【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本公开涉及半导体设备和电子设备。
技术介绍
1、作为半导体设备,例如,具有在ptl 1中描述的结构的半导体设备是已知的,该结构包括半导体芯片和直接放置在构成半导体芯片的基板上的另一芯片。另一芯片可以为例如具有用于驱动半导体元件的驱动ic的芯片。
2、引文列表
3、[专利文献]
4、[ptl 1]
5、jp 2003-163368a
技术实现思路
1、[技术问题]
2、当另一芯片被放置在构成半导体芯片的基板上时,通过例如用于将另一芯片压接到半导体芯片上的方法,另一芯片电连接到半导体芯片上。在这一点上,即使在压接期间从另一芯片施加到半导体芯片的压力变化,也需要抑制半导体芯片和另一芯片之间的故障电连接。当构成另一芯片的基板具有不均匀的厚度时,压力可能变化。因此,即使构成另一芯片的基板具有不均匀的厚度,也需要抑制半导体芯片和另一芯片之间的故障电连接。
3、本公开是鉴于这种情况而设计的。本公开的目的是提供可以抑制包括半导体芯片和
...【技术保护点】
1.一种半导体设备,包括:第一芯片,第一芯片包括绝缘层和具有在绝缘层中形成的配线的多个配线层;和
2.根据权利要求1所述的半导体设备,还在第一芯片和第二芯片之间包括含有导电粒子的树脂膜,
3.根据权利要求2所述的半导体设备,其中,最上面的焊盘层和最下面的焊盘之间的垂直方向上的位置差等于或小于导电粒子的一半。
4.根据权利要求1所述的半导体设备,其中,在包括焊盘层的所述多个配线层之间,不存在不包括焊盘层的配线层。
5.根据权利要求1的半导体设备,其中,在包括焊盘层的所述多个配线层之间,存在不包括焊盘层的配线层。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种半导体设备,包括:第一芯片,第一芯片包括绝缘层和具有在绝缘层中形成的配线的多个配线层;和
2.根据权利要求1所述的半导体设备,还在第一芯片和第二芯片之间包括含有导电粒子的树脂膜,
3.根据权利要求2所述的半导体设备,其中,最上面的焊盘层和最下面的焊盘之间的垂直方向上的位置差等于或小于导电粒子的一半。
4.根据权利要求1所述的半导体设备,其中,在包括焊盘层的所述多个配线层之间,不存在不包括焊盘层的配线层。
5.根据权利要求1的半导体设备,其中,在包括焊盘层的所述多个配线层之间,存在不包括焊盘层的配线层。
6.根据权利要求1所述的半导体设备,其中,焊盘层中的至少一些隔着绝缘层在垂直方向上被依次放置,并且在垂直方向上放置的焊盘层形成将焊盘层相互电连接的焊盘结构。
7.根据权利要求1所述的半导体设备,其中,在不同配线层中形成的所述多个焊盘层的尺寸不同。
8.根据权利要求1所述的半导体设备,其中,多个第二芯片被安装在第一芯片上。
9.根据权利要求8所述的半导体设备,其中,对于第二芯片中的每一个形成连接结构,以及
...
【专利技术属性】
技术研发人员:田村一裕,
申请(专利权)人:索尼半导体解决方案公司,
类型:发明
国别省市:
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