能够提供使用了氮化镓层的半导体装置。半导体装置具有：非晶质玻璃基板；取向金属层，其设置在所述非晶质玻璃基板之上，且具有晶体取向性；第一导电型的第一氮化镓层，其设置在所述取向金属层之上；第二导电型的第二氮化镓层，其在所述第一氮化镓层之上与所述第一氮化镓层连接，具有比所述第一氮化镓层高的导电性，且包含彼此相对的源极侧第二氮化镓层和漏极侧第二氮化镓层；栅电极，其与所述第一氮化镓层相对；和位于所述第一氮化镓层与所述栅电极之间的栅极绝缘层，所述栅极绝缘层在剖视观察下位于所述源极侧第二氮化镓层与所述漏极侧第二氮化镓层之间。
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术的一实施方式涉及使用了氮化镓的半导体装置。
技术介绍
1、氮化镓(gan)是带隙大的直接跃迁型半导体。利用该氮化镓的特征，使用了氮化镓的发光二极管(led)已经得以实用化。氮化镓具有电子饱和迁移率及耐压高这样的特征。近年来，利用该氮化镓的特征，在高频功率器件等用途中，晶体管(半导体装置)的开发得以不断推进。通常，发光二极管或晶体管所使用的氮化镓层通过使用mocvd(metal organicchemical vapor deposition，有机金属化学气相沉积)或者hvpe(hydride vapor phaseepitaxy，氢化物气相外延)在蓝宝石基板上以800℃～1000℃这样的高温进行成膜而形成。
2、此外，近年来，作为下一代显示装置，在电路基板的像素内安装有微小的发光二极管芯片的所谓micro-led显示装置或者mini-led显示装置的开发得以不断推进。micro-led显示装置或者mini-led显示装置具有高效率、高亮度及高可靠性。这样的micro-led显示装置或者mini-led显示装置通过向形成有使用了氧化物半导体或低温多晶硅等的晶体管的背板转印led芯片来制造(例如参见专利文献1)。另一方面，还研究了在同一基板上形成包含氮化镓的晶体管和发光二极管的方法(例如参见专利文献2)。
3、现有技术文献
4、专利文献
5、专利文献1：美国专利第8791474号说明书
6、专利文献2：美国专利申请公开第2020/0075664号说明书
r/>技术实现思路
1、专利技术要解决的课题
2、就基于led芯片的转印的micro-led显示装置的制造方法而言，制造成本高，难以廉价地制造micro-led显示装置。若能够在非晶质玻璃基板这样的大面积基板上将使用了氮化镓的晶体管与发光二极管一起形成，则能够降低制造成本。然而，如上所述，由于氮化镓层在高温下成膜，因此，难以在非晶质玻璃基板上直接形成包含氮化镓的晶体管。
3、本专利技术的一实施方式鉴于上述问题而作成，其目的之一在于，提供使用了氮化镓层的半导体装置。
4、用于解决课题的方案
5、本专利技术的一实施方式涉及的半导体装置具有：非晶质玻璃基板；取向金属层，其设置在所述非晶质玻璃基板之上，具有晶体取向性；第一导电型的第一氮化镓层，其设置在所述取向金属层之上；第二导电型的第二氮化镓层，其在所述第一氮化镓层之上与所述第一氮化镓层连接，具有比所述第一氮化镓层高的导电性，且包含彼此相对的源极侧第二氮化镓层和漏极侧第二氮化镓层；栅电极，其与所述第一氮化镓层相对；和所述第一氮化镓层与所述栅电极之间的栅极绝缘层，所述栅极绝缘层在剖视观察下位于所述源极侧第二氮化镓层与所述漏极侧第二氮化镓层之间。
6、本专利技术的一实施方式涉及的半导体装置具有：非晶质玻璃基板；取向金属层，其设置在所述非晶质玻璃基板之上，包含分离的第一取向金属层及第二取向金属层，且具有晶体取向性；第一导电型的第一氮化镓层，其设置在所述取向金属层之上；第二导电型的第二氮化镓层，其在所述取向金属层之上与所述第一氮化镓层连接，具有比所述第一氮化镓层高的导电性，且包含彼此相对的源极侧第二氮化镓层和漏极侧第二氮化镓层；栅电极，其与所述第一氮化镓层相对；和所述第一氮化镓层与所述栅电极之间的栅极绝缘层，将所述第一取向金属层与所述第二取向金属层分离的部分横穿所述源极侧第二氮化镓层与所述漏极侧第二氮化镓层之间。
7、本专利技术的一实施方式涉及的半导体装置具有：非晶质玻璃基板；取向金属层，其设置在所述非晶质玻璃基板之上，具有晶体取向性；取向绝缘层，其设置在所述取向金属层之上；第一导电型的第一氮化镓层，其设置在所述取向绝缘层之上；第二导电型的第二氮化镓层，其在所述取向绝缘层之上与所述第一氮化镓层连接，具有比所述第一氮化镓层高的导电性，且包含彼此相对的源极侧第二氮化镓层和漏极侧第二氮化镓层；栅电极，其与所述第一氮化镓层相对；和所述第一氮化镓层与所述栅电极之间的栅极绝缘层。
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【技术保护点】
1.半导体装置，其具有：
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，
3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，
4.半导体装置，其具有：
5.根据权利要求4所述的半导体装置，其中，
6.根据权利要求4所述的半导体装置，其中，
7.根据权利要求4所述的半导体装置，其中，
8.根据权利要求4所述的半导体装置，其中，
9.根据权利要求8所述的半导体装置，其中，
10.根据权利要求8所述的半导体装置，其中，
11.根据权利要求8所述的半导体装置，其还具有设置在所述栅电极与所述栅极绝缘层之间且具有比所述第二氮化镓层高的导电性的第三氮化镓层。
12.根据权利要求4所述的半导体装置，其中，
13.根据权利要求1所述的半导体装置，其还具有设置在所述取向金属层与所述非晶质玻璃基板之间的取向绝缘层。
14.半导体装置，其具有：
15.根据权利要求14所述的半导体装置，其中，
16.根据权利要求1～15中任一项所述的半导体装置，其中，
17.根据权利要求1～15中任一项所述的半导体装置，其中，
18.根据权利要求13～15中任一项所述的半导体装置，其中，
19.根据权利要求13～15中任一项所述的半导体装置，其中，
...
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.半导体装置，其具有：
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，
3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，
4.半导体装置，其具有：
5.根据权利要求4所述的半导体装置，其中，
6.根据权利要求4所述的半导体装置，其中，
7.根据权利要求4所述的半导体装置，其中，
8.根据权利要求4所述的半导体装置，其中，
9.根据权利要求8所述的半导体装置，其中，
10.根据权利要求8所述的半导体装置，其中，
11.根据权利要求8所述的半导体装置，其还具有设置在所述栅电极与所述栅极绝缘层之间且具有...
【专利技术属性】
技术研发人员：金城拓海，西村真澄，青木逸，
申请(专利权)人：株式会社日本显示器，
类型：发明
国别省市：
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