一种用于加工松脂的蒸馏器制造技术

本发明专利技术公开了一种用于加工松脂的蒸馏器，包括用金属制成的顶盖A、蒸发器B、冷却器C和连接螺栓螺母M，所述的顶盖A设有盖连接法兰1，脂液进料口2，真空表座3；所述的蒸发器B包括外筒体5，外筒体的上端连接法兰4和下端连接法兰8，设在外筒体5上部的导热油出口7，设在外筒体5下部的导热油进口6和真空接口9，装在外筒体5内的蒸发筒10。本发明专利技术采用的是真空低温分子短程蒸发原理，无需大量的高温过热水蒸汽，本蒸馏器比水蒸汽蒸馏设备节约三分之二的热能，没有污水排放，生产成本也大幅度下降。

Distiller for processing rosin

The invention discloses a distiller for resin processing, including metal cover A, B, C and cooler evaporator bolt nut M, A of the top cover is provided with a cover flange 1, fat fluid inlet 2, vacuum table 3; B evaporator comprises the outer cylinder body 5, the upper end of the outer cylinder of the connecting flange 4 and the lower end of the connecting flange 8, located in the upper part of the outer cylinder 5 oil exports 7, oil in the outer cylinder 5 and the lower part of the imported 6 vacuum evaporation cylinder interface 9, installed in the outer cylinder body 5 in 10. The invention is used in vacuum and low temperature molecular short evaporation principle, without the need for large amounts of high temperature superheated steam, heat the distiller than steam distillation equipment to save 2/3, no sewage emissions, the production cost is greatly reduced.

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种蒸馏器，具体是一种用于加工松脂的蒸馏器。
技术介绍
将松脂蒸馏就可分离出松节油和松香，两者都是重要工业原料。目前松脂加工行业以水蒸汽蒸馏为主流生产工艺。使用水蒸汽蒸馏工艺生产松香要耗费大量的温度约300º以上的高温水蒸汽。通常每生产1吨松香约要耗用1吨水蒸汽，耗能是巨大的，而这吨水蒸汽完成蒸馏过程后变成等量的废渣水，必须经处理后才能排放，否则会严重污染环境。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种用于加工松脂的蒸馏器，以解决上述
技术介绍
中提出的问题。为实现上述目的，本专利技术提供如下技术方案：一种用于加工松脂的蒸馏器，包括用金属制成的顶盖、蒸发器、冷却器和连接螺栓螺母，所述的顶盖设有盖连接法兰，脂液进料口，真空表座；所述的蒸发器包括外筒体，外筒体的上端连接法兰和下端连接法兰，设在外筒体上部的导热油出口，设在外筒体下部的导热油进口和真空接口，装在外筒体内的蒸发筒，装在蒸发筒顶端上方的液流分佈器；其中蒸发筒的内圆筒壁表面加工成水平的环状波纹面，环状波纹面自内筒顶向下排列到内筒底；所述的冷却器由置于蒸发筒内部、顶部密封的冷却筒，套在冷却筒下部的蒸出液收集环和与蒸出液收集环相连通的蒸出液出口，冷却器底部封板及连接法兰，设在冷却器底部封板的蒸余液出口，设在冷却筒下端的冷却液进口和冷却液出口构成；所述的顶盖与蒸发器之间和蒸发器与冷却器之间均通过连接法兰及螺栓螺母连接；所述冷却器包括自熄式超再生检波电路、调谐回路、音频放大电路、整流触发电路、解码开关驱动电路和冷暖转换电路，所述自熄式超再生检波电路包括三极管VT1、电感L2、电感L3和电容C3，所述调谐回路包括电感L1和电容C1，所述音频放大电路包括三极管VT2、电容C5和电阻R6，所述整流触发电路包括二极管VD1、二极管VD2和三极管VT3，所述解码开关驱动电路包括芯片IC和电容C10，所述冷暖转换电路包括三极管VT4、三极管VT5和三极管VT6；所述三极管VT1基极分别连接电阻R1、电阻R2和电容C2，电容C2另一端分别连接电感L1和可调电容C1，可调电容C1另一端分别连接电感L1另一端、电感L2、电阻R4和三极管VT1集电极，三极管VT1发射极分别连接电阻R3和电容C3，电阻R3另一端分别连接电阻R2、电容C4，三极管VT2发射极、电容C6、二极管VD2正极、电容C8、三极管VT3发射极、电容C10、芯片IC引脚10、三极管VT9发射极、三极管VT8发射极和电源负极，所述电容C3另一端分别连接电感L2另一端、电阻R4另一端和电感L3，所述电阻R1另一端分别连接电阻R5、电阻R7、接地电容C9、电阻R8、芯片IC引脚14、电阻R9、三极管VT5发射极、三极管VT6发射极和开关S，所述电感L3另一端分别连接电阻R5另一端、电容C4另一端和电容C5，电容C5另一端分别连接电阻R6和三极管VT2基极，电阻R6另一端分别连接电阻R7另一端、三极管VT2集电极、电容C6另一端和电容C7，电容C7另一端分别连接二极管VD2负极和二极管VD1正极，二极管VD1负极分别连接电容C8另一端和三极管VT3基极，三极管VT3集电极分别连接电阻R8另一端和芯片IC引脚1，芯片IC引脚13连接电阻R9另一端，芯片IC引脚6分别连接VT4基极和三极管VT7基极，三极管VT4发射极连接电阻R10，电阻R10另一端连接三极管VT5基极，三极管VT4集电极连接三极管VT8基极，三极管VT5集电极分别连接半导体制冷片G和三极管VT9集电极，三极管VT9基极连接电阻R11，电阻R11另一端连接三极管VT7发射极，半导体制冷片G另一端分别连接三极管VT6集电极和三极管VT8集电极，所述开关S连接电源正极。作为本专利技术进一步的方案：所述蒸发筒的大小是按生产要求设定，蒸发筒的内直径D设在250-1000毫米之间；蒸发筒的有效蒸发面垂直长度H值设在1000-2000毫米之间；蒸发筒内圆筒壁表面的环状波纹面由凸环和两凸环之间形成的凹环排布构成，各凸环的宽度为2-4毫米，凸环凸高是凸环宽度的1／2-2／3，凹环的宽度为2-4毫米。作为本专利技术进一步的方案：所述冷却筒的内直径d要比蒸发筒的内直径D小，两者相差为30-60毫米，冷却筒的有效冷却面垂直长度与蒸发筒的有效蒸发面垂直长度H值相等。作为本专利技术进一步的方案：所述芯片IC型号为LC220A。作为本专利技术再进一步的方案：所述二极管VD1和二极管VD2型号均为1N41481，所述三极管VT1型号为9018，所述三极管VT2和三极管VT3型号为9014，所述三极管VT4、三极管VT5和三极管VT6型号均为9012，所述三极管VT7、三极管VT8和三极管VT9型号均为9013。与现有技术相比，本专利技术的有益效果是：本专利技术采用的是真空低温分子短程蒸发原理，无需大量的高温过热水蒸汽，本蒸馏器比水蒸汽蒸馏设备节约三分之二的热能，没有污水排放，生产成本也大幅度下降。附图说明图1为用于加工松脂的蒸馏器的正面剖面示意图。图2是图1蒸发筒内表面环状波纹面Z的剖面放大图。图3为用于加工松脂的蒸馏器中冷却器的电路控制图。图中A是顶盖，B是蒸发器，C是冷却器，M是螺栓螺母，D是蒸发筒内直径，d是冷却筒内直径，H是蒸发筒的有效蒸发面垂直长度，1是盖连接法兰，2是脂液进料口，3是真空表座，5是外筒体，4是外筒体的上端连接法兰，6是导热油进口，7是导热油出口，8是外筒体的下端连接法兰，9是真空接口，10是蒸发筒，11是液流分佈器，12是冷却筒，13是蒸出液收集环，14是冷却器底部封板的连接法兰，15是蒸余液出口，16是冷却液进口，17是冷却液出口，18是蒸出液出口，19是蒸发筒内的环状波纹面Z的凸环，20是两凸环之间形成的凹环，21是凸环凸高。具体实施方式下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。请参阅图1～3，本专利技术实施例中，一种用于加工松脂的蒸馏器，包括用金属制成的顶盖A、蒸发器B、冷却器C和连接螺栓螺母M，所述的顶盖A设有盖连接法兰1，脂液进料口2，真空表座3；所述的蒸发器B包括外筒体5，外筒体的上端连接法兰4和下端连接法兰8，设在外筒体5上部的导热油出口7，设在外筒体5下部的导热油进口6和真空接口9，装在外筒体5内的蒸发筒10，装在蒸发筒10顶端上方的液流分佈器11；其中蒸发筒10的内圆筒壁表面加工成水平的环状波纹面Z，环状波纹面Z自内筒顶向下排列到内筒底；所述的冷却器C由置于蒸发筒10内部、顶部密封的冷却筒12，套在冷却筒12下部的蒸出液收集环13和与蒸出液收集环13相连通的蒸出液出口18，冷却器底部封板及连接法兰14，设在冷却器底部封板的蒸余液出口15，设在冷却筒(12)下端的冷却液进口16和冷却液出口17构成；所述的顶盖A与蒸发器B之间和蒸发器B与冷却器C之间均通过连接法兰及螺栓螺母M连接；所述冷却器C包括自熄式超再生检波电路、调谐回路、音频放大电路、整流触发电路、解码开关驱动电路和冷暖转换电路，所述自熄式超再生检波电路包括三极管VT1、电感L2、电感L3和电容C3，所述调谐回路包括电感L1和电容C1，所述音频放大电路包括三极管VT2、电容C5和电阻R6，所述整流触发电路包括二极管VD1、二极管VD2和三极管VT3，所述解码开关本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于加工松脂的蒸馏器，包括用金属制成的顶盖（A）、蒸发器（B）、冷却器（C）和连接螺栓螺母（M），其特征在于，所述的顶盖（A）设有盖连接法兰（1），脂液进料口（2），真空表座（3）；所述的蒸发器（B）包括外筒体（5），外筒体的上端连接法兰（4）和下端连接法兰（8），设在外筒体（5）上部的导热油出口（7），设在外筒体（5）下部的导热油进口（6）和真空接口（9），装在外筒体（5）内的蒸发筒（10），装在蒸发筒（10）顶端上方的液流分佈器（11）；其中蒸发筒（10）的内圆筒壁表面加工成水平的环状波纹面（Z），环状波纹面（Z）自内筒顶向下排列到内筒底；所述的冷却器（C）由置于蒸发筒（10）内部、顶部密封的冷却筒（12），套在冷却筒（12）下部的蒸出液收集环（13）和与蒸出液收集环（13）相连通的蒸出液出口（18），冷却器底部封板及连接法兰（14），设在冷却器底部封板的蒸余液出口（15），设在冷却筒(12)下端的冷却液进口（16）和冷却液出口（17）构成；所述的顶盖（A）与蒸发器（B）之间和蒸发器（B）与冷却器（C）之间均通过连接法兰及螺栓螺母（M）连接；所述冷却器（C）包括自熄式超再生检波电路、调谐回路、音频放大电路、整流触发电路、解码开关驱动电路和冷暖转换电路，所述自熄式超再生检波电路包括三极管VT1、电感L2、电感L3和电容C3，所述调谐回路包括电感L1和电容C1，所述音频放大电路包括三极管VT2、电容C5和电阻R6，所述整流触发电路包括二极管VD1、二极管VD2和三极管VT3，所述解码开关驱动电路包括芯片IC和电容C10，所述冷暖转换电路包括三极管VT4、三极管VT5和三极管VT6；所述三极管VT1基极分别连接电阻R1、电阻R2和电容C2，电容C2另一端分别连接电感L1和可调电容C1，可调电容C1另一端分别连接电感L1另一端、电感L2、电阻R4和三极管VT1集电极，三极管VT1发射极分别连接电阻R3和电容C3，电阻R3另一端分别连接电阻R2、电容C4，三极管VT2发射极、电容C6、二极管VD2正极、电容C8、三极管VT3发射极、电容C10、芯片IC引脚10、三极管VT9发射极、三极管VT8发射极和电源负极，所述电容C3另一端分别连接电感L2另一端、电阻R4另一端和电感L3，所述电阻R1另一端分别连接电阻R5、电阻R7、接地电容C9、电阻R8、芯片IC引脚14、电阻R9、三极管VT5发射极、三极管VT6发射极和开关S，所述电感L3另一端分别连接电阻R5另一端、电容C4另一端和电容C5，电容C5另一端分别连接电阻R6和三极管VT2基极，电阻R6另一端分别连接电阻R7另一端、三极管VT2集电极、电容C6另一端和电容C7，电容C7另一端分别连接二极管VD2负极和二极管VD1正极，二极管VD1负极分别连接电容C8另一端和三极管VT3基极，三极管VT3集电极分别连接电阻R8另一端和芯片IC引脚1，芯片IC引脚13连接电阻R9另一端，芯片IC引脚6分别连接VT4基极和三极管VT7基极，三极管VT4发射极连接电阻R10，电阻R10另一端连接三极管VT5基极，三极管VT4集电极连接三极管VT8基极，三极管VT5集电极分别连接半导体制冷片G和三极管VT9集电极，三极管VT9基极连接电阻R11，电阻R11另一端连接三极管VT7发射极，半导体制冷片G另一端分别连接三极管VT6集电极和三极管VT8集电极，所述开关S连接电源正极。...

【技术特征摘要】
1.一种用于加工松脂的蒸馏器，包括用金属制成的顶盖（A）、蒸发器（B）、冷却器（C）和连接螺栓螺母（M），其特征在于，所述的顶盖（A）设有盖连接法兰（1），脂液进料口（2），真空表座（3）；所述的蒸发器（B）包括外筒体（5），外筒体的上端连接法兰（4）和下端连接法兰（8），设在外筒体（5）上部的导热油出口（7），设在外筒体（5）下部的导热油进口（6）和真空接口（9），装在外筒体（5）内的蒸发筒（10），装在蒸发筒（10）顶端上方的液流分佈器（11）；其中蒸发筒（10）的内圆筒壁表面加工成水平的环状波纹面（Z），环状波纹面（Z）自内筒顶向下排列到内筒底；所述的冷却器（C）由置于蒸发筒（10）内部、顶部密封的冷却筒（12），套在冷却筒（12）下部的蒸出液收集环（13）和与蒸出液收集环（13）相连通的蒸出液出口（18），冷却器底部封板及连接法兰（14），设在冷却器底部封板的蒸余液出口（15），设在冷却筒(12)下端的冷却液进口（16）和冷却液出口（17）构成；所述的顶盖（A）与蒸发器（B）之间和蒸发器（B）与冷却器（C）之间均通过连接法兰及螺栓螺母（M）连接；所述冷却器（C）包括自熄式超再生检波电路、调谐回路、音频放大电路、整流触发电路、解码开关驱动电路和冷暖转换电路，所述自熄式超再生检波电路包括三极管VT1、电感L2、电感L3和电容C3，所述调谐回路包括电感L1和电容C1，所述音频放大电路包括三极管VT2、电容C5和电阻R6，所述整流触发电路包括二极管VD1、二极管VD2和三极管VT3，所述解码开关驱动电路包括芯片IC和电容C10，所述冷暖转换电路包括三极管VT4、三极管VT5和三极管VT6；所述三极管VT1基极分别连接电阻R1、电阻R2和电容C2，电容C2另一端分别连接电感L1和可调电容C1，可调电容C1另一端分别连接电感L1另一端、电感L2、电阻R4和三极管VT1集电极，三极管VT1发射极分别连接电阻R3和电容C3，电阻R3另一端分别连接电阻R2、电容C4，三极管VT2发射极、电容C6、二极管VD2正极、电容C8、三极管VT3发射极、电容C10、芯片IC引脚10、三极管VT9发射极、三极管VT8发射极和电源负极，所述电容C3另一端分别连接电感L2另一端、电阻R4另一端和电感L3，所述电阻R1另一端分别连接电阻R5、电阻R7、接地电...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈彦羽，
申请(专利权)人：陈彦羽，
类型：发明
国别省市：广西;45