电子照相感光构件、处理盒、电子照相设备和酞菁晶体制造技术

本发明专利技术涉及电子照相感光构件、处理盒、电子照相设备和酞菁晶体。电子照相感光构件的感光层包括酞菁晶体，在所述酞菁晶体中含有下式(1)表示的化合物：

Electrophotographic photosensitive member, process cartridge, electrophotographic apparatus, and phthalocyanine crystal

The invention relates to an electrophotographic photosensitive element, a processing cartridge, an electrophotographic device, and a phthalocyanine crystal. The photosensitive layer of an electrophotographic photosensitive member includes a phthalocyanine crystal containing a compound represented by a lower (1) in a phthalocyanine crystal:

【技术实现步骤摘要】
电子照相感光构件、处理盒、电子照相设备和酞菁晶体
本专利技术涉及电子照相感光构件、以及各自具有电子照相感光构件的处理盒和电子照相设备，并且涉及酞菁晶体。
技术介绍
由于通常用于电子照相感光构件的图像曝光装置的半导体激光器具有650至820nm范围的长振荡波长，对长波长范围的光具有高感光度的电子照相感光构件目前处在开发阶段。酞菁颜料作为对这样的长波长范围的光具有高感光度的电荷产生物质是有效的。特别地，氧钛酞菁和镓酞菁具有优良的感光性，且到目前为止已报道了各种晶形。虽然使用酞菁颜料的电子照相感光构件具有优良的感光性，但是问题是产生的光载流子趋于残留在感光层中充当存储器，容易导致电位变动如重影。日本专利申请特开第2001-40237号公报中公布了在酸溶期间向酞菁颜料加入特定有机电子接受体具有增感效果。然而，该方法具有以下问题：添加剂(有机电子接受体)会导致化学变化和在某些情况下很难转化成期望的晶形。日本专利申请特开第2006-72304号公报中公布了颜料和特定有机电子接受体的湿式粉碎处理使得同时晶体变换和晶体表面中有机电子接受体的引入，导致改善的电子照相性能。日本专利申请特开第H07-331107号公报中公布了包含极性有机溶剂的羟基镓酞菁晶体。在使用变换溶剂如N,N-二甲基甲酰胺的情况下，将极性有机溶剂引入至晶体，以便制造具有优良感光性的晶体。如上所述为改善电子照相感光构件已进行了各种尝试。近年来，为进一步改善高品质图像，期望防止各种环境中由于重影而导致的图像劣化。根据日本专利申请特开第2006-72304号公报的方法中，有机电子接受体以简单混合状态或附着于表面而不充分包含于制得的酞菁晶体中。因此，有改善的必要。根据日本专利申请特开H07-331107的方法中，发现产生的光载流子趋于残留在感光层充当存储器，在某些情况下容易导致重影。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供不仅在常温常湿环境下而且甚至在低温低湿环境尤其是严苛条件下可输出具有减少的由于重影而导致的图像缺陷的图像的电子照相感光构件。本专利技术的另外一个目的是提供各自具有所述电子照相感光构件的处理盒和电子照相设备。本专利技术的另一个目的是提供包含特定的哌嗪化合物的酞菁晶体。本专利技术提供电子照相感光构件，其包含：支承体；和形成于支承体上的感光层；其中该感光层包括酞菁晶体，在所述酞菁晶体中含有下式(1)表示的化合物：其中R1至R4各自独立地表示氢原子、甲酰基、乙酰基、烯基、取代或未取代的烷基、取代或未取代的芳基，或者取代或未取代的杂环基，条件是R1和R2两者不同时为氢原子，和条件是取代的芳基的取代基不为乙酰基或苯甲酰基。本专利技术还提供处理盒，其可拆卸地安装至电子照相设备的主体，其中该处理盒一体化地支承体电子照相感光构件和选自由充电装置、显影装置、转印装置和清洁装置组成的组的至少一种装置。本专利技术还提供电子照相设备，其具有电子照相感光构件与充电装置、图像曝光装置、显影装置和转印装置。本专利技术还提供酞菁晶体，在所述酞菁晶体中包含下式(1)表示的化合物。其中R1至R4各自独立地表示氢原子、甲酰基、乙酰基、烯基、取代或未取代的烷基、取代或未取代的芳基，或者取代或未取代的杂环基，条件是R1和R2两者不同时为氢原子，和条件是取代的芳基的取代基不为乙酰基或苯甲酰基。本专利技术可提供不仅在常温常湿环境下而且甚至在低温低湿环境尤其是严苛条件下可输出具有减少的由于重影而导致的图像缺陷的图像的电子照相感光构件。本专利技术还可提供各自具有电子照相感光构件的处理盒和电子照相设备。本专利技术还可提供作为电荷产生物质的具有优良性能的酞菁晶体。参考附图，由以下示例性实施方案的描述，本专利技术的进一步特征将变得明显。附图说明图1为设置有具有电子照相感光构件的处理盒的电子照相设备的示意图。图2为实施例1-1中获得的羟基镓酞菁晶体的粉末X射线衍射图。图3为实施例1-4中获得的羟基镓酞菁晶体的粉末X射线衍射图。图4为实施例1-5中获得的羟基镓酞菁晶体的粉末X射线衍射图。图5为实施例1-7中获得的羟基镓酞菁晶体的粉末X射线衍射图。图6为比较例1-1中获得的羟基镓酞菁晶体的粉末X射线衍射图。具体实施方式现在将根据附图详细描述本专利技术的优选实施方案。如上所述，本专利技术的电子照相感光构件包含支承体和形成于支承体上的感光层，其中该感光层包括酞菁晶体，在所述酞菁晶体中含有下式(1)表示的化合物：式(1)中，R1至R4各自独立地表示氢原子、甲酰基、乙酰基、烯基、取代或未取代的烷基、取代或未取代的芳基，或者取代或未取代的杂环基，条件是R1和R2两者不同时为氢原子，和条件是取代的芳基的取代基不为乙酰基或苯甲酰基。式(1)中的R1至R4可为氢原子(条件是R1和R2两者不同时为氢原子)、甲酰基、烯基、取代或未取代的烷基、取代或未取代的芳基，或者取代或未取代的杂环基。取代的烷基的取代基的实例包括烷氧基、吗啉代烷氧基、二烷基氨基、烷氧基羰基、取代或未取代的芳基、芳氧基、杂环基、卤原子、氰基和吗啉代基(morpholinogroup)。取代的芳基的取代基的实例包括取代或未取代的烷基、烷氧基、二烷基氨基、烷氧基羰基、卤原子、羟基、硝基、氰基、甲酰基和吗啉代基。取代的杂环基的取代基的实例包括烷基、烷氧基、二烷基氨基、烷氧基羰基、卤原子、羟基、硝基、氰基、甲酰基和吗啉代基。式(1)中R3和R4可为氢原子。式(1)的R1至R4的至少之一可为取代或未取代的芳基或者取代或未取代的杂环基。其中，更优选的是R1至R4的至少之一为取代或未取代的苯基或者取代或未取代的吡啶基。取代的苯基的取代基的实例包括取代或未取代的烷基、烷氧基、二烷基氨基、烷氧基羰基、卤原子、羟基、硝基、氰基、甲酰基和吗啉代基。取代的吡啶基的取代基的实例包括烷基、烷氧基、二烷基氨基、烷氧基羰基、卤原子、羟基、硝基、氰基、甲酰基和吗啉代基。上述取代的苯基和取代的吡啶基的取代基中，特别优选卤原子、羟基、氰基、硝基、甲酰基、烷基和烷氧基。式(1)的R1和R2的至少之一可为取代或未取代的烷基。上述取代基中，更优选的是取代的烷基的取代基为卤原子、二烷基氨基或苯基。其中，甲基和乙基是特别优选的。更优选的是式(1)中的R1和R2为相同基团。式(1)中的烷基包含直链或支链烷基。式(1)中的烯基的实例包括2-丙烯基、1-环己烯基和1-环戊烯基。式(1)中的芳基的实例包括苯基、萘基和联苯基(biphenylgroup)。式(1)中的杂环基的实例包括吡啶基、嘧啶基、咪唑基、吡嗪基、哒嗪基、三嗪基、喹啉基、吖啶基、吩嗪基、咔唑基、吲哚基、喹喔啉基、噻唑基、噻二唑基、噁唑基、呋咱基、苯并呋喃基、吩噁噻基(phenoxathiinylgroup)、噻蒽基、噻吩基和呋喃基。式(1)中取代的烷基的取代基的实例包括烷氧基如甲氧基、乙氧基和2-(吗啉代)-乙氧基；二烷基氨基如二甲氨基和二乙氨基；烷氧基羰基如甲氧基羰基和乙氧基羰基；芳基如苯基、萘基、联苯基(biphenylylgroup)、硝基苯基、甲苯基、溴苯基、氰基苯基和可具有如卤原子、羟基、羧基、硝基、氰基、甲酰基和烷氧基等取代基的甲氧基苯基；杂环基如吡啶基、嘧啶基、咪唑基、吡嗪基、哒嗪基、三嗪基、喹啉基、吖啶基、吩嗪基、咔唑基、吲哚基、喹喔啉基、噻唑基、噻二唑基、噁唑基、呋咱基、苯并本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种电子照相感光构件，其包括：支承体；和形成于所述支承体上的感光层；其特征在于，所述感光层包括羟基镓酞菁晶体，在所述羟基镓酞菁晶体中包含下式(1)表示的化合物，其中所述羟基镓酞菁晶体在用CuKα放射线的X射线衍射中，在布拉格角2θ为7.4°±0.3°和28.3°±0.3°处具有峰，和在所述羟基镓酞菁晶体中所述式(1)表示的化合物的含量为0.1质量％以上且3.0质量％以下：

【技术特征摘要】
2012.12.14 JP 2012-273729;2013.11.22 JP 2013-242111.一种电子照相感光构件，其包括：支承体；和形成于所述支承体上的感光层；其特征在于，所述感光层包括羟基镓酞菁晶体，在所述羟基镓酞菁晶体中包含下式(1)表示的化合物，其中所述羟基镓酞菁晶体在用CuKα放射线的X射线衍射中，在布拉格角2θ为7.4°±0.3°和28.3°±0.3°处具有峰，和在所述羟基镓酞菁晶体中所述式(1)表示的化合物的含量为0.1质量％以上且3.0质量％以下：其中式(1)中的R1至R4各自为氢原子、甲酰基、烯基、取代或未取代的烷基、取代或未取代的芳基，或者取代或未取代的杂环基，条件是R1和R2两者不同时为氢原子；所述取代的烷基的取代基为烷氧基、吗啉代烷氧基、二烷基氨基、烷氧基羰基、取代或未取代的芳基、芳氧基、杂环基、卤原子、氰基或吗啉代基；所述取代的芳基的取代基为取代或未取代的烷基、烷氧基、二烷基氨基、烷氧基羰基、卤原子、羟基、硝基、氰基、甲酰基或吗啉代基，条件是所述取代的芳基的取代基不是乙酰基或苯甲酰基；和所述取代的杂环基的取代基为烷基、烷氧基、二烷基氨基、烷氧基羰基、卤原子、羟基、硝基、氰基、甲酰基或吗啉代基。2.根据权利要求1所述的电子照相感光构件，其中R3和R4各自为氢原子。3.根据权利要求1所述的电子照相感光构件，其中R1至R4的至少之一为取代或未取代的芳基，或者取代或未取代的杂环基。4.根据权利要求1所述的电子照相感光构件，其中所述取代或未取代的芳基为取代或未取代的苯基，且所述取代的苯基的取代基为取代或未取代的烷基、烷氧基、二烷基氨基、烷氧基羰基、卤原子、羟基、硝基、氰基、甲酰基或吗啉代基。5.根据权利要求1所述的电子照相感光构件，其中所述取代或未取代的杂环基为取代或未取代的吡啶基，且所述取代的吡啶基的取代基为烷基、烷氧基、二烷基氨基、烷氧基羰基、卤原子、羟基、硝基、氰基、甲酰基或吗啉代基。...

【专利技术属性】
技术研发人员：田中正人，
申请(专利权)人：佳能株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP