一种电机电容调速的电阻泄压保护电路制造技术

技术编号:15623834 阅读:48 留言:0更新日期:2017-06-14 05:44
本实用新型专利技术涉及一种电机电容调速的电阻泄压保护电路。目的是提供的电路应能有效防止可控硅电压击穿,并具有体积小、成本低的优点。技术方案是:一种电机电容调速的电阻泄压保护电路,串接在交流电机以及外部电源形成的回路中;其特征在于:该电路包括并联相接且分别带有可控硅模块的若干分支电路以及对每个分支电路中的可控硅模块进行控制的MCU控制模块;所述若干分支电路包括:一个可控硅模块构成的主分支电路以及至少一个由泄压保护电阻与调速电容并联后再与一可控硅模块串接构成的副分支电路。

【技术实现步骤摘要】
一种电机电容调速的电阻泄压保护电路
本技术涉及一种电路,具体是一种交流电机调速控制电路。
技术介绍
小家电交流电机调速主要采用抽头电机调速、普通交流电机PWM调速、电容调速等方案。抽头电机需要定制,并且档位速度固定不能改变,缺陷较为明显。PWM调速虽然可以使用普通电机,但交流噪声比较大,难以适用在噪声要求较低的产品上。电容调速可以使用普通交流电机,而且还可选择不同的电容容量以变更档位调节电机速度,同时运行时不会产生交流噪声,噪声明显低于可控硅调速,该方案被广泛应用在噪声要求低的产品上,如空气净化器、高档电风扇、换气扇。但电容调速也存在可控硅容易击穿的缺陷,需要进一步改进。
技术实现思路
本技术的目的是克服上述
技术介绍
中的不足,提供一种电机电容调速的电阻泄压保护电路,该电路应能有效防止可控硅电压击穿,并具有体积小、成本低的优点。本技术的技术方案是:一种电机电容调速的电阻泄压保护电路,串接在交流电机以及外部电源形成的回路中;其特征在于:该电路包括并联相接且分别带有可控硅模块的若干分支电路以及对每个分支电路中的可控硅模块进行控制的MCU控制模块;所述若干分支电路包括:一个可控硅模块构成的主分支电路以及至少一个由泄压保护电阻与调速电容并联后再与一可控硅模块串接构成的副分支电路。所述MCU控制模块的信号输出端分别连接各个分支电路中的主可控硅模块中的控制端。所述副分支电路的数量为1-5条。所述可控硅模块包括一可控硅以及将MCU控制模块的信号放大后再通过光电耦合器接通可控硅控制端的晶体三极管。本技术的有益效果是:本技术在每一分支电路上增加一个泄压保护电阻,能够有效防止可控硅电压击穿;同时,电路结构简单,器件通用易购(普通金属膜电阻或碳膜电阻均可作为泄压保护电阻),且价格十分便宜。可广泛应用于民用小家电的电机调速。附图说明图1是本技术的电路结构图。图2是本技术中可控硅模块的电路结构图。具体实施方式以下结合说明书附图所示的实施例,对本技术作进一步说明,但本技术并不局限于以下实施例。如图1所示的一种电机电容调速的电阻泄压保护电路,该电路串接在交流电机以及外部电源形成的主回路中,包括MCU控制模块和若干分支电路。如图所示,本实施例共设四条分支电路。第一分支电路(主分支电路)中只设置一个可控硅模块,串接在交流电机与外部电源之间。第二分支电路(副分支电路)中,第一泄压保护电阻R1与第一调速电容C1并联后,再与第一可控硅模块串联连接。第二分支电路(副分支电路)中,第二泄压保护电阻R2与第二调速电容C2并联后,再与第二可控硅模块串联连接。第三分支电路(副分支电路)中,第三泄压保护电阻R3与第三调速电容C3并联后,再与第三可控硅模块串联连接。所述四条分支电路中的可控硅模块的控制端分别连接MCU控制模块的一个IO口(信号输出端),以根据MCU控制模块的指令启用某一条分支电路。所述四个可控硅模块与MCU控制模块由电源模块供电(所述电源模块图中省略)。四个可控硅模块中,电源输入端(+5V_OUT1)连接电源模块,GND端接地。所述可控硅模块(可外购获得)包括一可控硅(TR1)以及将MCU控制模块的信号放大后再通过隔离元件(OPT01)接入可控硅控制端的晶体三极管Q1。图中还有:电阻R4、R5、R6;压敏电阻RT1。本技术通过操作MCU控制模块对可控硅模块发出控制信号,可以进行打开档位(1档、2档、3档、4档)、不同档位切换以及关闭档位等操作,实现对交流电机开、关及档位速度调节的控制。在进行关断操作或切换操作(如在第二可控硅模块)的关断瞬间,交流电机的反电动势导致第二调速电容C2储存的能量叠加,而由于第二泄压保护电阻R2与第二调速电容C2之间形成回路,产生的高能量就通过该回路释放瞬间能量,从而避免在可控硅模块被瞬间高压击穿,起到很好的保护作用。本技术中的MCU控制模块、可控硅模块、调速电容、泄压保护电阻均可外购获得,可控硅模块、调速电容、泄压保护电阻可以根据交流电机的功率以及要求档位的速度选择相应的参数采购。本文档来自技高网...
一种电机电容调速的电阻泄压保护电路

【技术保护点】
一种电机电容调速的电阻泄压保护电路,串接在交流电机以及外部电源形成的主回路中;其特征在于:该电路包括并联相接且分别带有可控硅模块的若干分支电路以及对每个分支电路中的可控硅模块进行控制的MCU控制模块;所述若干分支电路包括:一个可控硅模块构成的主分支电路以及至少一个由泄压保护电阻与调速电容并联后再与一可控硅模块串接构成的副分支电路。

【技术特征摘要】
1.一种电机电容调速的电阻泄压保护电路,串接在交流电机以及外部电源形成的主回路中;其特征在于:该电路包括并联相接且分别带有可控硅模块的若干分支电路以及对每个分支电路中的可控硅模块进行控制的MCU控制模块;所述若干分支电路包括:一个可控硅模块构成的主分支电路以及至少一个由泄压保护电阻与调速电容并联后再与一可控硅模块串接构成的副分支电路。2.根据权利要求1所述的电机电容调速的电阻泄压保护电路,...

【专利技术属性】
技术研发人员:陈呈胜能建国聂江飞徐国峰马士力
申请(专利权)人:浙江西盈科技股份有限公司
类型:新型
国别省市:浙江,33

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