一种四氯化锗生产用金属回收装置制造方法及图纸

技术编号:15517831 阅读:95 留言:0更新日期:2017-06-04 08:17
本发明专利技术公开了一种四氯化锗生产用金属回收装置,包括反应室、冷凝室和回收室,所述反应室顶部设有排气管,所述反应室底部设有出液管,所述排气管和所述冷凝室连接,所述出液管和所述回收室连接,所述冷凝室和所述回收室连接,所述回收室内设置有第一吸附柱和第二吸附柱,所述第一吸附柱上缠绕有第一传料管,所述第二吸附柱上缠绕有第二传料管,所述第一传料管一端通过第一连接管和所述冷凝室连接,另一端通过第二连接管和所述冷凝室连接,所述第二传料管一端通过第三连接管和所述出液管连接,所述第二传料管另一端通过第四连接管和所述出液管连接。本发明专利技术提供的四氯化锗生产用金属回收装置,操作简单,回收效率高。

【技术实现步骤摘要】
一种四氯化锗生产用金属回收装置
本专利技术涉及半导体
,特别是指一种四氯化锗生产用金属回收装置。
技术介绍
锗是一种重要的稀有金属,是除硅以外最重要的半导体材料,锗系产品广泛应用于半导体工业,航天航空,光迁通讯,化学催化剂,太阳能电池等领域。锗分散于很多种矿物及岩石中,但其含量不足以直接从矿物中提取,因此锗的生产包括锗精矿制备、锗的提取、锗提纯三个阶段。目前锗的来源主要通过锗褐煤的火法冶炼提取,或是来自重金属冶炼过程中的副产物。高纯四氯化锗产品是生产高品级石英系光纤不可缺少的关键原料,其用途是提高光纤的折射指数,降低光损耗,进而提高光纤的传输距离。由于高纯四氯化锗的金属及含氢杂质含量和分布决定着光纤的重要性能指标,其质量直接影响着光纤的质量。因此,对高纯四氯化锗中金属杂质(Fe、Co、Cr、Mn、Cu等)和含氢杂质(OH、CH、HCl)的含量要求极低。目前广泛应用的高纯四氯化锗精馏工艺,不能很好地去除金属杂质(Fe、Co、Cr、Mn、Cu等),因此,有必要对其做进一步的研究和改进。
技术实现思路
本专利技术的目的是为了解决上述
技术介绍
中所提到的问题,提供了一种操作简单,回收效率高的四氯化锗生产用金属回收装置。为了实现上述目的,本专利技术的技术方案如下:一种四氯化锗生产用金属回收装置,包括反应室、冷凝室和回收室,所述反应室顶部设有排气管,所述反应室底部设有出液管,所述排气管和所述冷凝室连接,所述出液管和所述回收室连接,所述冷凝室和所述回收室连接,所述回收室内设置有第一吸附柱和第二吸附柱,所述第一吸附柱上缠绕有第一传料管,所述第二吸附柱上缠绕有第二传料管,所述第一传料管一端通过第一连接管和所述冷凝室连接,另一端通过第二连接管和所述冷凝室连接,所述第二传料管一端通过第三连接管和所述出液管连接,所述第二传料管另一端通过第四连接管和所述出液管连接。优选的,所述第一连接管上设置有液压泵。优选的,所述第一传料管呈螺旋状缠绕在所述第一吸附柱的周围。优选的,所述第二传料管呈螺旋状缠绕在所述第二吸附柱的周围。优选的,所述第一吸附柱和所述第二吸附柱内均设置有磁性吸附液。与现有技术相比,本专利技术提供的四氯化锗生产用金属回收装置,操作简单,回收效率高。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例的技术方案,下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动性的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为本实施例中的结构示意图。具体实施方式下面将结合本专利技术实施例中的附图,对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例,本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本专利技术保护的范围。具体实施例:结合图1所示的一种四氯化锗生产用金属回收装置,包括反应室1、冷凝室7和回收室10,反应室1顶部设有排气管6,反应室1底部设有出液管2,排气管6和冷凝室7连接,出液管2和回收室10连接,冷凝室7和回收室10连接,回收室10内设置有第一吸附柱3和第二吸附柱4,第一吸附柱3上缠绕有第一传料管5,第二吸附柱4上缠绕有第二传料管11,第一传料管5一端通过第一连接管8和冷凝室7连接,另一端通过第二连接管12和冷凝室7连接,第二传料管11一端通过第三连接管13和出液管2连接,第二传料管11另一端通过第四连接管14和出液管2连接。本实施例中,第一连接管8上设置有液压泵9。本实施例中,第一传料管5呈螺旋状缠绕在第一吸附柱3的周围。本实施例中,第二传料管11呈螺旋状缠绕在第二吸附柱4的周围。本实施例中,第一吸附柱3和第二吸附柱4内均设置有磁性吸附液。本实施例中,反应室1内反应后的气体从排气管6排出,进入冷凝室7冷凝后进入第一连接管8和第二连接管12,进入第一吸附柱3被吸附,出液管2排出的液体进入第三连接管13和第四连接管14,进入第二吸附柱4被吸附,将金属进行回收,第一吸附柱3和第二吸附柱4内均设置有可以吸附金属的磁性吸附液,吸附效果好,回收效率高。以上所述仅为本专利技术的较佳实施例,并不用以限制本专利技术,凡在本专利技术的保护范围内所作的任何修改、等同替换等,均应包含在本专利技术的保护范围之内。本文档来自技高网...
一种四氯化锗生产用金属回收装置

【技术保护点】
一种四氯化锗生产用金属回收装置,其特征在于:包括反应室、冷凝室和回收室,所述反应室顶部设有排气管,所述反应室底部设有出液管,所述排气管和所述冷凝室连接,所述出液管和所述回收室连接,所述冷凝室和所述回收室连接,所述回收室内设置有第一吸附柱和第二吸附柱,所述第一吸附柱上缠绕有第一传料管,所述第二吸附柱上缠绕有第二传料管,所述第一传料管一端通过第一连接管和所述冷凝室连接,另一端通过第二连接管和所述冷凝室连接,所述第二传料管一端通过第三连接管和所述出液管连接,所述第二传料管另一端通过第四连接管和所述出液管连接。

【技术特征摘要】
1.一种四氯化锗生产用金属回收装置,其特征在于:包括反应室、冷凝室和回收室,所述反应室顶部设有排气管,所述反应室底部设有出液管,所述排气管和所述冷凝室连接,所述出液管和所述回收室连接,所述冷凝室和所述回收室连接,所述回收室内设置有第一吸附柱和第二吸附柱,所述第一吸附柱上缠绕有第一传料管,所述第二吸附柱上缠绕有第二传料管,所述第一传料管一端通过第一连接管和所述冷凝室连接,另一端通过第二连接管和所述冷凝室连接,所述第二传料管一端通过第三连接管和所述出液管连接,所述第二传料管...

【专利技术属性】
技术研发人员:陈建国
申请(专利权)人:衡阳恒荣高纯半导体材料有限公司
类型:发明
国别省市:湖南,43

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