一种电路的屏蔽结构制造技术

本发明专利技术涉及电子技术领域。一种电路的屏蔽结构，包括一衬底，衬底上固定有一射频组件电路；衬底内嵌有吸波材料层；衬底上还设有一由吸波材料制成的屏蔽墙，屏蔽墙围绕射频组件电路设置；屏蔽墙上方覆盖有导电材料层；通过内嵌有吸波材料层的衬底、屏蔽墙、导电材料层，围成一密闭空间，将射频组件电路密封在该密封空间内。形成全方位的屏蔽。

Shielding structure of circuit

The invention relates to the field of electronic technology. The shielding structure of a circuit, including a substrate, a RF circuit component fixed on the substrate; the substrate embedded with absorbing material layer; the substrate is provided with a shielding wall by absorbing wave material, shielding wall around the RF circuit is provided; a conductive material layer covering above the shield wall; through embedded suction the substrate and the shielding wall, a layer of conductive material absorbing material layer, in a confined space, the RF components circuit is sealed inside the sealed space. Form a full range of shielding.

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及电子
，尤其涉及电磁屏蔽装置。
技术介绍
带有集成芯片的智能手机或用于其它带有射频组件的产品系统，会产生电磁干扰或遭受到电磁干扰而导致电路功能受到影响。
技术实现思路
本专利技术的目的在于，提供一种电路的屏蔽结构，以解决上述至少一个技术问题。本专利技术所解决的技术问题可以采用以下技术方案来实现：一种电路的屏蔽结构，其特征在于，包括一衬底，所述衬底上固定有一射频组件电路；所述衬底内嵌有吸波材料层；所述衬底上还设有一由吸波材料制成的屏蔽墙，所述屏蔽墙围绕所述射频组件电路设置；所述屏蔽墙上方覆盖有导电材料层；通过内嵌有吸波材料层的所述衬底、屏蔽墙、导电材料层，围成一密闭空间，将射频组件电路密封在该密封空间内。形成全方位的屏蔽。还设有一接地金属层，所述接地金属层设置在所述屏蔽墙上，所述接地金属层的上端连接所述导电材料层，所述接地金属层的下端设有接地端子，所述接地端子连接所述衬底。通过所述衬底上的接地端子接地，实现导电材料层的零电势屏蔽。所述接地金属层是由导电泡棉材料或者导电橡胶材料制成的接地金属层。接地金属层具有压缩性，通过被压缩可以加强与衬底之间的接地。或者，还设有一接地金属层，所述接地金属层是一套筒或螺钉，所述接地金属层的上端连接所述导电材料层，所述接地金属层的下端设有接地端子，所述接地端子连接所述衬底。所述衬底上设有一GND孔。便于实现套筒与螺钉固定。以一电路板作为所述衬底，所述电路板承载所述射频组件电路的部分，内嵌有吸波材料层。节约吸波材料层的成本，实现全方位屏蔽。所述导电材料层是由铝板材构成的导电材料层。既能实现屏蔽电磁干扰的同时，还能实现散热的效果。所述导电材料层是由导电布构成的导电材料层。实现屏蔽电磁干扰的效果。所述导电材料层由如下质量百分比的成分构成：5％～40％铝、10～30％铜、1％～5％镓、10％～20％铟、10％～20％锌。本专利技术通过优化导电材料层的结构，实现电磁屏蔽的效果的同时，散热性能优异。优选为，所述导电材料层由如下质量百分比的成分构成：40％铝、20％铜、5％镓、15％铟、20％锌。经实验采用上述配比的导电材料层，质量轻盈，且散热性能优异。所述导电材料层的上表面连接有一由散热材料制成的散热层。通过散热层实现热扩散，进而避免由射频组件电路升温而导致的热点。所述散热层是一由石墨构成的散热层。石墨散热效果好。作为一种优选方案，所述导电材料层是由铜箔构成的导电材料层，所述导电材料层的厚度为7～15微米；所述散热层是一石墨片制成的散热层，所述散热层的厚度为20～30微米；所述散热层的上表面还连接有一PET保护膜，所述PET保护膜的厚度为4～7微米。经实验证明，采用上述结构，在控制成本的前提下，散热性能优异，且使用寿命长。该种结构适用于智能手机中的射频组件电路的电磁屏蔽。所述屏蔽墙围绕至少一个所述射频组件电路。便于实现屏蔽墙对多个射频组件电路进行屏蔽的效果。所述导电材料层通过一压敏胶与所述射频组件电路相连。便于将射频组件电路的热量经导电材料层传递出去。所述导电材料层通过一压敏胶与所述屏蔽墙相连。实现导电材料层与屏蔽墙形成非导电连接。所述屏蔽墙通过一压敏胶连接所述衬底。实现衬底与屏蔽墙形成非导电连接。所述吸波材料是一射频吸波材料。从而抵抗电磁干扰。所述吸波材料是一海绵基的射频吸波材料，所述射频吸波材料包括一由海绵制成的基体，所述基体的外表面涂覆有一吸波层，所述基体内设有一空隙，所述空隙内填充有导电金属颗粒；所述吸波层包括如下质量百分比的原料：磁性四氧化三铁纳米颗粒10％～30％，碳化硅10％～20％、硅溶胶10％～20％、十六烷基胺5％～20％、硫化胶1％～5％、气凝胶5％～20％、石墨纤维1％～5％。实现吸波材料的多维吸波，吸波性能更优异，此外，本专利技术在吸波层设有石墨纤维设有射频吸波的同时，还可以实现散热的效果。所述吸波材料是胶黏剂。通过吸波材料隔离电磁干扰的同时，还可以实现导电材料层与衬底的固定连接。所述吸波材料包括如下质量百分比的原料：磁性四氧化三铁纳米颗粒10％～30％，碳化硅10％～20％、硅溶胶10％～20％、十六烷基胺5％～20％、气凝胶5％～20％、镓金属1％～5％。本专利技术通过优化吸波材料的配方，经实验采用上述配方吸波性能优异的同时，还可以作为胶黏剂，实现导电材料层与衬底的相连。且本专利技术通过采用气凝胶与镓金属的结合，由于气凝胶的微孔，镓金属易渗入，实现吸波材料整体的散热性。所述吸波材料还包括石墨纤维1％～5％。进一步提高散热效果。所述射频组件电路中包括集成芯片，所述集成芯片上固定有一金属块，作为散热金属块，所述散热金属块上方抵住所述导电材料层，所述导电材料层为金属片。进而通过散热金属块将集成芯片的热量传导到导电材料层，即金属片上，实现对外散热。所述射频组件电路中包括集成芯片，所述集成芯片包括一由塑料制成的封装壳体，所述封装壳体的上方设有一用于容置液态金属的容纳腔，以所述容纳腔作为一散热窗，所述容纳腔的上方设有一散热器件，所述散热器件是钢制的散热器件，所述散热器件设有至少五个突出方向向上的针状凸起。散热器件盖住容纳腔。实现容纳腔的密封。液态金属在高温下(如40度以上)，是液态。在需要对芯片进行散热时，完成液态转化。液态的流动性，在上下温差作用下，会产生对流，散热性远远大于固态金属。本专利将液态金属的对流散热，和固态金属制成的散热器件相结合，既保证了流体金属强度的热交换性能，又实现了对液态金属的密封，保证了电路的安全性。另外，本专利中特别采用由钢制成的散热器件，而不是采用常用的铝质散热器件。避免了同相金属的溶解腐蚀。所述针状凸起的上方抵住所述导电材料层。便于散热。所述散热器件的下方连接有一用于插入所述液态金属并与液态金属进行热交换的片状体。提高散热效果。所述液态金属可以是镓合金。镓合金可以是铟镓合金。附图说明图1为本专利技术的一种结构示意图；图2为本专利技术的一种结构示意图；图3为本专利技术的一种采用图1结构的一种透视图；图4为本专利技术的另一种结构示意图；图5为本专利技术的另一种结构示意图。具体实施方式为了使本专利技术实现的技术手段、创作特征、达成目的与功效易于明白了解，下面结合具体图示进一步阐述本专利技术。参见图1、图2、图3、图4、图5，一种电路的屏蔽结构，包括一衬底，衬底上固定有一射频组件电路110；衬底内嵌有吸波材料层；衬底上还设有一由吸波材料制成的屏蔽墙104，屏蔽墙104围绕射频组件电路110设置；屏蔽墙104上方覆盖有导电材料层102；通过内嵌有吸波材料层的衬底、屏蔽墙104、导电材料层102，围成一密闭空间，将射频组件电路密封在该密封空间内。形成全方位的屏蔽。还设有一接地金属层106，接地金属层106设置在屏蔽墙104上，接地金属层106的上端连接导电材料层102，接地金属层的下端设有接地端子，接地端子连接衬底。通过衬底上的接地端子接地，实现导电材料层102的零电势屏蔽。接地金属层是由导电泡棉材料或者导电橡胶材料制成的接地金属层。接地金属层具有压缩性，通过被压缩可以加强与衬底之间的接地。或者，参见图5，还设有一接地金属层，接地金属层是一套筒420或螺钉，接地金属层的上端连接导电材料层102，接地金属层的下端设有接地端子，接地端子连接衬底。衬底上设有一GND孔。便于实现套本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种电路的屏蔽结构，其特征在于，包括一衬底，所述衬底上固定有一射频组件电路；所述衬底内嵌有吸波材料层；所述衬底上还设有一由吸波材料制成的屏蔽墙，所述屏蔽墙围绕所述射频组件电路设置；所述屏蔽墙上方覆盖有导电材料层；通过内嵌有吸波材料层的所述衬底、屏蔽墙、导电材料层，围成一密闭空间，将射频组件电路密封在该密封空间内。

【技术特征摘要】
1.一种电路的屏蔽结构，其特征在于，包括一衬底，所述衬底上固定有一射频组件电路；所述衬底内嵌有吸波材料层；所述衬底上还设有一由吸波材料制成的屏蔽墙，所述屏蔽墙围绕所述射频组件电路设置；所述屏蔽墙上方覆盖有导电材料层；通过内嵌有吸波材料层的所述衬底、屏蔽墙、导电材料层，围成一密闭空间，将射频组件电路密封在该密封空间内。2.根据权利要求1所述的一种电路的屏蔽结构，其特征在于，还设有一接地金属层，所述接地金属层设置在所述屏蔽墙上，所述接地金属层的上端连接所述导电材料层，所述接地金属层的下端设有接地端子，所述接地端子连接所述衬底。3.根据权利要求2所述的一种电路的屏蔽结构，其特征在于，所述接地金属层是由导电泡棉材料或者导电橡胶材料制成的接地金属层。4.根据权利要求3所述的一种电路的屏蔽结构，其特征在于，还设有一接地金属层，所述接地金属层是一套筒或螺钉，所述接地金属层的上端连接所述导电材料层，所述接地金属层的下端设有接地端子，所述接地端子连接所述衬底。5.根据权利要求1所述的一种电路的屏蔽结构，其特征在于，所述导电材料层是由铝板材或者导电布构成的导电材料层。6.根据权利要求1所述的一种电路的屏蔽结构，其特征在于，所述导电材料层由如下质量百分比的成...

【专利技术属性】
技术研发人员：李延民，潘焕清，
申请(专利权)人：上海阿莱德实业股份有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31