芯片IAP数据更新控制方法及系统技术方案

一种芯片IAP数据更新控制方法及系统，所述控制方法包括：判断是否接收到第一LVD中断信号，所述第一LVD中断信号为所述芯片的LVD电路在检测到所述芯片的内部电压低于第一预设电压值时生成；当接收到所述第一LVD中断信号时，禁止IAP数据更新。上述方案能够避免系统内部电压不稳定导致系统软件更新失败的问题。

Chip IAP data updating control method and system

A chip IAP data update system and control method, the control method includes: judging whether to receive the first LVD interrupt signal, the first signal for the LVD interrupt LVD circuit of the chip to generate internal voltage of the chip in the detection of lower than the first preset voltage value; when receiving the first LVD interrupt no signal, IAP data update. The above scheme can avoid the problem of system software update failure due to the internal voltage instability.

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及芯片领域，尤其涉及一种芯片IAP数据更新控制方法及系统。
技术介绍
在实际应用中，可重复编程的芯片中内置有可编程存储器，可编程存储器通常为Flash闪存。在对芯片进行编程操作时，将芯片放置于专用编程器的芯片底座，使用专用编程器烧录程序至芯片内部的Flash闪存。然而，上述烧录方法的缺陷是一旦已经烧录程序的芯片焊接到系统板上，后续无法再次对芯片进行编程，或者专门设置一个可拔插芯片的底座。为便于用户对芯片内部的程序进行更新，出现了一种在系统可编程(In-SystemProgramming，ISP)技术，使用双线串口或单线串口对芯片进行编程。然而，ISP技术仍需要技术工程师现场对芯片进行编程，在对系统软件进行更新时，费时耗力。现有技术中，出现了IAP技术，可以远程对系统软件进行更新，从而无线技术工程师现场对芯片进行编程。IAP编程技术的应用场景较为广泛，在某些应用场景下，在通过IAP编程技术对系统软件进行更新时，可能会存在芯片的内部电压不稳定或受到强干扰的情况。而在实际应用中可知，当Flash闪存的电压需要高于一定值时，才可对Flash闪存进行编程或擦除操作。当Flash闪存的工作电压不稳定时，可能会出现编程或擦除操作失败等情况，导致IAP数据更新失败，进而导致系统崩溃。
技术实现思路
本专利技术解决的是如何避免系统内部电压不稳定导致系统软件更新失败的问题。为解决上述技术问题，本专利技术实施例提供一种芯片IAP数据更新控制方法，包括：判断是否接收到第一LVD中断信号，所述第一LVD中断信号为所述芯片的LVD电路在检测到所述芯片的内部电压低于第一预设电压值时生成；当接收到所述第一LVD中断信号时，禁止IAP数据更新；当未接收到所述第一LVD中断信号时，执行IAP数据更新。可选的，所述芯片IAP数据更新控制方法还包括：判断是否接收到第二LVD中断信号，所述第二LVD中断信号为所述LVD电路在检测到所述芯片的内部电压低于第二预设电压值时生成，且所述第二预设电压值大于所述第一预设电压值；当接收到所述第二LVD中断信号时，将所述LVD电路的电压检测阈值修改为所述第一预设电压值；所述第二预设电压值大于所述第一预设电压值，且所述第一预设电压值不小于所述芯片内部适于存储所述IAP数据的Flash闪存的最低工作电压；所述第二预设电压值不小于所述芯片的最低工作电压。可选的，在将所述LVD电路的电压检测阈值修改为所述第一预设电压值之后，还包括：当未接收到所述第一LVD中断信号时，保存所述芯片内部的数据后，执行IAP数据更新。可选的，在执行IAP数据更新时，包括：当接收到IAP中断信号时，获取所述IAP中断信号对应的IAP中断类型；停止IAP数据更新，并根据所述IAP中断类型执行相应的中断处理。可选的，所述根据所述IAP中断类型执行相应的中断处理，包括以下至少一种：当所述IAP中断类型为地址写入出错时，重新写入所述地址；当所述IAP中断类型为数据写入出错时，重新写入所述数据；当所述IAP中断类型为启动项出错时，重新写入正确的启动码；当所述IAP中断类型为更新时长超出预设的IAP数据更新持续时长时，停止IAP数据更新。本专利技术实施例还提供了一种芯片IAP数据更新控制系统，包括：控制器、Flash闪存、IAP状态机、中断信号处理器、LVD电路以及SRAM，其中：所述控制器与所述Flash闪存、所述IAP状态机、所述中断信号处理器、所述LVD电路以及所述SRAM均耦接；所述Flash闪存，与所述IAP状态机以及所述控制器耦接，适于存储IAP程序数据以及中断服务程序数据；所述控制器，适于在上电时，将所述IAP程序数据以及所述中断服务程序数据写入至所述SRAM并执行；以及在接收到第一LVD中断信号时，向所述IAP状态机发送所述IAP数据更新停止指令；所述IAP状态机，与所述Flash闪存、所述SRAM以及所述控制器耦接，适于在接收到所述控制器发送的IAP数据更新指令时，对所述Flash闪存进行操作；以及，在接收到所述控制器发送的IAP数据更新停止指令时，停止对所述Flash闪存的操作；所述LVD电路，与所述中断信号处理器以及所述控制器耦接，适于当检测到芯片的内部电压低于第一预设电压值时生成第一LVD中断信号，并发送至所述中断信号处理器；所述中断信号处理器，与所述IAP状态机、所述LVD电路以及所述控制器耦接，适于对接收到的所述第一LVD中断信号进行处理并发送至所述控制器；所述SRAM，与所述IAP状态机以及所述控制器耦接，适于存储所述IAP程序数据以及所述中断服务程序数据。可选的，所述LVD电路，还适于当检测到所述芯片的内部电压低于第二预设电压值时生成第二LVD中断信号，并将所述第二LVD中断信号发送至所述中断信号处理器；所述第二预设电压值大于所述第一预设电压值；所述中断信号处理器，还适于对接收到的所述第二LVD中断信号进行处理并发送至所述控制器；所述控制器，还适于在接收到经过处理后的所述第二LVD中断信号时，向所述IAP状态机发送IAP数据保存指令，并将所述LVD电路的电压检测阈值修改为所述第一预设电压值；以及在接收到所述IAP状态机反馈的所述Flash闪存的操作停止信号时，控制所述Flash闪存保存已写入数据；所述IAP状态机，还适于在接收到所述IAP数据保存指令时，停止对所述Flash闪存的操作，并向所述控制器反馈所述Flash闪存的操作停止信号。可选的，所述第一预设电压值不小于所述Flash闪存的最低工作电压；所述第二预设电压值不小于所述芯片的最低工作电压。可选的，所述控制器，还适于在将所述LVD电路的电压检测阈值修改为所述第一预设电压值之后，在未接收到所述LVD电路发送的第一LVD中断信号时，向所述IAP状态机发送所述IAP数据更新指令，执行IAP数据更新。可选的，所述IAP状态机，还适于在执行IAP数据更新时，将生成的IAP中断信号发送至所述中断信号处理器；以及接收到所述控制器发送的IAP数据更新停止指令时，停止IAP数据更新；所述中断信号处理器，还适于对所述IAP中断信号进行处理，并将经过处理后的IAP中断信号发送至所述控制器；所述控制器，还适于向所述IAP状态机发送IAP数据更新停止指令，并根据所述经过处理后的IAP中断信号对应的IAP中断类型，执行相应的中断处理。可选的，所述控制器，适于根据所述经过处理后的IAP中断信号对应的IAP中断类型，执行如下至少一种中断处理操作：当所述IAP中断类型为地址写入出错时，控制所述IAP状态机重新向所述Flash闪存写入地址；当所述IAP中断类型为数据写入出错时，控制所述IAP状态机重新向所述Flash闪存写入数据；当所述IAP中断类型为启动项出错时，控制所述IAP状态机重新向所述Flash闪存写入正确的启动码；当所述IAP中断类型为更新时长超出预设的IAP数据更新持续时长时，向所述IAP状态机发送IAP数据更新停止指令。与现有技术相比，本专利技术实施例的技术方案具有以下有益效果：当接收到第一LVD中断信号时，判定当前芯片的内部电压较低，无法正常工作，禁止IAP数据更新，从而可以避免系统内部电压不稳定导致系统软件更新失败。进一步，当接收到第二LVD中断信号时，保存芯片内部的现场数本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种芯片IAP数据更新控制方法，其特征在于，包括：判断是否接收到第一LVD中断信号，所述第一LVD中断信号为所述芯片的LVD电路在检测到所述芯片的内部电压低于第一预设电压值时生成；当接收到所述第一LVD中断信号时，禁止IAP数据更新；当未接收到所述第一LVD中断信号时，执行IAP数据更新。

【技术特征摘要】
1.一种芯片IAP数据更新控制方法，其特征在于，包括：判断是否接收到第一LVD中断信号，所述第一LVD中断信号为所述芯片的LVD电路在检测到所述芯片的内部电压低于第一预设电压值时生成；当接收到所述第一LVD中断信号时，禁止IAP数据更新；当未接收到所述第一LVD中断信号时，执行IAP数据更新。2.如权利要求1所述的芯片IAP数据更新控制方法，其特征在于，在判断是否接收到第一LVD中断信号之前，还包括：判断是否接收到第二LVD中断信号，所述第二LVD中断信号为所述LVD电路在检测到所述芯片的内部电压低于第二预设电压值时生成；当接收到所述第二LVD中断信号时，将所述LVD电路的电压检测阈值修改为所述第一预设电压值；所述第二预设电压值大于所述第一预设电压值，且所述第一预设电压值不小于所述芯片内部适于存储所述IAP数据的Flash闪存的最低工作电压；所述第二预设电压值不小于所述芯片的最低工作电压。3.如权利要求2所述的芯片IAP数据更新控制方法，其特征在于，在将所述LVD电路的电压检测阈值修改为所述第一预设电压值之后，还包括：当未接收到所述第一LVD中断信号时，保存所述芯片内部的数据后，执行IAP数据更新。4.如权利要求1所述的芯片IAP数据更新控制方法，其特征在于，在执行IAP数据更新时，包括：当接收到IAP中断信号时，获取所述IAP中断信号对应的IAP中断类型；停止IAP数据更新，并根据所述IAP中断类型执行相应的中断处理。5.如权利要求4所述的芯片IAP数据更新控制方法，其特征在于，所述根据所述IAP中断类型执行相应的中断处理，包括以下至少一种：当所述IAP中断类型为地址写入出错时，重新写入所述地址；当所述IAP中断类型为数据写入出错时，重新写入所述数据；当所述IAP中断类型为启动项出错时，重新写入正确的启动码；当所述IAP中断类型为更新时长超出预设的IAP数据更新持续时长时，停止IAP数据更新。6.一种芯片IAP数据更新控制系统，其特征在于，包括：控制器、Flash闪存、IAP状态机、中断信号处理器、LVD电路以及SRAM，其中：所述控制器与所述Flash闪存、所述IAP状态机、所述中断信号处理器、所述LVD电路以及所述SRAM均耦接；所述Flash闪存，与所述IAP状态机以及所述控制器耦接，适于存储IAP程序数据以及中断服务程序数据；所述控制器，适于在上电时，将所述IAP程序数据以及所述中断服务程序数据写入至所述SRAM并执行；以及在接收到第一LVD中断信号时，向所述IAP状态机发送所述IAP数据更新停止指令；所述IAP状态机，与所述Flash闪存、所述SRAM以及所述控制器耦接，适于在接收到所述控制器发送的IAP数据更新指令时，对所述Flash闪存进行操作；以及，在接收到所述控制器发送的IAP数据更新停止指令时，停止对所述Flash闪存的操作；所述LVD电路，与所述中断信号处理器以及所述控制器耦接，适于当检测到芯片的内部电压低于第一预设...

【专利技术属性】
技术研发人员：许克龙，钟雄光，
申请(专利权)人：上海东软载波微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31