【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本文提供的实施例一般涉及带电粒子光学设备、带电粒子装置和用于向样品投射带电粒子多射束的方法。
技术介绍
1、当制造半导体集成电路(ic)芯片时，作为例如光学效应和附带颗粒的结果，在制造工艺期间在衬底(即，晶片)或掩模上不可避免地出现不期望的图案缺陷，从而降低了产率。因此，监控不期望的图案缺陷的程度是ic芯片制造中的重要过程。更一般地，衬底或其它物体/材料的表面的检查和/或测量是其制造期间和/或之后的重要过程。
2、具有带电粒子射束的图案检查工具已经用于检查物体，例如用于检测图案缺陷。这些工具通常使用电子显微镜技术，诸如扫描电子显微镜(sem)。在sem中，具有相对高能量的电子的初级电子射束以最终减速步骤为目标，以便以相对低的着陆能量着陆在样品上。电子射束作为探测点聚焦在样品上。探测点处的材料结构与来自电子射束的着陆电子之间的相互作用使得电子从表面发射，诸如次级电子、背散射电子或俄歇电子。所产生的次级电子可以从样品的材料结构发射。通过在样品表面上扫描作为探测点的初级电子射束，可以横跨样品表面发射次级电子。通过从样品表面收集这些发射的次级电子，图案检查工具可以获得表示样品表面的材料结构的特征的图像。包括背散射电子和次级电子的电子射束的强度可以基于样品的内部和外部结构的性质而变化，从而可以指示样品是否具有缺陷。
3、当初级电子射束扫描样品时，由于大的射束电流，电荷可能累积在样品上，这可能影响图像的质量。材料结构可以用光照射和/或用电子泛射，以便改善缺陷检查期间的缺陷对比度。例如，为了调整样品上的累积电荷，可以采
4、附加地或备选地，可以提供用于用电子来泛射样品的泛射装置列。泛射装置列与将电子射束聚焦到样品上以用于检查的sem检查装置列分离。在泛射装置列和sem检查装置列之间的切换可能需要移动样品，使得样品的相同部分经历两个过程。移动可能是执行检查所花费的总时间的重要贡献者。
技术实现思路
1、本公开的目的是提供支持提高检查吞吐量的实施例，包括提高图像对比度以帮助缺陷检查。
2、根据本专利技术的第一方面，提供了一种用于带电粒子装置的带电粒子光学设备，该带电粒子装置被配置为向样品投射带电粒子多射束，该带电粒子光学设备包括：控制透镜阵列，其包括多个控制透镜，该多个控制透镜被配置为调整带电粒子多射束的相应子射束的带电粒子光学参数以用于由相应的下游物镜聚焦；射束成形孔径阵列，其在控制透镜阵列的下游，包括用于相应子射束的多个孔径；以及控制器，其被配置为控制控制透镜阵列，使得控制透镜选择性地(a)操纵相应子射束，使得相应子射束由射束成形孔径阵列的相应孔径成形，使得小于阈值电流的每个子射束的带电粒子通过射束成形孔径阵列的相应孔径，以及(b)操纵相应子射束，使得至少为阈值电流的子射束的至少一部分通过射束成形孔径阵列的相应孔径。
3、根据本专利技术的第二方面，提供了一种用于向样品投射带电粒子多射束的方法，方法包括：使用控制透镜阵列来操纵带电粒子多射束的相应子射束，该控制透镜阵列包括用于相应子射束的多个控制透镜；控制控制透镜阵列以操纵子射束，使得子射束由射束成形孔径阵列的相应孔径成形，使得小于阈值电流的每个子射束的带电粒子穿过射束成形孔径阵列的相应孔径，控制透镜阵列的下游包括用于相应子射束的多个孔径；以及控制控制透镜阵列以操纵子射束，使得至少为阈值电流的子射束的至少一部分通过射束成形孔径阵列的相应孔径。
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1.一种用于带电粒子装置的带电粒子光学设备，所述带电粒子装置被配置为向样品投射带电粒子多射束，所述带电粒子光学设备包括：
2.根据权利要求1所述的带电粒子光学设备，包括：
3.根据权利要求2所述的带电粒子光学设备，其中所述射束成形孔径阵列与所述物镜阵列相关联。
4.根据权利要求2或3所述的带电粒子光学设备，其中所述射束成形孔径阵列在所述物镜阵列的下游。
5.根据权利要求2至4中任一项所述的带电粒子光学设备，其中所述控制透镜阵列与所述物镜阵列相关联。
6.根据前述权利要求中任一项所述的带电粒子光学设备，其中所述控制器被配置为控制所述控制透镜，以将所述相应子射束聚焦到所述控制透镜阵列的下游的相应中间焦点。
7.根据权利要求6所述的带电粒子光学设备，其中所述中间焦点位于所述控制透镜阵列和所述样品之间。
8.根据前述权利要求中任一项所述的带电粒子光学设备，其中所述控制器被配置为控制所述控制透镜以聚焦所述相应子射束，以减小所述子射束在所述射束成形孔径阵列处的横截面，使得个体射束的横截面小于所述射束成形孔径阵
9.根据前述权利要求中任一项所述的带电粒子光学设备，包括：
10.根据权利要求9所述的带电粒子光学设备，其中所述检测器元件与所述带电粒子多射束的相应子射束相关联。
11.根据权利要求10所述的带电粒子光学设备，其中所述检测器阵列的至少一部分位于所述控制透镜阵列和所述样品之间。
12.根据前述权利要求中任一项所述的带电粒子光学设备，其中所述控制器被配置为使得：当所述控制透镜选择性地操纵所述相应子射束，使得至少为所述阈值电流的所述子射束的每个子射束通过所述射束成形孔径阵列的所述相应孔径时，每个所述子射束的基本上全部通过所述射束成形孔径阵列的所述相应孔径。
13.根据前述权利要求中任一项所述的带电粒子光学设备，其中所述射束成形孔径阵列的所述孔径在尺寸上小于所述控制透镜阵列的所述相应孔径。
14.根据前述权利要求中任一项所述的带电粒子光学设备，包括子射束形成阵列，所述子射束形成阵列被配置为将带电粒子射束分成包括所述子射束的所述带电粒子多射束。
15.根据前述权利要求中任一项所述的带电粒子光学设备，其中所述阈值电流是泛射阈值。
...【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种用于带电粒子装置的带电粒子光学设备，所述带电粒子装置被配置为向样品投射带电粒子多射束，所述带电粒子光学设备包括：
2.根据权利要求1所述的带电粒子光学设备，包括：
3.根据权利要求2所述的带电粒子光学设备，其中所述射束成形孔径阵列与所述物镜阵列相关联。
4.根据权利要求2或3所述的带电粒子光学设备，其中所述射束成形孔径阵列在所述物镜阵列的下游。
5.根据权利要求2至4中任一项所述的带电粒子光学设备，其中所述控制透镜阵列与所述物镜阵列相关联。
6.根据前述权利要求中任一项所述的带电粒子光学设备，其中所述控制器被配置为控制所述控制透镜，以将所述相应子射束聚焦到所述控制透镜阵列的下游的相应中间焦点。
7.根据权利要求6所述的带电粒子光学设备，其中所述中间焦点位于所述控制透镜阵列和所述样品之间。
8.根据前述权利要求中任一项所述的带电粒子光学设备，其中所述控制器被配置为控制所述控制透镜以聚焦所述相应子射束，以减小所述子射束在所述射束成形孔径阵列处的横截面，使得个体射束的横截面小于所述射束成形孔径阵列的相应的所述射束成形孔径的横...
【专利技术属性】
技术研发人员：E·斯洛特，
申请(专利权)人：ASML荷兰有限公司，
类型：发明
国别省市：
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