一种低辐射镀膜玻璃制造技术

本实用新型专利技术属于特种玻璃技术领域，提供一种低辐射镀膜玻璃，包括沿玻璃基板表面从内之外依次连接的第一基层电介质层、第二基层电介质层、第一功能银层、第一阻挡层、第一中间电介质层、第二中间电介质层、第二阻挡层、第二功能银层、第三阻挡层、第一上层电介质层、第二上层电介质层和外层保护层；这样设计可以解决现有的特种玻璃不能钢化加热导致生产效率低，生产成本高的问题。

Low radiation coated glass

The utility model belongs to the technical field of special glass, a low-E glass, including along the surface of the glass substrate from the inside outside connected the first base dielectric layer, the dielectric layer, the first second basic functions of silver layer, a first barrier layer, a first intermediate dielectric layer, an intermediate dielectric layer second, second, second silver barrier function the third layer, a barrier layer, a first dielectric layer, the upper second upper dielectric layer and an outer protective layer; this design can solve the existing heating special glass not tempered the production efficiency is low, the problem of high production.

【技术实现步骤摘要】
一种低辐射镀膜玻璃
本技术属于特种玻璃
，尤其涉及一种低辐射镀膜玻璃。
技术介绍
低辐射玻璃，又称Low-E玻璃，是在玻璃表面镀制包括银层在内的多层金属或其它化合物组成的膜系产品。由于银层具有低辐射的特性，低辐射玻璃对可见光有较高的透射率，对红外线有很高的反射率，具有良好的隔热性能。双银低辐射玻璃，是在普通单银低辐射玻璃的基础上增加一层银膜层，与单银低辐射玻璃相比，双银低辐射玻璃在保持对可见光有较高的透射率的同时，对红外线具有更高的反射率，具有更强隔热性能。但是在传统的双银低辐射膜的开发及生产中，常见的金色产品一般只能用于非钢产品使用，也就是此类膜系不能进钢化炉进行加热，只能走传统的先钢化再镀膜的流程，进而生产效率低，同时生产成本高，从而对于市场的推广具有局限性。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种低辐射镀膜玻璃，旨在解决现有的特种玻璃不能钢化加热导致生产效率低，生产成本高的问题。本技术是这样解决的：一种低辐射镀膜玻璃，包括玻璃基板和连接在所述玻璃基板上的基层电介质单元、功能单元、阻挡单元和中间电介质单元，以及上层电介质单元，所述基层电介质单元包括连接在所述玻璃基板上的第一基层电介质层和连接在所述第一基层电介质层上的第二基层电介质层，所述功能单元包括第一功能银层和第二功能银层，所述阻挡单元包括第一阻挡层、第二阻挡层和第三阻挡层，所述中间电介质单元包括第一中间电介质层和第二中间电介质层，所述上层电介质单元包括第一上层电介质层和第二上层电介质层，所述第一基层电介质层、第二基层电介质层、第一功能银层、第一阻挡层、第一中间电介质层、第二中间电介质层、第二阻挡层、第二功能银层、第三阻挡层、第一上层电介质层和第二上层电介质层从内向外依次连接。进一步地，所述第一基层电介质层为非金属氧化物层或非金属氮化物层，且所述第一基层电介质层的厚度为30nm～50nm。进一步地，所述第二基层电介质层为金属氧化物层，且所述第二基层电介质层的厚度为5nm～20nm。进一步地，所述第一功能银层的厚度为5nm～15nm，且所述第二功能银层的厚度为3nm～10nm。进一步地，所述第一阻挡层、第二阻挡层和第三阻挡层均为镍铬层、氧化镍铬层或氮化镍铬层中的任意一种，且所述第一阻挡层、第二阻挡层和第三阻挡层的层厚均为1nm～5nm。进一步地，所述第一中间电介质层和第二中间电介质层均为金属氧化物层，且所述第一中间电介质层的厚度为60nm～75nm。进一步地，所述第一上层电介质层为金属氧化物层，且所述第一上层电介质层的厚度为5nm～20nm。进一步地，所述第二上层电介质层为非金属氮化物层，且所述第二上层电介质层的厚度为25nm～30nm。进一步地，于所述第二上层电介质层外还连接有外层保护层，所述外层保护层为非金属氧化物层，且所述外层保护层的厚度为5nm～15nm。进一步地，所述玻璃基板与所述基层电介质单元经溅射积沉连接在一起，所述基层电介质单元与功能单元、阻挡单元和中间电介质单元，以及上层电介质单元之间相邻的两个膜层之间经溅射积沉连接在一起。本技术提供的低辐射镀膜玻璃相对于现有的技术具有的技术效果为：将多个膜层单元直接连接在玻璃基板上，并且多个膜层单元之间的连接配合可以使得玻璃基板钢化加热后可以直接达到金色外观的效果，钢化后的颜色性能更加稳定，生产效率更好，进而可以降低生产成本。附图说明图1是本技术实施例提供的低辐射镀膜玻璃的结构示意图。具体实施方式为了使本技术的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本技术进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本技术，并不用于限定本技术。需要说明的是，当元件被称为“固定于”或“设置于”另一个元件，它可以直接在另一个元件上或者间接在该另一个元件上。当一个元件被称为是“连接于”另一个元件，它可以是直接连接到另一个元件或间接连接至该另一个元件上。还需要说明的是，本技术实施例中的左、右、上、下等方位用语，仅是互为相对概念或是以产品的正常使用状态为参考的，而不应该认为是具有限制性的。请参照附图1所示，在本技术实施例中，提供一种低辐射镀膜玻璃，该低辐射镀膜玻璃为可弯刚性的金色双银玻璃，其包括玻璃基板10和连接在该玻璃基板10上的基层电介质单元、功能单元、阻挡单元和中间电介质单元，以及上层电介质单元，该基层电介质单元包括连接在该玻璃基板10上的第一基层电介质层和连接在该第一基层电介质层上的第二基层电介质层，该功能单元包括第一功能银层和第二功能银层，该阻挡单元包括第一阻挡层、第二阻挡层和第三阻挡层，该中间电介质单元包括第一中间电介质层和第二中间电介质层，该上层电介质单元包括第一上层电介质层和第二上层电介质层；该第一基层电介质层201、第二基层电介质层202、第一功能银层203、第一阻挡层204、第一中间电介质层205、第二中间电介质层206、第二阻挡层207、第二功能银层208、第三阻挡层209、第一上层电介质层210和第二上层电介质层211从内向外依次连接，同时该第二上层电介质层211外还连接有外层保护层212，也即该第一基层电介质层201连接在该玻璃基板10的表面上，同时外层保护层212为远离该玻璃基板10的最远端。具体地，在本技术实施例中，该第一基层电介质层201为非金属氧化物层或非金属氮化物层，如SiZrOx、TiO2、SiO2、Ta2O5、SiNxOy、BiO2、Al2O3、Nb2O5、Si3N4或AZO等，并且该第一基层电介质层201的厚度为30nm～50nm，例如33nm、36nm、39nm、42nm、45nm或48nm。具体地，在本技术实施例中，该第二基层电介质层202为金属氧化物层，如ZnSnOx、SnO2、ZnO或Al2O3等，并且该第二基层电介质层202的厚度为5nm～20nm，例如7nm、9nm、11nm、13nm、15nm、17nm或19nm。具体地，在本技术实施例中，该第一功能银层203的厚度为5nm～15nm，例如7nm、9nm、11nm、13nm，并且该第二功能银层208的厚度为3nm～10nm，例如5nm、7nm、9nm、11nm或13nm。具体地，在本技术实施例中，该第一阻挡层204、第二阻挡层207和第三阻挡层209均为镍铬层、氧化镍铬层或氮化镍铬层中的任意一种，且该第一阻挡层204、第二阻挡层207和第三阻挡层209的层厚均为1nm～5nm，例如2nm、3nm或4nm。具体地，在本技术实施例中，该第一中间电介质层205和第二中间电介质层206均为金属氧化物层，如ZnSnOx、SnO2、ZnO或Al2O3等，并且该第一中间电介质层205的厚度为60nm～75nm，例如63nm、66nm、69nm或72nm。具体地，在本技术实施例中，该第一上层电介质层210为金属氧化物层，如ZnSnOx、SnO2、ZnO或Al2O3等，并且该第一上层电介质层210的厚度为5nm～20nm，例如7nm、9nm、11nm、13nm、15nm、17nm或19nm。具体地，在本技术实施例中，该第二上层电介质层211为非金属氮化物层或非金属氧化物层，如SiO2、Ta2O5、SiNxO本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种低辐射镀膜玻璃，其特征在于：包括玻璃基板和连接在所述玻璃基板上的基层电介质单元、功能单元、阻挡单元和中间电介质单元，以及上层电介质单元，所述基层电介质单元包括连接在所述玻璃基板上的第一基层电介质层和连接在所述第一基层电介质层上的第二基层电介质层，所述功能单元包括第一功能银层和第二功能银层，所述阻挡单元包括第一阻挡层、第二阻挡层和第三阻挡层，所述中间电介质单元包括第一中间电介质层和第二中间电介质层，所述上层电介质单元包括第一上层电介质层和第二上层电介质层，所述第一基层电介质层、第二基层电介质层、第一功能银层、第一阻挡层、第一中间电介质层、第二中间电介质层、第二阻挡层、第二功能银层、第三阻挡层、第一上层电介质层和第二上层电介质层从内向外依次连接，于所述第二上层电介质层外还连接有外层保护层。

【技术特征摘要】
1.一种低辐射镀膜玻璃，其特征在于：包括玻璃基板和连接在所述玻璃基板上的基层电介质单元、功能单元、阻挡单元和中间电介质单元，以及上层电介质单元，所述基层电介质单元包括连接在所述玻璃基板上的第一基层电介质层和连接在所述第一基层电介质层上的第二基层电介质层，所述功能单元包括第一功能银层和第二功能银层，所述阻挡单元包括第一阻挡层、第二阻挡层和第三阻挡层，所述中间电介质单元包括第一中间电介质层和第二中间电介质层，所述上层电介质单元包括第一上层电介质层和第二上层电介质层，所述第一基层电介质层、第二基层电介质层、第一功能银层、第一阻挡层、第一中间电介质层、第二中间电介质层、第二阻挡层、第二功能银层、第三阻挡层、第一上层电介质层和第二上层电介质层从内向外依次连接，于所述第二上层电介质层外还连接有外层保护层。2.如权利要求1所述的低辐射镀膜玻璃，其特征在于：所述第一基层电介质层为非金属氧化物层或非金属氮化物层，且所述第一基层电介质层的厚度为30nm～50nm。3.如权利要求1所述的低辐射镀膜玻璃，其特征在于：所述第二基层电介质层为金属氧化物层，且所述第二基层电介质层的厚度为5nm～20nm。4.如权利要求1所述的低辐射镀膜玻璃，其特征在于：所述第一功能...

【专利技术属性】
技术研发人员：董清世，齐雪松，李焕生，马秀军，
申请(专利权)人：信义玻璃天津有限公司，
类型：新型
国别省市：天津,12