一种阵列基板及有机电致发光显示装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术提供一种阵列基板及有机电致发光显示装置，属于显示技术领域，其可解决现有的栅线、数据线金属具有高的反射率，导致显示装置易产生反射影像的问题。本实用新型专利技术的阵列基板包括衬底以及形成于衬底同一侧上的折射率不同的第一介质层和第二介质层，第一介质层与第二介质层的折射率之比为0.4-0.6，其中第一介质层比第二介质层更靠近出光面。低折射率的第一介质层与高折射率的第二介质层实现对外界进入的光线进行相干相消的作用，降低外界进入的光线的反射，从而提高显示的对比度，提高显示质量。本实用新型专利技术的阵列基板适用于各种显示装置，尤其适用于底发光型有机电致发光显示装置。

【技术实现步骤摘要】

本技术属于显示
，具体涉及一种阵列基板及有机电致发光显示装置。
技术介绍
底发光型AMOLED(ActiveMatrix/OrganicLightEmittingDiode有源矩阵有机电致发光显示装置)通常是指显示装置发出的光经由衬底的一侧射出。专利技术人发现现有技术中至少存在如下问题：底发光型的AMOLED的阵列基板采用底栅结构的薄膜晶体管时，由于栅线、数据线金属一般具有很高的反射率，这样容易造成显示装置在暗态产生很强的反射影像，即使在显示状态也会产生反射影像，这就降低了显示装置的画面质量和观瞻效果。为了解决这个问题，常用的方法是在显示面板的出光面贴敷偏光片，这种方法可以有效地降低反射，但同时也造成了像素区出射光线的大量损耗，这就增加了显示装置的功耗。
技术实现思路
本技术针对现有的栅线、数据线金属具有高的反射率，导致显示装置易产生反射影像的问题，提供一种阵列基板及有机电致发光显示装置。解决本技术技术问题所采用的技术方案是：一种阵列基板，包括衬底，以及形成于衬底同一侧上的第一介质层和第二介质层，所述第一介质层与第二介质层的折射率之比为0.4-0.6，其中第一介质层比第二介质层更靠近出光面。优选的，所述阵列基板为底发光型有机电致发光显示装置的阵列基板，所述第一介质层与衬底相邻设置，所述第二介质层设于第一介质层远离衬底的一侧。优选的，所述第一介质层的厚度为人眼敏感波长的1/4；所述第二介质层的厚度为人眼敏感波长的1/4。优选的，所述人眼敏感波长为550nm。优选的，所述第一介质层由氧化硅物(SiOx)、氟化锂(LiF)、氟化镁(MgF)或氧化镁(MgO)中的任意一种构成。优选的，所述第二介质层由氮化硅(SiNx)、硫化镉(CdS)、二氧化铈(CeO2)、氢氧化铪(HfO2)、五氧化二铌(Nb2O5)、氯化铅(PbCl3)或三硫化二锑(Sb2S3)中的任意一种构成。优选的，所述阵列基板为底发光型有机电致发光显示装置的阵列基板，所述阵列基板还包括栅线和数据线，所述栅线靠近衬底的一侧设有第一吸光层，所述数据线靠近衬底的一侧设有第二吸光层。优选的，所述第一吸光层由金属氮氧化物构成；所述第二吸光层由金属氮氧化物构成。优选的，所述第一吸光层的厚度为10nm-100nm；所述第二吸光层的厚度为10nm-100nm。本技术还提供一种底发光型有机电致发光显示装置，包括阵列基板和发光层，所述阵列基板为上述的阵列基板。本技术的阵列基板中，包括衬底以及形成于衬底同一侧上的折射率不同的第一介质层和第二介质层，第一介质层与第二介质层的折射率之比为0.4-0.6，其中第一介质层比第二介质层更靠近出光面。低折射率的第一介质层与高折射率的第二介质层实现对外界进入的光线进行相干相消的作用。降低外界进入的光线的反射，从而提高显示的对比度，提高显示质量。本技术的阵列基板适用于各种显示装置，尤其适用于底发光型有机电致发光显示装置。附图说明图1为本技术的实施例1的阵列基板的结构示意图；图2为本技术的实施例2、3的阵列基板的结构示意图；图3为本技术的实施例4的阵列基板的结构示意图；图4为本技术的实施例的阵列基板的反射率曲线；其中，附图标记为：1、第一介质层；2、第二介质层；3、衬底；4、栅线；5、数据线；61、第一吸光层；62、第二吸光层；7、彩色滤色片；8、发光层。具体实施方式为使本领域技术人员更好地理解本技术的技术方案，下面结合附图和具体实施方式对本技术作进一步详细描述。实施例1：如图1所示，本实施例提供一种阵列基板，包括衬底3，以及形成于衬底3同一侧上的第一介质层1和第二介质层2，第一介质层1与第二介质层2的折射率之比为0.4-0.6，其中第一介质层1比第二介质层2更靠近出光面。本实施例的低折射率的第一介质层1与高折射率的第二介质层2实现对外界进入的光线进行相干相消的作用，降低外界进入的光线的反射，从而提高显示的对比度，提高显示质量。本实用新型的阵列基板适用于各种显示装置，尤其适用于底发光型有机电致发光显示装置。实施例2：本实施例提供一种阵列基板，如图2所示，包括衬底3，以及形成于衬底3同一侧上的第一介质层1和第二介质层2，第一介质层1与第二介质层2的折射率之比为0.4-0.6，其中第一介质层1比第二介质层2更靠近出光面。也就是说，在栅线4下方引入高低折射率交替的介质层，从而对外界入射的光线形成相干相消，降低外界光线的反射。其中，低折射率的第一介质层1与高折射率的第二介质层2的折射率之比n1/n2可以选取为0.4至0.6，这样可以保证会降低金属层表面的反射率，不会造成由于低折射率第一介质层1与高折射率第二介质层2的折射率的比值选取不合适而出现栅线4金属层表面反射率增大或不变的问题。优选的，阵列基板为底发光型有机电致发光显示装置的阵列基板，第一介质层1位于衬底3与第二介质层2之间。也就是说，当阵列基板用于底发光型有机电致发光显示装置时，先在衬底3上沉积一层折射率为n1的低折射率的介质薄膜，即第一介质层1，然后再沉积一层高折射率为n2的介质薄膜，即第二介质层2。虽然图2中以两层介质层均位于同侧且相邻为例，但应当理解，要达到反光目的，两侧不一定相邻，也不一定同侧，只要满足以上第一介质层1比第二介质层2更靠近出光面的条件即可。优选的，第一介质层1的厚度为人眼敏感波长的1/4；第二介质层2的厚度为人眼敏感波长的1/4。优选的，人眼敏感波长为550nm。优选的，第一介质层1由氧化硅(SiOx)、氟化锂(LiF)、氟化镁(MgF)或氧化镁(MgO)中的任意一种构成。优选的，第二介质层2由氮化硅(SiNx)、硫化镉(CdS)、二氧化铈(CeO2)、氢氧化铪(HfO2)、五氧化二铌(Nb2O5)、氯化铅(PbCl3)或三硫化二锑(Sb2S3)中的任意一种构成。优选的，阵列基板还包括多个底栅型薄膜晶体管，与薄膜晶体管的栅极同步形成的栅线4，与薄膜晶体管的源漏极同步形成的数据线5，栅线4靠近衬底3的一侧设有第一吸光层61，数据线5靠近衬底3的一侧设有第二吸光层62。其中，在栅线4和数据线5下方引入吸光层，既不增工艺的难度又可以进一步本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种阵列基板，其特征在于，包括衬底，以及形成于衬底同一侧上的第一介质层和第二介质层，所述第一介质层与第二介质层的折射率之比为0.4‑0.6，其中第一介质层比第二介质层更靠近出光面。

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板，其特征在于，包括衬底，以及形成于衬底
同一侧上的第一介质层和第二介质层，所述第一介质层与第二介
质层的折射率之比为0.4-0.6，其中第一介质层比第二介质层更靠
近出光面。
2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列
基板为底发光型有机电致发光显示装置的阵列基板，所述第一介
质层与衬底相邻设置，所述第二介质层设于第一介质层远离衬底
的一侧。
3.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第一
介质层的厚度为人眼敏感波长的1/4；所述第二介质层的厚度为人
眼敏感波长的1/4。
4.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述人眼
敏感波长为550nm。
5.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第一
介质层由氧化硅、氟化锂、氟化镁或氧化镁中的任意一种构成。
6.根据权利要求1所述的阵...

【专利技术属性】
技术研发人员：张锋，刘静，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：新型
国别省市：北京;11