无损式自清洁硅片插片装置制造方法及图纸

本发明专利技术涉及太阳能电池片生产制造技术领域，尤其是一种无损式自清洁硅片插片装置，底座上通过立柱固定有层板，层板上通过侧板固定有平台，小花篮开口端的左右两侧端面均嵌入有条形铁片，小花篮的开口端盖设有托板，托板的左右两侧均设置有用于与条形铁片吸附的第一磁铁，托板的下表面设置有第二磁铁，大花篮的底面具有与托板相匹配的缺口，通过将小花篮中的硅片随托板一并下降至大花篮中，喷出管上气孔喷出的气流对硅片具有一个向上的托力，降低了硅片落在大花篮底部时的冲击力，避免硅片的边缘发生损坏，同时向上喷出的气流可以将硅片表面的灰尘吹拂，保证硅片的洁净度，避免下道工艺之前还需对硅片进行清洁，还提高了硅片的插片效率。

Non destructive self-cleaning silicon chip insertion device

The present invention relates to a solar cell manufacturing technology field, especially for nondestructive self cleaning wafer insert device, the base is fixed by the column plate by plate fixation plate, a platform, a bar of iron on both sides of the open end of the small one end is embedded, small one open end cover is provided with a pallet, pallet the left and right sides are provided for the first magnet and bar iron adsorption, under the surface of the support plate is provided with second magnets, big basket bottom is matched with the plate gap, the silicon wafer basket with small splint together down to the big basket in the air ejected ejection tube with holes to a the uplift force on the silicon wafer, reduces the impact of falling in the bottom of the basket when the silicon wafer edge, to avoid damage, at the same time to air a silicon wafer table can be The surface dust blows to ensure the cleanliness of the silicon chip, and the silicon wafer needs cleaning before the next process is realized, and the chip insertion efficiency of the silicon wafer is also improved.

【技术实现步骤摘要】
无损式自清洁硅片插片装置
本专利技术涉及太阳能电池片生产制造
，尤其是一种无损式自清洁硅片插片装置。
技术介绍
目前太阳能电池制造工艺中，会用到不同的花篮，工艺流程涉及不同花篮之间的转换，目前两种花篮中硅片的转移通过人工插片或自动化插片，其中，人工插片的效率低，容易造成硅片的污染；自动化插片机其主要通过气缸将小花篮中的硅片推动至大花篮中，由于硅片容易发生损坏，自动化插片机在将小花篮中的硅片转移至大花篮时，有两个过程容易导致硅片容易损坏，其中一个为：在气缸上的推板接触小花篮中的硅片时，容易将硅片磕坏，导致硅片的边缘弯曲、产生缺角或裂纹等；另一个为：在硅片进入大花篮时，由于硅片具有一定的速度，其必须与大花篮的底面产生碰撞才能停止，在此过程中硅片的边缘更易产生较为严重的弯曲、缺角或裂纹等现象。
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题是：为了解决现有技术中插片机在将小花篮中的硅片转移至大花篮中时，主要采用推动硅片的方式实现硅片的转移，容易将硅片损坏的问题，现提供一种无损式自清洁硅片插片装置。本专利技术解决其技术问题所采用的技术方案是：一种无损式自清洁硅片插片装置，包括用于承载相同硅片的大花篮和小花篮，大花篮和小花篮均具有开口向上的容纳腔，容纳腔内均等间隔分布有若干用于插设硅片的插槽，大花篮中相邻两个插槽的间距与小花篮中相邻两个插槽的间距相等，还包括底座，所述底座上通过立柱固定有层板，所述层板上通过侧板固定有平台，所述平台上开设有与所述小花篮相匹配的第一通孔，所述层板上开设有与第一通孔相匹配的第二通孔，所述第二通孔位于第一通孔的正下方，所述小花篮开口端的前后两侧分别向外延伸有侧翼，小花篮前后两端的侧翼分别支撑在平台上位于第一通孔的两侧，所述小花篮开口端的左右两侧端面均嵌入有条形铁片，所述小花篮的开口端盖设有托板，所述托板的左右两侧均设置有用于与条形铁片吸附的第一磁铁，所述托板的下表面设置有第二磁铁，所述大花篮的底面具有与托板相匹配的缺口；所述层板的上表面固定有推动气缸，所述推动气缸的伸出端与滑座固定连接，所述滑座滑动设置在层板的上表面，所述滑座上开设有与大花篮相匹配的定位槽，所述定位槽的底面开设有第三通孔，定位槽与第三通孔之间形成台阶面；所述底座上固定有伸出端朝上的顶升气缸，所述顶升气缸的伸出端上固定有托杆，所述托杆依次穿过第二通孔、第三通孔及第一通孔，所述托杆的顶端固定有用于与第二磁铁吸附的第三磁铁，所述第二磁铁与第三磁铁之间的吸附力大于第一磁铁与条形铁片之间的吸附力；所述层板的下方设置有气泵，所述气泵的出气端连接有喷出管，所述喷出管位于第二通孔的正下方，所述喷出管的侧壁上沿其轴向方向等间隔分布有若干气孔，所述气孔的轴线与托杆的轴线平行。本方案中在满载硅片的小花篮上盖设托板，托板通过第一磁铁与条形铁片的吸附固定在小花篮上，然后将小花篮翻转，使得小花篮的开口朝下，由托板托住小花篮中的硅片，然后将小花篮倒放在平台上，小花篮通过侧翼支撑在平台上，小花篮的开口与平台上的第一通孔正对，然后将大花篮呈开口朝上放置在滑座的定位槽中定位，启动推动气缸推动滑座在层板上移动使得小花篮中的插槽与大花篮的插槽一一对应，然后启动顶升气缸上升，直到托杆上的第三磁铁与托板上的第二磁铁吸附，然后启动顶升气缸下降，同时启动气泵，喷出管通过气孔向上喷出气流，由于第二磁铁与第三磁铁之间的吸附力大于第一磁铁与条形铁片之间的吸附力，因此，托板会随着托杆下降，同时小花篮中的硅片失去支撑在自重下随着托板一并下降，喷出管上气孔喷出的气流对硅片具有一个向上的托力，降低了硅片落在大花篮底部时的冲击力，避免硅片的边缘发生损坏，同时向上喷出的气流可以将硅片表面的灰尘吹拂，保证硅片的洁净度，避免下道工艺之前还需对硅片进行清洁。进一步地，所述平台上设置有用于夹持小花篮的夹持装置，所述夹持装置包括左固定板、左活动板及右固定板，所述左活动板与平台滑动连接，所述右固定板与平台固定连接，所述左固定板固定在平台上位于左活动板右侧的部位，所述左固定板与左活动板之间设置有弹簧，所述左活动板和右固定板分别位于第一通孔的左右两侧，将小花篮放置在左活动板与右固定板之间，在弹簧的作用下，左活动板和右固定板将小花篮夹紧，防止气流吹动时，小花篮在平台上的位置发生偏离。进一步地，所述滑座上设置有定位座，所述定位座上开设有销孔，所述销孔内滑动设置有定位销，所述大花篮的侧面开设有与定位销相匹配的定位孔，所述定位销的轴线与推动气缸的轴线平行，大花篮放置在滑座的定位槽，配合将定位销插入大花篮侧面的定位孔中，将大花篮固定在滑座上，防止气流吹动时，大花篮在滑座上的位置发生偏离。本专利技术的有益效果是：本专利技术无损式自清洁硅片插片装置通过将小花篮中的硅片随托板一并下降至大花篮中，喷出管上气孔喷出的气流对硅片具有一个向上的托力，降低了硅片落在大花篮底部时的冲击力，避免硅片的边缘发生损坏，同时向上喷出的气流可以将硅片表面的灰尘吹拂，保证硅片的洁净度，避免下道工艺之前还需对硅片进行清洁，还提高了硅片的插片效率。附图说明下面结合附图和实施例对本专利技术进一步说明。图1是本专利技术无损式自清洁硅片插片装置的示意图；图2是图1中A的局部放大示意图；图3是本专利技术无损式自清洁硅片插片装置中大花篮的示意图；图4是本专利技术无损式自清洁硅片插片装置中小花篮的示意图。图中：1、底座，2、立柱，3、层板，301、第二通孔，4、侧板，5、平台，501、第一通孔，6、托板，7、第一磁铁，8、第二磁铁，9、推动气缸，10、滑座，10-1、第三通孔，11、顶升气缸，12、托杆，13、第三磁铁，14、气泵，15、喷出管，16、左固定板，17、左活动板,18、右固定板，19、弹簧，20、定位座，21、定位销，22，大花篮，22-1，缺口，23、小花篮，23-1、侧翼，23-2、条形铁片，24、插槽。具体实施方式现在结合附图对本专利技术作进一步详细的说明。这些附图均为简化的示意图，仅以示意方式说明本专利技术的基本结构，因此其仅显示与本专利技术有关的构成，方向和参照(例如，上、下、左、右、等等)可以仅用于帮助对附图中的特征的描述。因此，并非在限制性意义上采用以下具体实施方式，并且仅仅由所附权利要求及其等同形式来限定所请求保护的主题的范围。实施例1如图1-4所示，一种无损式自清洁硅片插片装置，包括用于承载相同硅片的大花篮22和小花篮23，大花篮22和小花篮23均具有开口向上的容纳腔，容纳腔内均等间隔分布有若干用于插设硅片的插槽24，大花篮22中相邻两个插槽24的间距与小花篮23中相邻两个插槽24的间距相等，大花篮22中的插槽24有50个，小花篮23的插槽24有25个，还包括底座1，底座1上通过立柱2固定有层板3，层板3上通过侧板4固定有平台5，平台5上开设有与小花篮23开口相匹配的第一通孔501，层板3上开设有与第一通孔501相匹配的第二通孔301，第二通孔301位于第一通孔501的正下方，小花篮23开口端的前后两侧分别向外延伸有侧翼23-1，小花篮23前后两端的侧翼23-1分别支撑在平台5上位于第一通孔501的两侧，小花篮23开口端的左右两侧端面均嵌入有条形铁片23-2，小花篮23的开口端盖设有托板6，托板6的左右两侧均设置有用于与条形铁片23-2吸附的第一磁铁7，托板6本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种无损式自清洁硅片插片装置，包括用于承载相同硅片的大花篮(22)和小花篮(23)，大花篮(22)和小花篮(23)均具有开口向上的容纳腔，容纳腔内均等间隔分布有若干用于插设硅片的插槽(24)，大花篮(22)中相邻两个插槽(24)的间距与小花篮(23)中相邻两个插槽(24)的间距相等，其特征在于：还包括底座(1)，所述底座(1)上通过立柱(2)固定有层板(3)，所述层板(3)上通过侧板(4)固定有平台(5)，所述平台(5)上开设有与所述小花篮(23)相匹配的第一通孔(501)，所述层板(3)上开设有与第一通孔(501)相匹配的第二通孔(301)，所述第二通孔(301)位于第一通孔(501)的正下方，所述小花篮(23)开口端的前后两侧分别向外延伸有侧翼(23‑1)，小花篮(23)前后两端的侧翼(23‑1)分别支撑在平台(5)上位于第一通孔(501)的两侧，所述小花篮(23)开口端的左右两侧端面均嵌入有条形铁片(23‑2)，所述小花篮(23)的开口端盖设有托板(6)，所述托板(6)的左右两侧均设置有用于与条形铁片(23‑2)吸附的第一磁铁(7)，所述托板(6)的下表面设置有第二磁铁(8)，所述大花篮(22)的底面具有与托板(6)相匹配的缺口(22‑1)；所述层板(3)的上表面固定有推动气缸(9)，所述推动气缸(9)的伸出端与滑座(10)固定连接，所述滑座(10)滑动设置在层板(3)的上表面，所述滑座(10)上开设有与大花篮(22)相匹配的定位槽，所述定位槽的底面开设有第三通孔(10‑1)，定位槽与第三通孔(10‑1)之间形成台阶面；所述底座(1)上固定有伸出端朝上的顶升气缸(11)，所述顶升气缸(11)的伸出端上固定有托杆(12)，所述托杆(12)依次穿过第二通孔(301)、第三通孔(10‑1)及第一通孔(501)，所述托杆(12)的顶端固定有用于与第二磁铁(8)吸附的第三磁铁(13)，所述第二磁铁(8)与第三磁铁(13)之间的吸附力大于第一磁铁(7)与条形铁片(23‑2)之间的吸附力；所述层板(3)的下方设置有气泵(14)，所述气泵(14)的出气端连接有喷出管(15)，所述喷出管(15)位于第二通孔(301)的正下方，所述喷出管(15)的侧壁上沿其轴向方向等间隔分布有若干气孔，所述气孔的轴线与托杆(12)的轴线平行。...

【技术特征摘要】
1.一种无损式自清洁硅片插片装置，包括用于承载相同硅片的大花篮(22)和小花篮(23)，大花篮(22)和小花篮(23)均具有开口向上的容纳腔，容纳腔内均等间隔分布有若干用于插设硅片的插槽(24)，大花篮(22)中相邻两个插槽(24)的间距与小花篮(23)中相邻两个插槽(24)的间距相等，其特征在于：还包括底座(1)，所述底座(1)上通过立柱(2)固定有层板(3)，所述层板(3)上通过侧板(4)固定有平台(5)，所述平台(5)上开设有与所述小花篮(23)相匹配的第一通孔(501)，所述层板(3)上开设有与第一通孔(501)相匹配的第二通孔(301)，所述第二通孔(301)位于第一通孔(501)的正下方，所述小花篮(23)开口端的前后两侧分别向外延伸有侧翼(23-1)，小花篮(23)前后两端的侧翼(23-1)分别支撑在平台(5)上位于第一通孔(501)的两侧，所述小花篮(23)开口端的左右两侧端面均嵌入有条形铁片(23-2)，所述小花篮(23)的开口端盖设有托板(6)，所述托板(6)的左右两侧均设置有用于与条形铁片(23-2)吸附的第一磁铁(7)，所述托板(6)的下表面设置有第二磁铁(8)，所述大花篮(22)的底面具有与托板(6)相匹配的缺口(22-1)；所述层板(3)的上表面固定有推动气缸(9)，所述推动气缸(9)的伸出端与滑座(10)固定连接，所述滑座(10)滑动设置在层板(3)的上表面，所述滑座(10)上开设有与大花篮(22)相匹配的定位槽，所述定位槽的底面开设有第三通孔(10-1)，定位槽与第三通孔(10-1)之间形成台阶面；所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：孙铁囤，姚伟忠，汤平，
申请(专利权)人：常州亿晶光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32