上呈矩阵排列的多个公共电极；沿第一方向排列的各所述公共电极通过与沿第一方向延伸的公共电极线直接接触实现电性连接；沿第二方向排列的每相邻两个所述公共电极利用桥接结构通过半过孔实现电性连接；所述半过孔包括深孔区域和浅孔区域；所述桥接结构包括位于相邻两个所述公共电极上方且沿所述第二方向延伸的桥接线以及位于所述桥接线上方的连接部，所述连接部贯穿所述浅孔区域与所述桥接线连接，所述连接部贯穿所述深孔区域与所述公共电极层连接；所述半过孔中，所述深孔区域与所述浅孔区域的交界面沿所述第二方向延伸，以沿所述第二方向延伸且靠近边缘一侧的一条所述桥接线的延长线为参考线，规定所述深孔区域位于靠近所述参考线一侧且所述浅孔区域位于远离所述参考线一侧的半过孔为第一半过孔，规定所述浅孔区域位于靠近所述参考线一侧且所述深孔区域位于远离所述参考线一侧的半过孔为第二半过孔；针对沿第一方向排列的每一排所述桥接结构，其中一部分所述桥接结构对应的半过孔为所述第一半过孔，另一部分所述桥接结构对应的半过孔为所述第二半过孔。较佳地，在本专利技术实施例提供的上述阵列基板中，针对沿所述第一方向排列的每一排所述桥接结构，任意相邻的两个所述桥接结构，其中一个所述桥接结构对应的半过孔为所述第一半过孔，另一个所述桥接结构对应的半过孔为所述第二半过孔。较佳地，在本专利技术实施例提供的上述阵列基板中，针对沿所述第一方向排列的每一排所述桥接结构，以每相邻的n个所述桥接结构为一组，任意相邻的两组中，其中一组所述桥接结构对应的半过孔为所述第一半过孔，另一组所述桥接结构对应的半过孔为所述第二半过孔，其中n为大于或等于2且小于N/2的整数，N为沿所述第一方向排列的所述公共电极的数目。较佳地，在本专利技术实施例提供的上述阵列基板中，n为小于或等于10的整数。较佳地，在本专利技术实施例提供的上述阵列基板中，沿所述第二方向相邻的任意两个所述桥接结构，其中一个所述桥接结构对应的半过孔为所述第一半过孔，另一个所述桥接结构对应的半过孔为所述第二半过孔。较佳地，在本专利技术实施例提供的上述阵列基板中，还包括位于所述衬底基板上沿所述第一方向延伸的多条栅线，且所述栅线与所述公共电极线同层设置。较佳地，在本专利技术实施例提供的上述阵列基板中，还包括位于所述衬底基板上沿所述第二方向延伸的多条数据线，且所述数据线与所述桥接线同层设置。较佳地，在本专利技术实施例提供的上述阵列基板中，还包括位于所述桥接线所在层上方的像素电极，且所述像素电极与所述连接部同层设置。相应地，本专利技术实施例还提供了一种液晶显示面板，包括本专利技术实施例提供的上述任一种阵列基板。相应地，本专利技术实施例还提供了一种显示装置，包括本专利技术实施例提供的上述液晶显示面板。本专利技术实施例提供的上述阵列基板、液晶显示面板及显示装置，本专利技术利用桥接结构通过半过孔使相邻两个公共电极实现电性连接，针对沿第一方向排列的每一排桥接结构，其中一部分桥接结构对应的半过孔为第一半过孔，另一部分桥接结构对应的半过孔为第二半过孔。这样设置即使在制程中在第一方向存在工艺偏差时，每一行中还有一部分的公共电极通过桥接结构能够实现电性连接，从而使任意相邻两行公共电极对应的等效电阻一致，从而可以降低画面显示不良的问题。附图说明图1a为现有的半过孔的排布方式的结构示意图；图1b为现有的半过孔的剖面结构示意图；图1c为图1a所示的没有工艺偏差时公共电极电阻的等效电路图；图1d为存在较大工艺偏差时半过孔的剖面结构示意图；图1e为存在较大工艺偏差时公共电极电阻的等效电路图；图2a为本专利技术实施例提供的半过孔的排布方式的结构示意图之一；图2b为图2a所示的存在较大工艺偏差时公共电极电阻的等效电路图；图3a为本专利技术实施例提供的半过孔的排布方式的结构示意图之二；图3b为图3a所示的存在较大工艺偏差时公共电极电阻的等效电路图；图4为图2a所示的阵列基板沿A-A’方向的剖面结构图。具体实施方式为了使本专利技术的目的，技术方案和优点更加清楚，下面结合附图，对本专利技术实施例提供的阵列基板、其制备方法及液晶显示面板的具体实施方式进行详细地说明。附图中各层薄膜厚度和形状不反映阵列基板的真实比例，目的只是示意说明本
技术实现思路
。本专利技术实施例提供了一种阵列基板，如图2a所示，包括：衬底基板10，位于衬底基板10上呈矩阵排列的多个公共电极20；沿第一方向X排列的各公共电极20通过与沿第一方向X延伸的公共电极线30直接接触实现电性连接；沿第二方向Y排列的每相邻两个公共电极20利用桥接结构40通过半过孔(501或502)实现电性连接；其中，如图4所示，其中图4为图2a所示的阵列基板沿A-A’方向的剖面结构图；半过孔(501或502)包括深孔区域V1和浅孔区域V2；桥接结构40包括位于相邻两个公共电极20上方且沿第二方向Y延伸的桥接线401以及位于桥接线401上方的连接部402，连接部402贯穿浅孔区域V2与桥接线401连接，连接部402贯穿深孔区域V1与公共电极20层连接；半过孔(501或502)中，深孔区域V1与浅孔区域V2的交界面沿第二方向Y延伸，以沿所述第二方向Y延伸且靠近边缘一侧的一条桥接线401的延长线为参考线001，规定深孔区域V1位于靠近参考线001一侧且浅孔区域V2位于远离参考线001一侧的半过孔为第一半过孔501，规定浅孔区域V2位于靠近参考线001一侧且深孔区域V1位于远离参考线001一侧的半过孔为第二半过孔502；本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种阵列基板，包括：衬底基板，位于所述衬底基板上呈矩阵排列的多个公共电极；沿第一方向排列的各所述公共电极通过与沿第一方向延伸的公共电极线直接接触实现电性连接；沿第二方向排列的每相邻两个所述公共电极利用桥接结构通过半过孔实现电性连接；所述半过孔包括深孔区域和浅孔区域；所述桥接结构包括位于相邻两个所述公共电极上方且沿所述第二方向延伸的桥接线以及位于所述桥接线上方的连接部，所述连接部贯穿所述浅孔区域与所述桥接线连接，所述连接部贯穿所述深孔区域与所述公共电极层连接；其特征在于：所述半过孔中，所述深孔区域与所述浅孔区域的交界面沿所述第二方向延伸，以沿所述第二方向延伸且靠近边缘一侧的一条所述桥接线的延长线为参考线，规定所述深孔区域位于靠近所述参考线一侧且所述浅孔区域位于远离所述参考线一侧的半过孔为第一半过孔，规定所述浅孔区域位于靠近所述参考线一侧且所述深孔区域位于远离所述参考线一侧的半过孔为第二半过孔；针对沿第一方向排列的每一排所述桥接结构，其中一部分所述桥接结构对应的半过孔为所述第一半过孔，另一部分所述桥接结构对应的半过孔为所述第二半过孔。

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板，包括：衬底基板，位于所述衬底基板上呈矩阵排列的多个公共电极；沿第一方向排列的各所述公共电极通过与沿第一方向延伸的公共电极线直接接触实现电性连接；沿第二方向排列的每相邻两个所述公共电极利用桥接结构通过半过孔实现电性连接；所述半过孔包括深孔区域和浅孔区域；所述桥接结构包括位于相邻两个所述公共电极上方且沿所述第二方向延伸的桥接线以及位于所述桥接线上方的连接部，所述连接部贯穿所述浅孔区域与所述桥接线连接，所述连接部贯穿所述深孔区域与所述公共电极层连接；其特征在于：所述半过孔中，所述深孔区域与所述浅孔区域的交界面沿所述第二方向延伸，以沿所述第二方向延伸且靠近边缘一侧的一条所述桥接线的延长线为参考线，规定所述深孔区域位于靠近所述参考线一侧且所述浅孔区域位于远离所述参考线一侧的半过孔为第一半过孔，规定所述浅孔区域位于靠近所述参考线一侧且所述深孔区域位于远离所述参考线一侧的半过孔为第二半过孔；针对沿第一方向排列的每一排所述桥接结构，其中一部分所述桥接结构对应的半过孔为所述第一半过孔，另一部分所述桥接结构对应的半过孔为所述第二半过孔。2.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，针对沿所述第一方向排列的每一排所述桥接结构，任意相邻的两个所述桥接结构，其中一个所述桥接结构对应的半过孔为所述第一半过孔，另一个所述桥接结构对应的半...

【专利技术属性】
技术研发人员：江鹏，芮洲，杨成绍，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，合肥鑫晟光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11