多级降压收集极上的收集极瓷筒及包括该瓷筒的收集极制造技术

本实用新型专利技术公开了一种多级降压收集极上的收集极瓷筒及包括该瓷筒的收集极，所述收集极瓷筒包括具有至少三级降压功能的筒体，所述收集极瓷筒的筒体为筒状一体结构；所述收集极瓷筒的筒体内壁上设有用于定位安装该收集极瓷筒内所设内收集极的限位凸台；本实用新型专利技术所提供的收集极瓷筒解决了传统多瓣结构瓷筒或分体结构瓷筒装配工序繁琐、在装配过程中瓷筒易于形变的问题；本实用新型专利技术所提供的包括该瓷筒的收集极与传统收集极相比，装配过程更加简单，易于实现内收集极的定位、组装，且收集极在装配时所产生的叠加误差小。

【技术实现步骤摘要】

本技术属于真空微波电子器件领域，特别涉及一种多级降压收集极上的收集极瓷筒及包括该瓷筒的收集极。
技术介绍
行波管是目前应用最广泛的电真空器件。毫米波行波管主要应用于通信、雷达、弹载导引头、电子对抗等领域；由于机载、航天应用、合成应用等领域对体积、重量方面有着严格的限制，毫米波行波管面临着小型化的要求。收集极是行波管中接收电子注并回收能量的部件。目前，毫米波宽带大功率行波管大多使用多级降压收集极，多级降压收集极从电子注中回收能量，从而降低了输入功率，可以有效地提高整管总效率，因而，多级降压收集极的小型化设计已经成为毫米波行波管结构设计的重点。收集极主要由保持一定绝缘距离的金属件和用于绝缘的瓷件组成；目前，毫米波多级降压收集极主要采用的是分体式结构的收集极，即用于绝缘的收集极瓷件为多瓣结构或者各级收集极间的绝缘瓷件为分体结构。此种分体式结构的收集极由于装配零部件较多，在装配过程中，工序繁琐且各零部件之间较易出现形变，由于装配工艺会产生的公差，各零部件之间装配后也会产生配合公差，加之公差之间所产生的叠加效应，导致成品后的收集极组件的同轴度较难保证，此外，此种分体式结构的收集极结构不利于实现收集极的小型化。
技术实现思路
本技术要解决的第一个技术问题是提供一种多级降压收集极上的收集极瓷筒；本技术所提供的收集极瓷筒筒体为筒状一体结构，其解决了传统多瓣结构瓷筒或分体结构瓷筒装配工序繁琐、在装配过程中瓷筒易于形变的问题，并大大减少了瓷筒及内收集极在装配过程中所产生的公差，且避免了各零部件装配公差之间所产生的叠加效应；对于高电压的行波管，分体结构的瓷筒显然局限了收集极的小型化，多瓣结构的瓷筒，在同样外径情况下，为了保证其爬电距离，需要增加瓷瓣的厚度，本技术所提供的整体式瓷筒，最大限度的增加了内收集极的装配空间，因而可将内收集极做到尽量大，同时，能方便的设计收集极各极之间的绝缘距离，提高了收集极效率，以及耐压强度，便于实现收集极的小型化。本技术要解决的第二个技术问题是提供一种包括上述收集极瓷筒的多级降压收集极；该具有整体式收集极瓷筒的多级降压收集极与传统收集极相比，在相同的单位体积内，内收集极和收集极瓷筒整个圆周充分接触，从而使得收集极整体的散热面积最大；并通过收集极瓷筒内壁上所设的限位凸台，使得内收集极的装配过程更加简单，易于实现内收集极的定位、组装，且收集极在装配时所产生的叠加误差小，内收集极、收集极瓷筒的同轴度较易保证，能够更好的保证行波管电子注通道的同轴度。为解决上述第一个技术问题，本技术采用下述技术方案：一种多级降压收集极上的收集极瓷筒，所述收集极瓷筒包括具有至少三级降压功能的筒体，所述收集极瓷筒的筒体为筒状一体结构；所述收集极瓷筒的筒体内壁上设有用于定位安装该收集极瓷筒内所设内收集极的限位凸台；所述限位凸台包括依次设置的用于定位安装第一内收集极的第一限位台、用于定位安装第二内收集极的第二限位台和用于定位安装第三内收集极的第三限位台。本技术所提供的收集极瓷筒筒体为筒状一体结构，通过瓷筒内壁所设置的限位凸台，使得第一内收集极、第二内收集极和第三内收集极能够直接装配到瓷筒内，其解决了传统多瓣结构瓷筒或分体结构瓷筒装配工序繁琐、在装配过程中瓷筒易于形变的问题，并大大减少了瓷筒及内收集极在装配过程中所产生的公差，且避免了各零部件装配公差之间所产生的叠加效应；同时本技术所提供的整体式瓷筒筒体能够最大限度的增加内收集极的装配空间，因而可将内收集极做到尽量大，同时，能方便的设计收集极各极之间的绝缘距离，提高了收集极效率，以及耐压强度，便于实现收集极的小型化。进一步的，所述第一限位台的设置方向、第二限位台的设置方向和第三限位台的设置方向相同，均朝向于所述收集极瓷筒的尾端；所述第三限位台处的内径大于所述第二限位台处的内径，所述第二限位台处的内径大于所述第一限位台处的内径。通过上述限位台的设计，使得内收集极能够直接装配至收集极瓷筒内，在保证装配精度的同时，简化了装配工序，避免了传统多瓣结构瓷筒或分体结构瓷筒在装配过程中工序繁琐、瓷筒易于形变的问题，并减少了瓷筒及内收集极在装配过程中所产生的公差，且避免了各零部件装配公差之间所产生的叠加效应。进一步的，所述第一限位台的设置方向、第二限位台的设置方向和第三限位台的设置方向相同，均朝向于所述收集极瓷筒的头端；所述第一限位台处的内径大于所述第二限位台处的内径，所述第二限位台处的内径大于所述第三限位台处的内径。通过上述限位台的设计，使得内收集极能够直接装配至收集极瓷筒内，在保证装配精度的同时，简化了装配工序，避免了传统多瓣结构瓷筒或分体结构瓷筒在装配过程中工序繁琐、瓷筒易于形变的问题，并减少了瓷筒及内收集极在装配过程中所产生的公差，且避免了各零部件装配公差之间所产生的叠加效应。进一步的，所述第二限位台的设置方向和第三限位台的设置方向相同，均朝向于所述收集极瓷筒的尾端；所述第三限位台处的内径大于所述第二限位台处的内径；所述第一限位台的设置方向与第二限位台的设置方向相反，该所述第一限位台的设置方向朝向于所述收集极瓷筒的头端。通过上述限位台的设计，使得内收集极能够直接装配至收集极瓷筒内，在保证装配精度的同时，简化了装配工序，避免了传统多瓣结构瓷筒或分体结构瓷筒在装配过程中工序繁琐、瓷筒易于形变的问题，并减少了瓷筒及内收集极在装配过程中所产生的公差，且避免了各零部件装配公差之间所产生的叠加效应。为解决上述第二个技术问题，本技术采用下述技术方案：一种包括上述收集极瓷筒的多级降压收集极，所述收集极包括依次设置在收集极瓷筒内的第一内收集极、第二内收集极、第三内收集极、第四内收集极和固设在所述收集极瓷筒外壁上的收集极外筒；所述第一内收集极通过第一限位台定位安装在所述收集极瓷筒内，所述第二内收集极通过第二限位台定位安装在所述收集极瓷筒内，所述第三内收集极通过第三限位台定位安装在所述收集极瓷筒内，所述第四内收集极通过第四内收集极绝缘瓷件及第四内收集极环状金属件与所述收集极瓷筒尾端的连接环连接固定。本技术所提供的多级降压收集极具有整体式收集极瓷筒，与传统收集极相比，在相同的单位体积内，内收集极和收集极瓷筒整个圆周充分接触，从而使得收集极整体的散热面积最大；并通过收集极瓷筒内壁上所设的限位凸台，使得内收集极的装配过程更加简单，易于实现内收集极的定位、组装，且收集极在装配时所产生的叠加误差小，内收集极、收集极瓷筒的同轴度较易保证，能够更好的保证行波管电子注通道的同轴度。进一步的，所述第一内收集极的外壁面上、第二内收集极的外壁面上和第三内收集极的外壁面上均设置有用于放置焊料片的焊料槽。进一步的，所述焊料槽呈螺旋线状结构布置在所述第一内收集极的外壁面上、第二内收集极的外壁面上和第三内收集极的外壁面上。进一步的，沿所述收集极外筒的轴线方向，所述收集极外筒的筒体上开设有一条竖缝。在收集极外筒的筒体上设置竖缝的目的在于，由于内收集极和收集极外筒与收集极瓷筒所用材料不同、膨胀系数不同，三者在滑配状态下组合成收集极整体，在焊接过程中，为了避免收集极瓷筒炸裂，进而在收集极外筒的筒体上设置竖缝。进一步的，所述第一内收集极的第一引线穿过所述收集极瓷筒的筒壁置于所述收集极体外，所述本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种多级降压收集极上的收集极瓷筒，其特征在于：所述收集极瓷筒包括具有至少三级降压功能的筒体，所述收集极瓷筒的筒体为筒状一体结构；所述收集极瓷筒的筒体内壁上设有用于定位安装该收集极瓷筒内所设内收集极的限位凸台；所述限位凸台包括依次设置的用于定位安装第一内收集极的第一限位台、用于定位安装第二内收集极的第二限位台和用于定位安装第三内收集极的第三限位台。

【技术特征摘要】
1.一种多级降压收集极上的收集极瓷筒，其特征在于：所述收集极瓷筒包括具有至少三级降压功能的筒体，所述收集极瓷筒的筒体为筒状一体结构；所述收集极瓷筒的筒体内壁上设有用于定位安装该收集极瓷筒内所设内收集极的限位凸台；所述限位凸台包括依次设置的用于定位安装第一内收集极的第一限位台、用于定位安装第二内收集极的第二限位台和用于定位安装第三内收集极的第三限位台。2.根据权利要求1所述的多级降压收集极上的收集极瓷筒，其特征在于：所述第一限位台的设置方向、第二限位台的设置方向和第三限位台的设置方向相同，均朝向于所述收集极瓷筒的尾端；所述第三限位台处的内径大于所述第二限位台处的内径，所述第二限位台处的内径大于所述第一限位台处的内径。3.根据权利要求1所述的多级降压收集极上的收集极瓷筒，其特征在于：所述第一限位台的设置方向、第二限位台的设置方向和第三限位台的设置方向相同，均朝向于所述收集极瓷筒的头端；所述第一限位台处的内径大于所述第二限位台处的内径，所述第二限位台处的内径大于所述第三限位台处的内径。4.根据权利要求1所述的多级降压收集极上的收集极瓷筒，其特征在于：所述第二限位台的设置方向和第三限位台的设置方向相同，均朝向于所述收集极瓷筒的尾端；所述第三限位台处的内径大于所述第二限位台处的内径；所述第一限位台的设置方向与第二限位台的设置方向相反，该所述第一限位台的设置方向朝向于所述收集极瓷筒的头端。5.一种包括如权利要求1至4所述收集极瓷筒的多级降压收集极，其特征在于：所述收集极包括依次设置在收集极瓷筒内的第一内收集极、第二内收集极、第三内收集极、第四内收集极和固设在所述收集极瓷筒外壁上的收集极外筒；所...

【专利技术属性】
技术研发人员：常田颖，杨小萌，李伟，李紫琳，
申请(专利权)人：北京真空电子技术研究所中国电子科技集团公司第十二研究所，
类型：新型
国别省市：北京;11