一种馈电结构及双频共口径天线制造技术

本发明专利技术实施例公开了一种馈电结构和双频共口径天线，涉及通信技术领域，能够解决现有技术中天线结构难以实现多频共口径，使天线口径利用率偏低的问题。本发明专利技术的方法包括：用于双频共口经天线，包括：第一频段对应的第一馈电结构包括第一介质基板和以及设置在第一介质基板相对的两侧上的第一金属层；第二频段对应的第二馈电结构包括第二介质基板、转换结构，以及设置在第二介质基板相对的两侧上的第二金属层，第二介质基板的信号输出端连接转换结构，转换结构包括第三介质基板、第四介质基板和公共基板，第三介质基板与第四介质基板通过公共基板连接；第一馈电结构和第二馈电结构交叉排列。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及通信
，尤其涉及一种馈电结构和双频共口径天线。
技术介绍
天线是通讯电子设备中辐射和接收电磁波的部件。为了在通讯电子设备有限空间中实现带宽和信息传输的最大化，多频共口径天线逐渐被启用。要实现多频天线共口径天线，其中一个关键技术是馈电结构的设计。近年来，基于SIW形式的馈电结构被广泛使用，它既保证低损耗，又使馈电结构方便与其他的电路结构相集成。现有的基于SIW(SubstrateIntegratedWaveguide,基片集成波导)结构的馈电结构主要为板式结构，即平板上是一个基于基片集成波导的1分8功分馈电网络，与平板垂直竖放着八个八元天线阵，天线阵基于基片集成波导的1分16功分器采用级联的1分2“T”型结和1分2“Y”型结组成，最末一级连到天线单元的是“Y”型结，其余均是“T”型结，这种板式结构简单，并具有高效率、高增益等特点。但是，这种板式结构与天线阵为垂直排布，如果将多个天线及馈电结构组成为多频天线共口径天线，将会占用很大的空间，从而降低天线的口径利用率。
技术实现思路
本专利技术的实施例提供一种馈电结构和双频共口径天线，能够解决现有技术中天线结构实现多频共口径时，天线口径利用率降低的问题。为达到上述目的，本专利技术的实施例采用如下技术方案：第一方面，本专利技术的实施例提供一种馈电结构，用于双频共口经天线，包括：第一频段对应的第一馈电结构和第二频段对应的第二馈电结构；所述第一馈电结构包括第一介质基板以及设置在所述第一介质基板相对的两侧上的第一金属层，所述第一介质基板相对两侧上的第一金属层通过多个第一通孔连接，所述第一介质基板的信号输入端、输出端设置第一过度微带；所述第二馈电结构包括第二介质基板、转换结构，以及设置在所述第二介质基板相对的两侧设置的第二金属层，所述第二介质基板相对两侧上的第二金属层通过多个第二通孔连接，所述第二介质基板的信号输入端设置第二过度微带，所述第二介质基板的信号输出端连接所述转换结构；所述转换结构包括第三介质基板、第四介质基板和公共基板，所述第三介质基板与所述第四介质基板通过所述公共基板连接，所述第三介质基板、所述第四介质基板和所述公共基板均设置所述第二金属层和多个所述第二通孔，所述第三介质基板的第二金属层与所述第二介质基板信号输出端的第二金属层直接连接，所述第三介质基板与所述第二基板位于同一平面，所述第三介质基板的第二金属层所在平面与所述公共基板的第二金属层所在平面垂直、且所述公共基板的第二金属层与所述第二基板信号输出的方向垂直，所述第四介质基板的第二金属层所在平面与所述公共基板的第二金属层所在平面垂直、且所述第三介质基板所在平面与所述第四介质基板所在平面夹角为θ；所述第一馈电结构和所述第二馈电结构交叉排列。结合第一方面，在第一方面的第一种可能的实现方式中，所述θ值为45度或90度。结合第一方面或第一方面的第一种可能的实现方式，在第一方面的第二种可能的实现方式中，所述第一通孔轴对称设置，节点为“T”型的二元树状结构；所述第二通孔轴对称设置，节点为“T”型的二元树状结构。第二方面，本专利技术的实施例提供一种双频共口经天线，包括第一方面所述的馈电结构、第一频段对应的第一辐射单元和第二频段对应的第二辐射单元，其中，第一辐射单元与所述第一馈电结构的信号输出端连接，所述第一辐射单元与所述第一馈电结构处于同一平面，所述第二辐射单元与所述第二馈电结构中第四介质基板的信号输出端连接，所述第二辐射单元所处平面与所述第四介质基板所处平面垂直、且第四介质基板的第二金属层所在平面在所述第二辐射单元所处平面的投影与所述第二辐射单元信号输出方向的夹角为θ。结合第二方面，在第二方面的第一种可能的实现方式中，所述θ值为45度。本专利技术实施例提供的一种馈电结构和双频共口径天线，本专利技术中馈电结构，用于双频共口经天线，包括：第一频段对应的第一馈电结构和第二频段对应的第二馈电结构；第一馈电结构包括第一介质基板和第一介质基板相对的两侧设置的第一金属层，第一金属层通过多个第一通孔连接；第二馈电结构包括第二介质基板、转换结构，以及第二介质基板相对的两侧设置的第二金属层；第一馈电结构和所述第二馈电结构交叉排列。如此，第一馈电结构和第二馈电结构能够紧凑的放在一个空间层内对一个线阵进行馈电，对于共口径天线阵列，本专利技术馈电结构对各线阵馈电所实现的整体共口径馈电结构形成交叉排列，不会占用很大的空间，也不会对口径面造成遮挡，提高天线的口径利用率。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其它的附图。图1为本专利技术一实施例提供的馈电结构示意图；图2为本专利技术一实施例提供的第一馈电结构示意图；图3为本专利技术一实施例提供的第二介质基板结构示意图；图4为本专利技术一实施例提供的第二介质基板立体结构示意图；图5为本专利技术一实施例提供的转换结构示意图；图6为本专利技术一实施例提供的第二介质基板和转换结构连接示意图；图7为本专利技术一实施例提供的第二介质基板和转换结构连接示意图；图8为本专利技术一实施例提供的转换结构示意图；图9为本专利技术一实施例提供的馈电结构示意图；图10为本专利技术又一实施例提供的第一馈电结构和第一辐射单元连接示意图；图11为本专利技术又一实施例提供的转换结构和第二辐射单元连接示意图；图12为本专利技术又一实施例提供的双频共口径天线结构示意图；图13为本专利技术又一实施例提供的双频共口径天线结构示意图；图14为本专利技术又一实施例提供的双频共口径天线结构示意图。具体实施方式下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本专利技术保护的范围。为使本专利技术技术方案的优点更加清楚，下面结合附图和实施例对本专利技术作详细说明。本专利技术一实施例提供一种馈电结构，用于双频共口经天线，包括：第一频段对应的第一馈电结构1和第二频段对应的第二馈电结构2；第一馈电结构1包括第一介质基板3以及设置在第一介质基板3相对的两侧上的第一金属层4，第一介质基板3相对两侧上的第一金属层通过多个第一通孔5连接，第一介质基板3的信号输入端、输出端设置第一过度微带6；第二馈电结构2包括第二介质基板7、转换结构，以及设置在第二介质基板7相对的两侧上的第二金属层8，第二介质基板7相对两侧上的第二金属层8通过多个第二通孔9连接，第二介质基板7的信号输入端设置第二过度微带10，第二介质基板7的信号输出端连接转换结构，转换结构包括第三介质基板11、公共基板12和第四介质基板13，第三介质基板11与第四介质基板13通过公共基板12连接，第三介质基板11、第四介质基板13和公共基板12均设置第二金属层8和多个第二通孔9，第三介质基板11的第二金属层8与第二介质基板7信号输出端的第二金属层8直接连接，第三介质基板11与第二介质基板7位于同一平面，第三介质基板11的第二金属层8所在平面与公共本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种馈电结构，其特征在于，用于双频共口经天线，包括：第一频段对应的第一馈电结构和第二频段对应的第二馈电结构；所述第一馈电结构包括第一介质基板以及设置在所述第一介质基板相对的两侧上的第一金属层，所述第一介质基板相对两侧上的第一金属层通过多个第一通孔连接，所述第一介质基板的信号输入端、输出端设置第一过度微带；所述第二馈电结构包括第二介质基板、转换结构，以及设置在所述第二介质基板相对的两侧上的第二金属层，所述第二介质基板相对两侧上的第二金属层通过多个第二通孔连接，所述第二介质基板的信号输入端设置第二过度微带，所述第二介质基板的信号输出端连接所述转换结构；所述转换结构包括第三介质基板、第四介质基板和公共基板，所述第三介质基板与所述第四介质基板通过所述公共基板连接，所述第三介质基板、所述第四介质基板和所述公共基板均设置所述第二金属层和多个所述第二通孔，所述第三介质基板的第二金属层与所述第二介质基板信号输出端的第二金属层直接连接，所述第三介质基板与所述第二基板位于同一平面，所述第三介质基板的第二金属层所在平面与所述公共基板的第二金属层所在平面垂直、且所述公共基板的第二金属层与所述第二基板信号输出的方向垂直，所述第四介质基板的第二金属层所在平面与所述公共基板的第二金属层所在平面垂直、且所述第三介质基板所在平面与所述第四介质基板所在平面夹角为θ；所述第一馈电结构和所述第二馈电结构交叉排列。...

【技术特征摘要】
1.一种馈电结构，其特征在于，用于双频共口经天线，包括：第一频段对应的第一馈电结构和第二频段对应的第二馈电结构；所述第一馈电结构包括第一介质基板以及设置在所述第一介质基板相对的两侧上的第一金属层，所述第一介质基板相对两侧上的第一金属层通过多个第一通孔连接，所述第一介质基板的信号输入端、输出端设置第一过度微带；所述第二馈电结构包括第二介质基板、转换结构，以及设置在所述第二介质基板相对的两侧上的第二金属层，所述第二介质基板相对两侧上的第二金属层通过多个第二通孔连接，所述第二介质基板的信号输入端设置第二过度微带，所述第二介质基板的信号输出端连接所述转换结构；所述转换结构包括第三介质基板、第四介质基板和公共基板，所述第三介质基板与所述第四介质基板通过所述公共基板连接，所述第三介质基板、所述第四介质基板和所述公共基板均设置所述第二金属层和多个所述第二通孔，所述第三介质基板的第二金属层与所述第二介质基板信号输出端的第二金属层直接连接，所述第三介质基板与所述第二基板位于同一平面，所述第三介质基板的第二金属层所在平面与所述公共基板的第二金属层所在平面垂直、且所述公共基板的第二金属层与所述第...

【专利技术属性】
技术研发人员：邹克利，欧阳骏，田泽阳，
申请(专利权)人：华为技术有限公司，电子科技大学，
类型：发明
国别省市：广东;44