Solid electrolytic capacitor providing increased electrostatic capacity and capable of reducing ESR characteristics and method of manufacturing the same. Solid electrolytic capacitor, characterized by including a dielectric oxide coating formed on the surface of the anode body with pores of the anode and the cathode of the body to the body, and at the same time, in the formation of pores inside with amine and a conductive polymer layer having a sulfonic acid water soluble self doping type conductive high molecule. The self doped conductive polymer is kept inside the pores of the etch pits in good condition. The electrostatic capacity increases and the ESR properties decrease.
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】固体电解电容器及其制造方法
本专利技术涉及将导电性高分子化合物作为固体电解质的固体电解电容器及其制造方法。
技术介绍
目前为止，已知有将导电性高分子用作固体电解质的固体电解电容器。该种固体电解电容器通常将成型、烧结铝、钽等阀作用金属的微粉末而得到的多孔烧结体作为阳极体，在该烧结体的孔内部及外表面通过电化学的阳极氧化等形成电介质氧化覆膜，进而为了引出成为对向电极的阴极体而在氧化覆膜上密接并使导电性高分子化合物层介于其间(参照专利文献1)。这样，在形成导电性高分子化合物层的固体电解电容器中，通过在阳极体表面部分通过蚀刻处理而形成蚀刻坑，在该蚀刻坑的内部形成上述导电性高分子，由此提高容量出现率。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开平11-121281号公报
技术实现思路
专利技术所要解决的课题由于通过蚀刻而形成的蚀刻坑通常为数百纳米水平，因此，直至蚀刻坑的深部形成导电性高分子层困难。因此，尝试了在形成导电性高分子层之前预先在蚀刻坑的整个表面薄地涂敷水溶性的自掺杂型导电性高分子，弥补导电性高分子不能浸入的部分引起的静电容量的降低。在蚀刻坑表面形成水溶性的自掺杂型导电性高分...
【技术保护点】
固体电解电容器，其特征在于，包括：在具有细孔的阳极体的表面形成的电介质氧化覆膜，在所述细孔内部形成的、具有磺酸基的水溶性的自掺杂型导电性高分子层，和在所述水溶性的自掺杂型导电性高分子层的表层形成的、含有胺类的含胺类层。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2011.12.01 JP 2011-2633401.固体电解电容器，其特征在于，包括：在具有细孔的阳极体的表面形成的电介质氧化覆膜，在所述细孔内部形成的、具有磺酸基的水溶性的自掺杂型导电性高分子层，和在所述水溶性的自掺杂型导电性高分子层的表层形成的、含有胺类的含胺类层。2.固体电解电容器，其特征在于，包括：在具有细孔的阳极体的表面形成的电介质氧化覆膜，在所述细孔内部形成的、具有磺酸基的水溶性的自掺杂型导电性高分子层，和在所述水溶性的自掺杂型导电性高分子层的表层形成的、所述水溶性的自掺杂型导电性高分子的所述磺酸基和胺类结合的结合层。3.如权利要求1或2所述的固体电解电容器，其特征在于...
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