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能够提供使用了氮化镓层的半导体装置。半导体装置具有：非晶质玻璃基板；取向金属层，其设置在所述非晶质玻璃基板之上，且具有晶体取向性；第一导电型的第一氮化镓层，其设置在所述取向金属层之上；第二导电型的第二氮化镓层，其在所述第一氮化镓层之上与所述...
该专利属于株式会社日本显示器所有，仅供学习研究参考，未经过株式会社日本显示器授权不得商用。

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