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本发明公开一种石斛育苗方法，该方法包括：a、将带节的石斛茎段在培养基中培养，诱导腋芽；b、待腋芽生长高度超过1cm时，将芽点切除，诱导丛生芽；c、待众生芽生长达到1cm～2cm时，切割丛生芽，丛生芽进行增值及生根培养，并将切割完丛生芽的原茎...该专利属于深圳市华盛实业股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过深圳市华盛实业股份有限公司授权不得商用。
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本发明公开一种石斛育苗方法，该方法包括：a、将带节的石斛茎段在培养基中培养，诱导腋芽；b、待腋芽生长高度超过1cm时，将芽点切除，诱导丛生芽；c、待众生芽生长达到1cm～2cm时，切割丛生芽，丛生芽进行增值及生根培养，并将切割完丛生芽的原茎...