The invention relates to a process of metal films, which is characterized in that the device of the deposited films, the substrate is glass, NaCl crystal, the base vacuum sputtering defined in general in the 5 * 10-6 to 10 * 10-6Torr, and then through the argon, argon pressure in 10-5 ~ 10-3 under microwave input 2650MHz = 956G, in the area near the divergence the magnetic field generated B electron cyclotron resonance plasma formation, ECR. The invention is characterized in that the design science is simple, the operation process is strong, the cost is low, and the utility model has the potential of continuous batch production and is easy to expand to the market quickly.
【技术实现步骤摘要】
一种金属薄膜的制作工艺
本专利技术属于机械领域，一种金属薄膜的工艺。
技术介绍
由于金属薄膜具有良好的光学、声学和电学特征，使其在机械、电子行业起到日益重要的作用。人们已经采用化学气相沉积(CVD)、离子注人和离子镀等方法制备了不同材质的纳米金属薄膜。
技术实现思路
本专利技术的目的在于解决上述现有技术中存在的不足,为了解决上述问题，本专利技术提出了一种金属薄膜的工艺，可以耐磨性能，提高使用寿命。本专利技术的目的就是针对现有技术存在的缺陷，专利技术一种金属薄膜的工艺，其特征是：沉积薄膜的装置,基片为玻璃，NaCl单晶，溅射本底真空一般定义在5×10-6～10×10-6Torr，然后通过氩气，在10-5～10-3的氩气压下气压下输入2650MHz微波，在发散磁场B＝956G附近区产生电子回旋共振，形成ECR等离子体。本专利技术的特点是：设计科学，该制备工艺流程简单、可操作性强、成本低，具有连续批量生产的潜能，便于迅速向市场扩展。具体实施方式一种金属薄膜的工艺，其特征是：沉积薄膜的装置,基片为玻璃，NaCl单晶，溅射本底真空一般定义在5×10-6～10×10-6Torr，然后通过氩气，在10-5～10-3的氩气压下气压下输入2650MHz微波，在发散磁场B＝956G附近区产生电子回旋共振，形成ECR等离子体。本专利技术已经示出和描述了实施例，对于本领域的普通技术人员而言，可以理解在不脱离本专利技术的原理和精神的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型，本专利技术的范围由所附权利要求及其等同物限定。
【技术保护点】
一种金属薄膜的制作工艺，其特征是：沉积薄膜的装置,基片为玻璃，NaCl单晶，溅射本底真空一般定义在5×10
【技术特征摘要】
1.一种金属薄膜的制作工艺，其特征是：沉积薄膜的装置,基片为玻璃，NaCl单晶，溅射本底真空一般定义在5×10-6～10×10-6Torr，...
【专利技术属性】
技术研发人员：季振宽，
申请(专利权)人：青岛旭升封头有限公司，
类型：发明
国别省市：山东,37
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