The present invention provides a display device in which the transmission of a pixel is improved and the brightness of a pixel is improved by reducing the diameter of the through hole of the connecting source electrode and the pixel electrode in a high precise picture. TFT and allocation processes within the pixel (BK), a source electrode of TFT (ST) to extend the coverage of projections, covering TFT and protrusions formed inorganic passivation film (PAS), covering the inorganic passivation film on the TFT to form an organic passivation film (IN), covering the organic passivation film formed opposite electrode (CT), covering the counter electrode to form an upper insulating film (UPS), the upper insulation membrane forming a pixel electrode (PX), a pixel electrode on the protrusions on the via inorganic passivation film (PAS) and the upper insulating film (UPS) formed by the connecting hole (CH) and the source electrode. Thereby, the diameter of the through hole (CH) can be reduced, and the transmittance of the pixel can be improved.
【技术实现步骤摘要】
显示装置本申请是申请号为201310114477.8、申请日为2013年3月25日、专利技术名称为“显示装置”的专利技术专利申请的分案申请。
本专利技术涉及液晶显示装置等显示装置,特别涉及能够通过使在基板的像素电路部分中的有机膜形成的接触孔的直径减小来提高透射率的显示装置。
技术介绍
在显示装置例如液晶显示装置等中,设置呈矩阵状形成有像素电极以及薄膜晶体管(TFT:ThinFilmTransistor)等的阵列基板(或称为TFT基板)、和与该阵列基板相对并在与阵列基板的像素电极对应的位置形成有滤色器等的对置基板,在阵列基板与对置基板之间夹持有液晶。并且,通过按每个像素控制液晶分子对光的透射率来形成图像。近年来,在液晶显示装置中,如“专利文献1”的记载,已知提高像素部的开口率的尝试。“专利文献1”所公开的液晶显示装置,在为了连接薄膜晶体管与像素电极而形成的接触孔,具有填埋形成像素电极所产生的凹部的填埋部。由此,可抑制有机钝化膜的接触孔部的液晶分子的取向混乱,不会使液晶显示装置的像素部的开口率下降,防止了漏光。现有技术文献专利文献专利文献1:日本特开平9-304793号公报
技术实现思路
专利技术要解决的问题然而,在上述那样的液晶显示装置中,存在为了填埋凹部而必须增加光刻或各向异性蚀刻的工序的问题。鉴于上述问题,本专利技术的目的在于,在具有为了连接薄膜晶体管与像素电极而形成的接触孔的液晶显示装置那样的显示装置中,不会使液晶显示装置那样的显示装置的像素部的开口率下降地防止漏光,并且提高有机绝缘膜的生产率,提高接触孔周围的加工精度。用于解决问题的手段能够从多个角度把握 ...
【技术保护点】
一种显示装置,具有阵列基板,其特征在于,在所述阵列基板的显示区域内配置有TFT和突起,连接于所述TFT的第一电极以至少覆盖所述突起的一部分的方式延伸,覆盖所述TFT地形成有机钝化膜,在所述有机钝化膜上形成第二电极,所述第二电极在所述突起上与所述第一电极导通,在俯视下,所述第一电极的宽度小于所述突起的最大宽度。
【技术特征摘要】
2012.05.09 JP 2012-1076941.一种显示装置,具有阵列基板,其特征在于,在所述阵列基板的显示区域内配置有TFT和突起,连接于所述TFT的第一电极以至少覆盖所述突起的一部分的方式延伸,覆盖所述TFT地形成有机钝化膜,在所述有机钝化膜上形成第二电极,所述第二电极在所述突起上与所述第一电极导通,在俯视下,所述第一电极的宽度小于所述突起的最大宽度。2.根据权利要求1所述的显示装置,其特征在于,所述TFT为如下结构:在所述阵列基板上形成半导体层,覆盖所述半导体层地形成栅极绝缘膜,在所述栅极绝缘膜之上在与所述半导体层对应的部分形成栅电极,覆盖所述栅电极地形成层间绝缘膜,在所述层间绝缘膜之上与所述半导体层对应的部分隔开距离地形成漏电极和所述第一电极,所述漏电极以及所述第一电极经由在所述层间绝缘膜以及所述栅极绝缘膜形成的通孔而与所述半导体层导通,所述第二电极经由在设于所述突起上的第一绝缘膜形成的连接孔而与所述第一电极导通。3.根据权利要求1所述的显示装置,其特征在于,所述TFT为如下结构:在所述阵列基板上形成栅电极,覆盖所述栅电极地形成栅极绝缘膜,在所述栅极绝缘膜之上形成漏电极和所述第一电极,所述突起形成于从所述TFT延伸的所述栅极绝缘膜上,所述第二电极在所述突起上与所述第一电极连接。4.根据权利要求1所述的显示装置,其特征在于,所述TFT为如下结构:在所述阵列基板上形成漏电极和所述第一电极,在所述漏电极和所述第一电极上形成半导体层,覆盖所述半导体层地形成栅极绝缘膜,在所述栅极绝缘膜之上与所述半导体层对应的部分形成栅电极,所述第二电极在所述突起上经由在所述栅极绝缘膜形成的连接孔而与所述第一电极导通,所述突起直接形成于所述阵列基板上。5.根据权利要求1所述的显示装置,其特征在于,所述TFT为如下结构:在所述阵列基板上形成半导体层,在所述半导体层上隔着间隔地形成漏电极和所述第一电极,覆盖所述半导体层地形成栅极绝缘膜,在所述栅极绝缘膜上在与所述半导体层对应的部分形成栅电极,所述第二电极在所述突起上经由在所述栅极绝缘膜形成的连接孔而与所述第一电极导通,所述突起直接形成于所述阵列基板上。6.根据权利要求1所述的显示装置,其特征在于,所述TFT为如下结构:在所述阵列基板上形成栅电极,覆盖所述栅电极地形成栅极绝缘膜,在所述栅电极的上方,在所述栅极绝缘膜上形成漏电极和所述第一电极,在所述栅电极的上方覆盖所述栅极绝缘膜以及所述漏电极的一部分和所述第一电极的一部分地形成半导体层。7.根据权利要求1~6中任一项所述的显示装置,其特征在于,所述突起由有机材料形成。8.根据权利要求7所述的显示装置,其特征在于,所述突起为圆锥台或棱锥台。9.根据权利要求8所述的显示装置,其特征在于,在所述突起的上表面不存在所述有机钝化膜。10.一种显示装置,具有阵列基板,其特征在于,在阵列基板的驱动电路内配置有TFT和突起,连接于所述TFT的第一电极以至少覆盖所述突起的一部分的方式延伸,覆盖所述TFT地形成有机钝化膜,在...
【专利技术属性】
技术研发人员:石垣利昌,高桥文雄,栗山英树,
申请(专利权)人:株式会社日本显示器,
类型:发明
国别省市:日本,JP
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