正弦逆变器IGBT结温波动计算方法技术

本发明专利技术涉及一种正弦逆变器IGBT结温波动计算方法，其特征是，包括以下步骤：（1）结合正弦逆变器，根据正弦逆变器输出电流、母线电压计算出IGBT和FRD的导通损耗P

Method for calculating junction temperature fluctuation of sinusoidal inverter IGBT

The invention relates to a sinusoidal inverter IGBT junction temperature fluctuation calculation method, and is characterized in comprising the following steps: (1) combined with sinusoidal inverter based on sine inverter output current and bus voltage to calculate IGBT and FRD conduction loss P

【技术实现步骤摘要】
正弦逆变器IGBT结温波动计算方法
本专利技术涉及一种正弦逆变器IGBT结温波动计算方法。
技术介绍
在电力电子电路中IGBT和二极管作为开关工作，不断地转换各种静态和动态循环的状态。在这种情况下就会产生功耗或者能量成分的损失，它们构成了半导体元件的总损耗，并使功率半导体元件升温。通过适当功率半导体的设计以及增加冷却装置，就能使半导体换流器在它最高允许的结层温度内安全运行。但是功率器件的结层温度往往是难以通过实际测量得到，这给设计人员带来了极大的困惑。设计人员通过计算额定电流来设计相应的变换器，选择相应的功率器件，但是对于是否超过IGBT结温Tj(max)或者电流在交变的情况下，结温的波动幅值，我们往往难以知道。在开发初始阶段，设计人员往往是通过如图1所示线性计算的方法来预估结层温度，但是对于真正的结层温度难以真实的还原，这给设计带来了很大的误区，也给设计的换流器带来了隐患。
技术实现思路
本专利技术的目的是克服现有技术中存在的不足，提供一种正弦逆变器IGBT结温波动计算方法，准确计算结层温度和结温波动，使得在开发的初始阶段，就能够根据所选取的功率器件知道相应的结温和结温波动。按照本专利本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种正弦逆变器IGBT结温波动计算方法，其特征是，包括以下步骤：(1)结合正弦逆变器，根据正弦逆变器输出电流、母线电压计算出IGBT和FRD的导通损耗P

【技术特征摘要】
1.一种正弦逆变器IGBT结温波动计算方法，其特征是，包括以下步骤：(1)结合正弦逆变器，根据正弦逆变器输出电流、母线电压计算出IGBT和FRD的导通损耗Pcond和开关损耗PSW，总损耗Ptotal＝Psw+Pcond；(2)根据IGBT热阻测试结果，将热阻等效为局部网络热模型；(3)将损耗到局部网络热模型进行迭代，求出相应条件下的正弦逆变器的功率器件(IGBT)的最大结温和平均结温。2.如权利要求1所述的正弦逆变器IGBT结温波动计算方法，其特征是：所述IGBT的导通损耗Pcond(T)和开关损耗PSW(T)如下：其中，m为调制比，根据厂商提供的数据手册获得；为电压与电流的相角；VCE0(Tj)为IGBT的饱和压降，根据厂商提供的数据手册获得；I1为输出电流，即图2中的Iout；rCE为通态等效内阻；fSW为开关频率；Eon+off为开关损耗的能量；Iref为给定电流；Vcc为母线电压；Vref为给定电压；Kv为开关损耗电压关系的指数参数，一般为1.3～1.4；TCESW为开关损耗的温度系，一般为0.003；Tj为IGBT的设计结温；Tref为IGBT的希望结温；FRD的导通损耗Pcond(D)和开关损耗PSW(D)如下：

【专利技术属性】
技术研发人员：程炜涛，李发宝，王海军，叶甜春，
申请(专利权)人：江苏中科君芯科技有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32