【技术实现步骤摘要】
一种四氯化锗生产用金属回收装置
本专利技术涉及半导体
,特别是指一种四氯化锗生产用金属回收装置。
技术介绍
锗是一种重要的稀有金属,是除硅以外最重要的半导体材料,锗系产品广泛应用于半导体工业,航天航空,光迁通讯,化学催化剂,太阳能电池等领域。锗分散于很多种矿物及岩石中,但其含量不足以直接从矿物中提取,因此锗的生产包括锗精矿制备、锗的提取、锗提纯三个阶段。目前锗的来源主要通过锗褐煤的火法冶炼提取,或是来自重金属冶炼过程中的副产物。高纯四氯化锗产品是生产高品级石英系光纤不可缺少的关键原料,其用途是提高光纤的折射指数,降低光损耗,进而提高光纤的传输距离。由于高纯四氯化锗的金属及含氢杂质含量和分布决定着光纤的重要性能指标,其质量直接影响着光纤的质量。因此,对高纯四氯化锗中金属杂质(Fe、Co、Cr、Mn、Cu等)和含氢杂质(OH、CH、HCl)的含量要求极低。目前广泛应用的高纯四氯化锗精馏工艺,不能很好地去除金属杂质(Fe、Co、Cr、Mn、Cu等),因此,有必要对其做进一步的研究和改进。
技术实现思路
本专利技术的目的是为了解决上述
技术介绍
中所提到的问题,提供了一种操作简单,回收效率高的四氯化锗生产用金属回收装置。为了实现上述目的,本专利技术的技术方案如下:一种四氯化锗生产用金属回收装置,包括反应室、冷凝室和回收室,所述反应室顶部设有排气管,所述反应室底部设有出液管,所述排气管和所述冷凝室连接,所述出液管和所述回收室连接,所述冷凝室和所述回收室连接,所述回收室内设置有第一吸附柱和第二吸附柱,所述第一吸附柱上缠绕有第一传料管,所述第二吸附柱上缠绕有第二传料管,所 ...
【技术保护点】
一种四氯化锗生产用金属回收装置,其特征在于:包括反应室、冷凝室和回收室,所述反应室顶部设有排气管,所述反应室底部设有出液管,所述排气管和所述冷凝室连接,所述出液管和所述回收室连接,所述冷凝室和所述回收室连接,所述回收室内设置有第一吸附柱和第二吸附柱,所述第一吸附柱上缠绕有第一传料管,所述第二吸附柱上缠绕有第二传料管,所述第一传料管一端通过第一连接管和所述冷凝室连接,另一端通过第二连接管和所述冷凝室连接,所述第二传料管一端通过第三连接管和所述出液管连接,所述第二传料管另一端通过第四连接管和所述出液管连接。
【技术特征摘要】
1.一种四氯化锗生产用金属回收装置,其特征在于:包括反应室、冷凝室和回收室,所述反应室顶部设有排气管,所述反应室底部设有出液管,所述排气管和所述冷凝室连接,所述出液管和所述回收室连接,所述冷凝室和所述回收室连接,所述回收室内设置有第一吸附柱和第二吸附柱,所述第一吸附柱上缠绕有第一传料管,所述第二吸附柱上缠绕有第二传料管,所述第一传料管一端通过第一连接管和所述冷凝室连接,另一端通过第二连接管和所述冷凝室连接,所述第二传料管一端通过第三连接管和所述出液管连接,所述第二传料管...
【专利技术属性】
技术研发人员:陈建国,
申请(专利权)人:衡阳恒荣高纯半导体材料有限公司,
类型:发明
国别省市:湖南,43
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