一种无基岛框架封装结构制造技术

技术编号:15615924 阅读:64 留言:0更新日期:2017-06-14 03:20
本实用新型专利技术涉及一种无基岛框架封装结构,它包括无基岛框架(1),所述无基岛框架(1)正面贴覆有固化膜(2),所述固化膜(2)上设置有芯片(3),所述芯片(3)与无基岛框架(1)通过电性连接部件(4)进行电性连接,所述无基岛框架(1)、固化膜(2)、电性连接部件(4)外均包封有塑封料(5),所述无基岛框架(1)背面露出于塑封料(5)。本实用新型专利技术一种无基岛框架封装结构,它在无基岛框架上贴固化膜固化后形成基岛作用的芯片支撑结构,能够有效解决芯片与管脚接触面积太小导致打线不稳晃动或打线时芯片抬起的问题,同时也能够避免预包封框架两侧铜面积比例差异大导致的框架翘曲问题。

【技术实现步骤摘要】
一种无基岛框架封装结构
本技术涉及一种无基岛框架封装结构,属于半导体封装

技术介绍
目前通过蚀刻形成的引线框架无基岛产品,芯片装片时是架在管脚上的。实际上,当芯片架在管脚上,由于芯片与管脚接触面积太小,导致打线不稳晃动或打线时芯片受力一边抬起的异常现象。无基岛预包封框架虽然可以通过预填塑封料达到支撑芯片的目的,但是无基岛预包封框架由于框架两侧铜面积比例差异大,会产生框架翘曲问题,并且装片胶会在塑封料上扩散,沾污到框架管脚上,影响产品良率及可靠性。
技术实现思路
本技术所要解决的技术问题是针对上述现有技术提供一种无基岛框架封装结构,它在无基岛框架上贴固化膜固化后形成基岛作用的芯片支撑结构,能够有效解决芯片与管脚接触面积太小导致打线不稳晃动或打线时芯片一侧抬起的问题,同时也能够避免预包封框架两侧铜面积比例差异大导致的框架翘曲问题。本技术解决上述问题所采用的技术方案为:一种无基岛框架封装结构,它包括无基岛框架,所述无基岛框架正面贴覆有固化膜,所述固化膜上设置有芯片,所述芯片与无基岛框架通过电性连接部件进行电性连接,所述无基岛框架、固化膜、电性连接部件外均包封有塑封料,所述无基岛框架背面露出于塑封料。与现有技术相比,本技术的优点在于:1、在无基岛框架上贴固化膜固化后形成基岛作用的芯片支撑结构,能够加强框架的支撑能力,能够有效解决芯片与管脚接触太小导致打线不稳晃动或打线时芯片一侧抬起的问题,提高打线时芯片的稳定性与产品良率;2、与预包封技术相比:(1)可以避免框架的翘曲问题;(2)可以避免芯片装片胶在塑封料上的扩散(装片胶在此种膜上扩散管控效果很好)。附图说明图1为本技术一种无基岛框架封装结构的示意图。图2~图7为本技术一种无基岛框架封装工艺的各工序流程图。其中:无基岛框架1固化膜2芯片3电性连接部件4塑封料5。具体实施方式以下结合附图实施例对本技术作进一步详细描述。如图1所示,本实施例中的一种无基岛框架封装结构,它包括无基岛框架1,所述无基岛框架1正面贴覆有固化膜2,所述固化膜2上设置有芯片3,所述芯片3与无基岛框架1通过电性连接部件4进行电性连接,所述无基岛框架1、固化膜2、电性连接部件4外均包封有塑封料5,所述无基岛框架1背面露出于塑封料5。其工艺方法如下:步骤一、参见图2,将固化膜设置在转换膜上,根据无基岛框架的尺寸加工成所需大小,固化膜可以是FOW膜或是FOD膜等;上述固化膜的特性:此膜在固化前具有半流动性,通过转换贴膜、对位方法贴装在镂空框架上时不会从框架间隙流到框架背面沾污外形;当通过加热时,膜由半流动状态转变为固态,在此过程中也不会从框架间隙流到框架背面,此膜转化成固态后,在常温下或再次加热也不会恢复成半流动状态;步骤二、参见图3,将转换膜设置有固化膜的一面贴在无基岛框架的内引脚上,使固化膜贴在无基岛框架的内引脚上;步骤三、参见图4,将固化膜进行固化,固化膜完成固化之后去除转换膜;步骤四、参见图5,在固化膜上通过装片胶进行正装芯片;步骤五、参见图6,电性连接部件电性连接芯片和无基岛框架,电性连接部件是焊线;步骤六、参见图7,包封,用塑封料包覆框架、固化膜、芯片、电性连接部件,并且无基岛框架背面露出于塑封料。除上述实施例外,本技术还包括有其他实施方式,凡采用等同变换或者等效替换方式形成的技术方案,均应落入本技术权利要求的保护范围之内。本文档来自技高网...
一种无基岛框架封装结构

【技术保护点】
一种无基岛框架封装结构,其特征在于:它包括无基岛框架(1),所述无基岛框架(1)正面贴覆有固化膜(2),所述固化膜(2)上设置有芯片(3),所述芯片(3)与无基岛框架(1)通过电性连接部件(4)进行电性连接,所述无基岛框架(1)、固化膜(2)、电性连接部件(4)外均包封有塑封料(5),所述无基岛框架(1)背面露出于塑封料(5)。

【技术特征摘要】
1.一种无基岛框架封装结构,其特征在于:它包括无基岛框架(1),所述无基岛框架(1)正面贴覆有固化膜(2),所述固化膜(2)上设置有芯片(3),所述芯片(3)与无基岛...

【专利技术属性】
技术研发人员:殷炯王强龚臻刘怡章春燕
申请(专利权)人:江苏长电科技股份有限公司
类型:新型
国别省市:江苏,32

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