石斛育苗方法技术

本发明专利技术公开一种石斛育苗方法，该方法包括：a、将带节的石斛茎段在培养基中培养，诱导腋芽；b、待腋芽生长高度超过1cm时，将芽点切除，诱导丛生芽；c、待众生芽生长达到1cm～2cm时，切割丛生芽，丛生芽进行增值及生根培养，并将切割完丛生芽的原茎段继续在培养基中培养，诱导愈伤组织；d、当愈伤组织形成后，将愈伤组织切割并转入培养基中继续培养，诱导丛生芽；e、将丛生芽转入培养基中增殖培养；f、当丛生芽生长高度达到2cm～3cm时，将其转入培养基中进行生根培养。本发明专利技术的技术方案可以有效的增加扩繁数量，从而能生产出大量优质的石斛苗。

Seedling raising method of Dendrobium

The invention discloses a method for breeding of Dendrobium, the method comprises the following steps: Dendrobium section a, will take section of the axillary induction medium, B, to the growth of axillary buds; height of more than 1cm, the bud removal, bud induction; C, all bud growth reached 1cm ~ 2cm, cutting plexus bud, bud and rooting were added, and the original cutting stems buds to medium, callus induction; D, when the callus formation, callus and cutting into the basal medium, bud induction; E, will shoot into the culture the proliferation of medium; F, when the bud growth reaches a height of 2cm ~ 3cm, transferred into culture medium for rooting culture. The technical scheme of the invention can effectively increase the propagation quantity, which can produce a large number of high-quality Dendrobium seedlings.

【技术实现步骤摘要】
石斛育苗方法
本专利技术涉及组织培养
，特别涉及一种石斛育苗方法。
技术介绍
石斛在我国是一大类传统名贵中药材，传统上既可做药用，又可作保健品用，同时，从很久以前开始到现在还一直被作为一种高档汤料(食品)使用，目前石斛传统的药用和保健功能已得到人们的高度认同与喜爱。由于石斛在自然条件下需要和真菌共生提供营养才能萌发，且萌发率极低，野生石斛喜阴凉，湿润，通风多雾的气候环境，对生长环境极为苛刻，遇强光、暴雨、寒潮、干旱即会死亡，是一种生长缓慢，自身繁殖能力非常低的兰科附身植物，由于石斛具有巨大的药用和保健价值，导致长期掠夺性采挖，再加上生存环境越来越恶劣，致使野生资源严重枯竭。现如今石斛繁殖技术有种子萌发，扦插、分株繁殖，组织培养，其中种子萌发萌发率极低，扦插、分株繁殖繁殖速度也很慢。组织快繁技术是一种有效提高种苗生产效率的方法，运用组织培养进行石斛的培育能大大提高石斛的繁殖效率。目前生产上大多采用愈伤组织诱导来进行扩繁，但都是在激素配比上进行调试，然而，激素配比调试难以满足石斛所需最佳条件，从而导致出芽率较低。
技术实现思路
本专利技术的主要目的是提出一种石斛育苗方法，旨在提高石斛育苗的出芽率。为实现上述目的，本专利技术提出一种石斛育苗方法，包括以下步骤：a、将带节的石斛茎段在培养基中培养，诱导腋芽；b、待腋芽生长高度超过1cm时，将芽点切除，诱导丛生芽；c、待众生芽生长达到1cm～2cm时，切割丛生芽，丛生芽进行增值及生根培养，并将切割完丛生芽的原茎段继续在培养基中培养，诱导愈伤组织；d、当愈伤组织形成后，将愈伤组织切割并转入培养基中继续培养，诱导丛生芽；e、将丛生芽转入培养基中增殖培养；f、当丛生芽生长高度达到2cm～3cm时，将其转入培养基中进行生根培养。优选的，上述步骤b还包括：在切除芽点时，保留0.1cm～0.5cm的芽点在茎段上。优选的，上述步骤b还包括：在切除芽点后，对保留的芽点的切面上进行纵切。优选的，步骤a中选取的茎段为石斛的靠近根部的茎段。优选的，上述步骤a还包括：在培养基培养之前，对茎段进行消毒、杀菌处理。优选的，对步骤a中培养基的配方为：MS，NAA：0.4mg/L～0.6mg/L，碳粉：0.2～1.0g/L，6-BA：1.0mg/L～2.0mg/L，KT：0.2mg/L～0.4mg/L，香蕉：10g/L～25g/L。优选的，对步骤c中培养基的配方为：1/2MS培养基，花宝4号：1.0～2.0g/L，香蕉：40g/L～60g/L，碳粉0.2g/L～1.0g/L，NAA：0.3mg/L～0.4mg/L，6-BA：0mg/L～2.0mg/L，KT：0.1mg/L～0.3mg/L，碳粉：0.2～1.0g/L。优选的，步骤d中培养基的配方为：1/2MS培养基，花宝4号：1.0～2.0g/L，香蕉：40g/L～60g/L，碳粉0.2g/L～1.0g/L，NAA：1.0mg/L～1.2mg/L，6-BA：1.5mg/L～1.7mg/L。优选的，步骤e中培养基的配方为：1/2MS培养基，香蕉：100g/L～120g/L，碳粉0.2g/L～1.0g/L，NAA：0.5mg/L～1.5mg/L，IBA：0.5mg/L～1.0mg/L。本专利技术的技术方案通过芽点切割以打破顶端优势，促进萌发更多的丛生芽，缩短培养周期，并通过丛生芽的切割，以促进诱导愈伤组织的形成，利用愈伤组织进行扩繁，可以有效的增加扩繁数量，从而能生产出大量优质的石斛苗。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图示出的结构获得其他的附图。图1为霍山石斛增殖培养约60d后的分蘖数；图2为霍山石斛增殖培养60d后的生长值；图3为霍山石斛通过土豆处理后的生根培养株高图；图4为霍山石斛通过土豆处理后的生根培养茎粗图；图5为霍山石斛通过土豆处理后的生根培养根数图；图6为霍山石斛通过土豆处理后的生根培养根粗图；图7为霍山石斛通过香蕉处理后的生根培养株高图；图8为霍山石斛通过香蕉处理后的生根培养茎粗图；图9为霍山石斛通过香蕉处理后的生根培养根数图；图10为霍山石斛通过香蕉处理后的生根培养根粗图。本专利技术目的的实现、功能特点及优点将结合实施例，参照附图做进一步说明。具体实施方式下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。需要说明，若本专利技术实施例中有涉及方向性指示(诸如上、下、左、右、前、后……)，则该方向性指示仅用于解释在某一特定姿态(如附图所示)下各部件之间的相对位置关系、运动情况等，如果该特定姿态发生改变时，则该方向性指示也相应地随之改变。另外，若本专利技术实施例中有涉及“第一”、“第二”等的描述，则该“第一”、“第二”等的描述仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示其相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。另外，各个实施例之间的技术方案可以相互结合，但是必须是以本领域普通技术人员能够实现为基础，当技术方案的结合出现相互矛盾或无法实现时应当认为这种技术方案的结合不存在，也不在本专利技术要求的保护范围之内。本专利技术提出一种石斛育苗方法。在本专利技术实施例中，石斛育苗方法包括以下步骤：a、将带节的石斛茎段在培养基中培养，诱导腋芽。选择粗壮，胶质含量高，无病虫害的霍山石斛植株，去除叶片，洗洁精清洗干净，流水冲洗大约1小时，蒸馏水清洗干净，在超净工作台上用70％酒精搽拭干净，去除叶鞘，并将石斛鲜条切成大约1.5cm的带节茎段。然后通过大约0.1％升汞浸泡5min-8min，再用10％左右的次氯酸钠溶液消毒8min，用无菌水冲洗5-6次。最后将茎段平放接种于培养基中培养大约15天。b、待腋芽生长高度超过1cm时，将芽点切除，诱导丛生芽。在步骤a中，茎段经过15天培养，节点处长出高约1cm的奶绿色芽点，此时进行切割芽点。具体操作如下：①、用刀片将芽点割下，也就是去除顶芽，除去顶端优势；而后将其接种到培养基中。需要说明的是，在切割时，不能将芽点完全割完，应保留约0.1cm～0.5cm左右的芽点在茎段上，例如包括0.3cm。为了验证芽点保留长度与丛生芽的数量的关系，实验数表如下：芽点保留长度(cm)30个茎段，15d后丛生芽平均数量00.20.14.60.25.60.35.50.45.30.54.90.63.50.72.7由此，可见，当芽点保留长度在0.1～0.5cm时，丛生芽的数量最多。当芽点全部被切除后，几乎没有丛生芽。当芽点保留长度超过0.6cm时，显然丛生芽的数量较少，诱导效果不明显。②、用刀片在保留的芽点的切面上纵切一刀，以增加切口面积，提高愈伤组织成功率。而后继续放入原培养基中培养约25天。c、待众生芽生长达到1cm～2cm时，切割丛生芽，并将切割完丛生芽的原茎段继续在培本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种石斛育苗方法，其特征在于，包括以下步骤：a、将带节的石斛茎段在培养基中培养，诱导腋芽；b、待腋芽生长高度超过1cm时，将芽点切除，诱导丛生芽；c、待众生芽生长达到1cm～2cm时，切割丛生芽，丛生芽进行增值及生根培养，并将切割完丛生芽的原茎段放入培养基中培养，诱导愈伤组织；d、当愈伤组织形成后，将愈伤组织切割并转入培养基中继续培养，诱导丛生芽；e、将丛生芽转入培养基中增殖培养；f、当丛生芽生长高度达到2cm～3cm时，将其转入培养基中进行生根培养。

【技术特征摘要】
1.一种石斛育苗方法，其特征在于，包括以下步骤：a、将带节的石斛茎段在培养基中培养，诱导腋芽；b、待腋芽生长高度超过1cm时，将芽点切除，诱导丛生芽；c、待众生芽生长达到1cm～2cm时，切割丛生芽，丛生芽进行增值及生根培养，并将切割完丛生芽的原茎段放入培养基中培养，诱导愈伤组织；d、当愈伤组织形成后，将愈伤组织切割并转入培养基中继续培养，诱导丛生芽；e、将丛生芽转入培养基中增殖培养；f、当丛生芽生长高度达到2cm～3cm时，将其转入培养基中进行生根培养。2.如权利要求1所述的石斛育苗方法，其特征在于，上述步骤b还包括：在切除芽点时，保留0.1cm～0.5cm的芽点在茎段上。3.如权利要求2所述的石斛育苗方法，其特征在于，上述步骤b还包括：在切除芽点后，对保留的芽点的切面上进行纵切。4.如权利要求1所述的石斛育苗方法，其特征在于，步骤a中选取的茎段为石斛的靠近根部的茎段。5.如权利要求1所述的石斛育苗方法，其特征在于，上述步骤a还包括：在培养基培养之前，对茎段进行消毒、杀菌处理。6.如权利要求1所述的石斛育苗方法，其特征在于，对步骤a中培养基的配方为：MS，NAA：0.4mg/L～0...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈文，敖静，张云霞，
申请(专利权)人：深圳市华盛实业股份有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44