降冰片烯类、四氟乙烯和全氟甲基乙烯基醚三元共聚催化剂以及三元共聚方法技术

本发明专利技术涉及降冰片烯类、四氟乙烯和全氟甲基乙烯基醚三元共聚催化剂以及三元共聚方法，其特征在于该催化剂的制备方法如下：在干燥的惰性气体氛围的容器中，将双(t–丁基环戊二烯基)二氯化钛(IV)和配体溶解于第一溶剂中，得到混合溶液；然后将烷基铝滴入所述混合溶液中，在30‑60℃下搅拌30‑60分钟，即得钛‑铝络合物催化剂；按照摩尔比1：1：1取降冰片烯类单体、四氟乙烯和全氟甲基乙烯基醚单体加入到多次抽真空、充氮高压釜中，加入第二溶剂溶解；然后加入所述的钛‑铝络合物催化剂，在一定条件下完成反应；将反应产物洗涤、干燥后即得到降冰片烯类、四氟乙烯和全氟甲基乙烯基醚三元共聚物。

【技术实现步骤摘要】
降冰片烯类、四氟乙烯和全氟甲基乙烯基醚三元共聚催化剂以及三元共聚方法
本专利技术涉及高聚物领域，具体指一种降冰片烯类四氟乙烯和全氟甲基乙烯基醚三元共聚催化剂以及三元共聚方法。
技术介绍
聚降冰片烯是一种特殊的聚合物，具有优良的力学性能、耐热性、在有机溶剂中的可溶性及透明性，可用于157nm紫外光光刻。这一材料主要缺点是脆性、粘性差和分子量低等。将含氟乙烯插入聚降冰片烯主链中后，可提高聚合物的粘结性和可溶性，并且降低材料本身的吸光率，这种共聚物可作为光阻材料应用于157nm影印技术，如A.E.Feiring和M.Toriumi等将降冰片烯、四氟乙烯和丙烯酸酯共聚物用作光刻材料，性能有较大提高。而且，微电子工业的发展需要尺寸更小的成分，对适用于线宽为1.3μm及以下线宽的曝光技术，可选择157nmF2光刻技术，这些技术涉及光刻工艺的各个方面，提出了新的光学材料及其制造和镀膜技术、新型抗蚀剂、用于掩模及其保护薄膜的新材料等有待于解决的问题。因此，为了获得好的光刻新材料，发展了交替共聚材料，其中主要有降冰片烯与丙类酸酯、含氟烯烃三组份共聚材料，同时应用有侧基的降冰片烯，目的是提高整个基质的抗本文档来自技高网...

【技术保护点】
降冰片烯类、四氟乙烯和全氟甲基乙烯基醚三元共聚催化剂，其特征在于该催化剂的制备方法如下：在干燥的惰性气体氛围的容器中，将双(t–丁基环戊二烯基)二氯化钛(IV)和配体溶解于第一溶剂中，得到混合溶液；然后在200‑300rpm下，将烷基铝滴入所述混合溶液中，滴完后在30‑60℃下继续搅拌30‑60分钟，即得钛‑铝络合物催化剂；所述双(t–丁基环戊二烯基)二氯化钛(IV)与所述配体的摩尔比为1∶16～16∶1，所述双(t–丁基环戊二烯基)二氯化钛(IV)与所述烷基铝的摩尔比为1∶16～16∶1；所述配体选自8‑羟基喹啉、α，α’‑联吡啶、邻二氮菲、异喹啉、喹啉、卟啉、乙酰基丙酮；所述烷基铝选自三异...

【技术特征摘要】
1.降冰片烯类、四氟乙烯和全氟甲基乙烯基醚三元共聚催化剂，其特征在于该催化剂的制备方法如下：在干燥的惰性气体氛围的容器中，将双(t–丁基环戊二烯基)二氯化钛(IV)和配体溶解于第一溶剂中，得到混合溶液；然后在200-300rpm下，将烷基铝滴入所述混合溶液中，滴完后在30-60℃下继续搅拌30-60分钟，即得钛-铝络合物催化剂；所述双(t–丁基环戊二烯基)二氯化钛(IV)与所述配体的摩尔比为1∶16～16∶1，所述双(t–丁基环戊二烯基)二氯化钛(IV)与所述烷基铝的摩尔比为1∶16～16∶1；所述配体选自8-羟基喹啉、α，α’-联吡啶、邻二氮菲、异喹啉、喹啉、卟啉、乙酰基丙酮；所述烷基铝选自三异丁基铝、三乙基铝；所述第一溶剂选自苯、甲苯、四氢呋喃、石油醚、苯甲醚、1,4-二氧六环、1,2-二氯乙烷、环己烷或环己酮；所述溶剂的用量与所述双(t–丁基环戊二烯基)二氯化钛(IV)、烷基铝和配体三者总量的比例为10毫升：0.005～0.035摩尔。2.根据权利要求1所述的降冰片烯类、四氟乙烯和全氟甲基乙烯基醚三元共聚催化剂，其特征在于所述双(t–丁基环戊二烯基)二氯化钛(IV)、烷基铝和配体三者的摩尔比为1∶8∶14。3.根据权利要求1或2降冰片烯类、四氟乙烯和全氟甲基乙烯基醚三元共聚催化剂，其特征在于所述配体和所述第一溶剂在使用前先进行干燥；其中所述配体中的固态配体的干燥是先用重结晶办法纯化然后真空干燥；所述配体中的液态配体的干燥是用氢化钙或金属钠干燥，所述溶剂采用氯化钙或氢化钙干燥。4.使用如权利要求1至3任一权利要求所述的降冰片烯类、四氟乙烯和全氟甲基...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄辉，房江华，王江波，胡敏杰，高浩其，杨建平，王志强，陈斌，
申请(专利权)人：宁波工程学院，
类型：发明
国别省市：浙江,33