一种电子工业水基清洗剂及其制备方法技术

本发明专利技术涉及电子工业清洗剂技术领域，是对现有技术的改进，具体涉及一种电子工业水基清洗剂，其重量百分比（%）为：偏硅酸钠20.0~30.0%、表面活性剂0.1~4.5%、缓蚀剂0.01~0.04%、消泡剂0.01~0.04%、其余为去离子水，各成分重量之和为100%。本发明专利技术具有下述特点：不含挥发性有机溶剂、不腐蚀被清洗物件、应用范围广、制备时无需加热溶解节约能源。本发明专利技术实用，市场潜力大。

Water base cleaning agent for electronic industry and preparation method thereof

The invention relates to an electronic industrial cleaning technology, the improvement of the prior art, in particular to an electronic industrial water-based cleaning agent, and the weight percentage (%): sodium metasilicate, 20.0~30.0% surfactant 0.1~4.5%, the inhibitor of 0.01~0.04%, defoaming agent 0.01~0.04%, the rest of the deionized water, the weight of each component and for the 100%. The present invention has the following characteristics: no volatile organic solvent, no corrosion cleaning object, wide application range, no heating solution and energy saving during preparation. The invention is practical and has great market potential.

【技术实现步骤摘要】
一种电子工业水基清洗剂及其制备方法
本专利技术涉及工业清洗剂
，是对现有技术的改进，具体涉及一种纳米水基清洗剂。
技术介绍
工业清洗剂是现代工业必不可少的材料之一，随着我国工业的快速发展和人们对环保问题的日益重视，绿色环保的清洗剂已经成为工业清洗剂发展的必然趋势。水基清洗剂作为一种以水为主要溶剂、不含破坏大气臭氧层物质、不易燃、不易爆的新型清洗剂，受到越来越多的关注和重视。但现有的水基清洗剂常存在适用范围窄、清洗过程中泡沫过多、腐蚀被清洗物件、含有对人体或环境造成伤害的挥发性有机溶剂、制备方法复杂等问题。CN101538512B专利中公开了一种水基清洗剂，由表面活性剂主洗部分、碱性助洗部分、溶剂部分、防腐剂和水配制而成。但该专利技术仅用于除去机械设备、建筑物等表面油脂、油污、碳迹、染料、霉斑等污物，且清洗过程中产生较多泡沫，另外其选用的乙醇、乙二醇醚对人体有伤害作用。CN101503648B专利中公开了一种SMT印刷网版的水基清洗剂，含有5~35wt%的主溶剂、1~10wt%的助溶剂、0.05~0.5wt%的表面活性剂、余量为去离子水。但该专利技术适用范围窄，且乙二醇、丙二醇等对人体有一定的伤害作用。CN102230182A专利中公开了一种水基清洗剂，包括以下质量百分比组份：1~3%三聚磷酸钠、2~4%磷酸氢二钠、0.5~1%硼砂、2~4%对硝基苯甲酸、0.5~2%氢氧化钠、1~4%表面活性剂、2~5聚乙二醇，13~15%三乙醇胺、0.01~0.1%消泡剂、余量为水。但该专利技术仅适用于清洗机件上的油污，且所选用的对硝基苯甲酸对水体和大气可造成污染、且受热分解放出有毒的氮氧化物烟气。CN102051286A专利中公开了一种松香型焊锡膏用水基清洗剂，包括以下质量百分比的原料：15~40%的醇醚类有机溶剂、1~15%的皂化剂、0.1~2%的表面活性剂、0.01~0.5%的缓蚀剂、水为余量。但该专利技术应用范围太窄，且所选用的醇醚类有机溶剂一则对人体有一定的伤害作用，二则含量过多有被引燃的潜在危险。
技术实现思路
本专利技术的目的是避免上述现有技术中的不足之处而提供的一种电子工业水基清洗剂。该电子工业水基清洗剂适用范围广、制备方法简单、不含对人体或环境造成伤害的挥发性有机溶剂、清洗过程中泡沫少、不腐蚀被清洗物件。本专利技术的目的可通过下列的措施来实现：本专利技术纳米水基清洗剂，其所含成分重量百分比（%）为：偏硅酸钠20.0~30.0%，表面活性剂0.1~4.5%，缓蚀剂0.01~0.04%，消泡剂0.01~0.04%，去离子水0.0~30.0%其余为直饮水，各成分重量之和为100%。所述的偏硅酸钠为无水偏硅酸钠、五水偏硅酸钠和九水偏硅酸钠中的一种或几种。其主要作用是促进油脂、污垢、助焊剂残留、红胶残留、锡膏残留等从被清洗物件表面的清除。所述的表面活性剂为吐温80、烷基糖苷、椰油酸二乙醇酰胺、十二烷基苯磺酸钠、醇硫酸盐、烯烃磺酸盐、仲烷基磺酸盐、磺基脂肪酸酯盐中的一种或多种。其主要作用是显著降低表面张力，增强润湿力、渗透力。所述的缓蚀剂为2-甲基咪唑、咪唑、三乙醇胺、巯基苯骈噻唑中的一种或几种。其主要作用是防止被清洗物件腐蚀。所述的消泡剂为斯洛柯4830消泡剂、巴斯夫FoamStarA10消泡剂、巴斯夫S12210消泡剂、巴斯夫1293消泡剂、巴斯夫FoamStar8034A消泡剂、巴斯夫FoamStar8034消泡剂、巴斯夫FoamStar50消泡剂、巴斯夫FoamStarA12消泡剂、巴斯夫FoamStar111消泡剂、巴斯夫FoamStar60消泡剂、巴斯夫FoamStar714消泡剂中的一种或几种。其主要作用是在水基清洗剂的制备和使用过程中，起到长时间抑泡和强有力消泡的作用。本专利技术纳米水基清洗剂的制备方法，包括如下步骤：（1）称取直饮水和0.0~30.0%去离子水，倒入反应釜中；（2）加入20.0~30.0%偏硅酸钠，搅拌至完全溶解；（3）再依次加入0.1~4.5%表面活性剂、0.01~0.04%缓蚀剂、0.01~0.04%消泡剂，搅拌至完全溶解，即得本专利技术电子工业水基清洗剂。本专利技术相比现有技术具有如下优点：一是适用范围广，不仅可用于印刷电路板上助焊剂、焊锡膏残留的清洗，表面贴装印刷网版上焊锡膏、红胶残留的清洗、丝网印刷网版上油墨残留的清洗，而且适用于机械设备、建筑物等表面油脂、油污、碳迹、染料、霉斑等污物的清洗；二是清洗过程中泡沫少，且清洗后可以不用水漂洗，减少清洗工序，节约能源和降低成本；三是不含对人体或环境造成伤害的挥发性有机溶剂、且不腐蚀被清洗物件；四是制备方法简单，无需进行加热溶解，进一步节约能源。本专利技术实用，市场潜力大。具体实施方式实施例1：无水偏硅酸钠20.0%仲烷基磺酸盐0.05%椰油酸二乙醇酰胺0.05%咪唑0.01%巴斯夫FoamStar50消泡剂0.01%直饮水79.88%实施例2：无水偏硅酸钠14.0%九水偏硅酸钠16.0%烷基糖苷2.0%十二烷基苯磺酸钠2.5%2-甲基咪唑0.02%巯基苯骈噻唑0.02%巴斯夫FoamStarA10消泡剂0.025%巴斯夫FoamStar8034A消泡剂0.015%去离子水30.0%直饮水35.42%实施例3：无水偏硅酸钠15.0%九水偏硅酸钠10.0%烷基糖苷1.5%磺基脂肪酸酯盐1%2-甲基咪唑0.01%咪唑0.02%斯洛柯4830消泡剂0.01%巴斯夫FoamStar714消泡剂0.01%去离子水10.0%直饮水62.45%表1为本专利技术实施例1-3的主要性能试验结果对比数据。表1实施例1-3的主要性能试验结果对比数据本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种电子工业水基清洗剂，其所含成分重量百分比（%）为：偏硅酸钠20.0~30.0%，表面活性剂0.1~4.5%，缓蚀剂0.01~0.04%，消泡剂0.01~0.04%，去离子水0.0~30.0%其余为直饮水，各成分重量之和为100%。

【技术特征摘要】
1.一种电子工业水基清洗剂，其所含成分重量百分比（%）为：偏硅酸钠20.0~30.0%，表面活性剂0.1~4.5%，缓蚀剂0.01~0.04%，消泡剂0.01~0.04%，去离子水0.0~30.0%其余为直饮水，各成分重量之和为100%。2.根据权利要求1所述的电子工业水基清洗剂，其特征在于：所述的偏硅酸钠为无水偏硅酸钠、五水偏硅酸钠和九水偏硅酸钠中的一种或几种。3.根据权利要求1所述的电子工业水基清洗剂，其特征在于：所述的表面活性剂为吐温80、烷基糖苷、椰油酸二乙醇酰胺、十二烷基苯磺酸钠、醇硫酸盐、烯烃磺酸盐、仲烷基磺酸盐、磺基脂肪酸酯盐中的一种或多种。4.根据权利要求1所述的电子工业水基清洗剂，其特征在于：所述的缓蚀剂为2-甲基咪唑、咪唑、三乙醇胺、巯基苯骈噻唑中的一种或几种。5.根据权利要求1所述的电子工业水基清洗剂，其特...

【专利技术属性】
技术研发人员：唐远金，徐安莲，
申请(专利权)人：重庆微世特电子材料有限公司，
类型：发明
国别省市：重庆,50