超声波黄曲霉素提取装置制造方法及图纸

一种用于谷物黄曲霉素快速、直接检测的超声波黄曲霉素提取装置。它由超声波电源、振子、门、升降调节钮、托架、处理时间设定键、处理功率设定键和电源开关键构成。超声波电源装配于装置左侧的电路室内；振子结构以其后座紧固装配于装置顶部。处理室内有可调节升降的托架装配于底板上；调节托架升降并实现定位的升降调节钮装配于右侧壁下部。装置的电路室前壁装配有处理时间设定键、处理功率设定键和电源开关键。门为透明PC材料制成的中空双层平板结构。处理室的右侧壁板、顶部、左侧壁板即电路室右侧壁板、底板均为PC材料制成的中空双层平板，并以上下四平行楞固结成为框结构；通过卡贴和螺丝紧固配合，该框结构与处理室后背板构成槽结构。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种食物毒素检测装置。
技术介绍
随着我国食品安全问题日益受到重视，食品的安全性检验，特别是有害成分的检验也日益受到重视。其中食品毒素的检测方法也成为广受关注的课题。现有的食品毒素检测方法是：首先制备提取液，如8:2的甲醇+纯净水混合液，再将样本如玉米充分、均匀粉碎；然后，以一定配比将提取液与样本混合、搅拌，使提取液与样本混合充分、均匀；再后，将该混合浆液在振动器内长时间(如10以上)大幅振动；接着，经离心机离心沉淀和一定时间沉静，再取出适量振动沉静后的上清液，通过移液抢将所取溶液加入试剂盒(“微孔”)，同时反复吹打，直到溶液与“微孔”底部的试剂充分混合溶解；最后，插入毒素试纸条，如黄曲霉毒素B1试纸条，若显示阳性，则表明样本生有毒素(黄曲霉毒素B1)。这已是既定的习惯做法。但就检测目的，如食品安全的法律取证而言，这种既定方法存在很多缺陷。首先，样本的加工、处理致使样本面目全非，进而使得检测过程和结果由于样本的形态改变而受到怀疑，甚至丧失物证说服力；其次，提取液与样本混合浆液的长时间大幅振动、样本的加工、处理，以及提取液制备所需的繁琐工艺、昂贵的材料成本等，使得检测过程不适合现场取证，也做不到快速检测，因而丧失取证时效。因此，亟待研发一种不必配置提取液，不必粉碎样本，不必长时间振动、不必消耗昂贵材料，能适应多种检测目的，特别是现场取证目的的快速、直接、便捷的食品毒素提取装置。对玉米、小麦、大米等谷物，经过超声波生物处理频率搜索的大量试验，已确认：在21.5kHz频率上进行超声波谷物黄曲霉素B1的提取，可获得最高提取效率。依此，利用21.5kHz定频超声波，进行谷物黄曲霉素B1的提取，将是最佳的选择，进而会在谷物黄曲霉素B1的检测工艺上取得最快、最直接的效果。这就需要开发一种专用于谷物黄曲霉素B1检测的便捷式超声波毒素提取装置。
技术实现思路
为弥补现有食品毒素的检测方法的不足，本技术提供一种用于谷物黄曲霉素快速、直接检测的超声波黄曲霉素提取装置。它由超声波电源、振子、门、升降调节钮、托架、处理时间设定键、处理功率设定键和电源开关键构成。超声波电源装配于装置左侧的电路室内；振子结构以其后座紧固装配于装置顶部。处理室内有可调节升降的托架装配于底板上；调节托架升降并实现定位的升降调节钮装配于右侧壁下部。装置的电路室前壁装配有处理时间设定键、处理功率设定键和电源开关键。门为透明PC材料制成的中空双层平板结构。处理室的右侧壁板、顶部、左侧壁板即电路室右侧壁板、底板均为强化PC材料制成的中空双层平板，并以上下四平行楞固结成为框结构；通过卡贴和螺丝紧固配合，该框结构与处理室后背板构成槽结构。本技术解决其技术问题所采用的技术方案是：定频超声波生物毒素提取装置由超声波电源、振子、门、升降调节钮、托架、处理时间设定键、处理功率设定键和电源开关键构成。超声波电源是定频超声波电能的电路装置，装配于定频超声波生物毒素提取装置左侧的电路室内；其电能通过振子转换为超声波，以实现对烧杯内的混合液(上清液+样本)的处理。振子结构以其后座紧固装配于定频超声波生物毒素提取装置的顶部。定频超声波生物毒素提取装置以其右侧壁板、处理室后背板的前壁、顶部下壁、电路室右侧壁板、底板和门构成处理室结构。在处理室内，有可调节升降的托架装配于底板上；用来调节托架升降并实现定位的升降调节钮装配于右侧壁下部。在装置的电路室前壁，门的左侧面部，装配有处理时间设定键、处理功率设定键和电源开关键。门为透明PC材料制成的中空双层平板结构，以便监视、观察处理状态、过程；其四边镶有加固边框。处理室的右侧壁板、顶部、左侧壁板即电路室右侧壁板、底板均为强化PC材料制成的中空双层平板，并以上下四平行楞固结成为框结构；通过卡贴和螺丝紧固配合，该框结构与处理室后背板构成槽结构；再通过铰接配合，该槽结构与门构成腔室结构。电路室通过卡贴和螺丝与电路室后背板紧固配合。，电路室后背板的上部开有防落尘式排风窗，下部开有防落尘式进风窗，进风窗下部开有市电线插口的配合口。定频超声波生物毒素提取装置的执行电路由谐振-换能、调功和功率放大部分组成。振子的振子等效阻抗Z的一端连接到振子接线端F，另一端接执行电路地；谐振电感LZ的一端连接到振子接线端F，另一端连接到驱动信号匹配输出端OD。母线滤波电感L0的一端连接到直流电力母线E0，母线滤波电感L0的另一端与母线滤波电容C0的正极、斩波驱动基极偏流电阻REb的一端同时连接；母线滤波电容C0的负极接执行电路地；斩波驱动基极偏流电阻REb的另一端与斩波驱动三极管TE的基极连接，该连接点与(TLP521-4型)光耦器件LC的16脚、14脚同时连接。斩波开关MOSFET器件栅极偏流电阻REg的一端连接到直流电力母线E0，另一端与斩波开关MOSFET器件QE的栅极连接，该连接点与斩波驱动集电极负载电阻REc的一端连接；斩波驱动集电极负载电阻REc的另一端与斩波驱动三极管TE的集电极连接；斩波驱动三极管TE的发射极接执行电路地。斩波开关MOSFET器件QE的源极连接到直流电力母线E0；斩波开关MOSFET器件QE的漏极与稳压续流二极管DE的负极连接；稳压续流二极管DE的正极接执行电路地。平波电感LE的一端与斩波开关MOSFET器件QE的漏极连接，平波电感LE的另一端与平波电容CE的正极连接；平波电容CE的负极接执行电路地。上耦合电阻R1F的一端与光耦器件LC的12脚连接，另一端与上开关MOSFET器件Q1F的栅极连接。下耦合电阻R2F的一端与光耦器件LC的10脚连接，另一端与下开关MOSFET器件Q2F的栅极连接。上开关MOSFET器件Q1F的源极与与平波电容CE的正极连接；上开关MOSFET器件Q1F的漏极与下开关MOSFET器件Q2F的漏极连接，该连接点作为驱动信号匹配输出端OD；下开关MOSFET器件Q2F的源极接执行电路地。处理时间设定键的处理时间设定开关接点KT、处理功率设定键的处理功率设定开关接点KP均有两侧静接点接线端。处理时间设定开关接点KT的一侧接线端、处理功率设定开关接点KP的一侧接线端分别连接到单片机芯片U的24脚、23脚引脚；处理时间设定开关接点KT的另一侧接线端、处理功率设定开关接点KP的另一侧接线端均接地。本技术的有益效果是：超声波电源体与超声波处理箱体合为一体，操作简便、便于携带。对于检测全过程节省了配置提取液、粉碎样本、长时间振动、离心沉淀等过程；是的检测不必消耗昂贵材料，能适应多种检测目的，特别是现场取证目的的快速、直接、便捷本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种超声波黄曲霉素提取装置，其特征是：所述装置由超声波电源、振子、门、升降调节钮、托架、处理时间设定键、处理功率设定键和电源开关键构成；超声波电源是定频超声波电能的电路装置，装配于所述装置左侧的电路室内；其电能通过振子转换为超声波，以实现对烧杯内的混合液，即上清液+样本的处理；振子结构以其后座紧固装配于所述装置的顶部；所述装置以其右侧壁板、处理室后背板的前壁、顶部下壁、电路室右侧壁板、底板和门构成处理室结构；在处理室内，有可调节升降的托架装配于底板上；用来调节托架升降并实现定位的升降调节钮装配于右侧壁下部；在装置的电路室前壁，门的左侧面部，装配有处理时间设定键、处理功率设定键和电源开关键；门为透明PC材料制成的中空双层平板结构，以便监视、观察处理状态、过程；其四边镶有加固边框；处理室的右侧壁板、顶部、左侧壁板即电路室右侧壁板、底板均为强化PC材料制成的中空双层平板，并以上下四平行楞固结成为框结构；通过卡贴和螺丝紧固配合，该框结构与处理室后背板构成槽结构；再通过铰接配合，该槽结构与门构成腔室结构；电路室通过卡贴和螺丝与电路室后背板紧固配合；电路室后背板的上部开有防落尘式排风窗，下部开有防落尘式进风窗，进风窗下部开有市电线插口的配合口；所述装置的执行电路由谐振‑换能、调功和功率放大部分组成；振子的振子等效阻抗Z的一端连接到振子接线端F，另一端接执行电路地；谐振电感LZ的一端连接到振子接线端F，另一端连接到驱动信号匹配输出端OD；母线滤波电感L0的一端连接到直流电力母线E0，母线滤波电感L0的另一端与母线滤波电容C0的正极、斩波驱动基极偏流电阻REb的一端同时连接；母线滤波电容C0的负极接执行电路地；斩波驱动基极偏流电阻REb的另一端与斩波驱动三极管TE的基极连接，该连接点与TLP521‑4型光耦器件LC的16脚、14脚同时连接；斩波开关MOSFET器件栅极偏流电阻REg的一端连接到直流电力母线E0，另一端与斩波开关MOSFET器件QE的栅极连接，该连接点与斩波驱动集电极负载电阻REc的一端连接；斩波驱动集电极负载电阻REc的另一端与斩波驱动三极管TE的集电极连接；斩波驱动三极管TE的发射极接执行电路地；斩波开关MOSFET器件QE的源极连接到直流电力母线E0；斩波开关MOSFET器件QE的漏极与稳压续流二极管DE的负极连接；稳压续流二极管DE的正极接执行电路地；平波电感LE的一端与斩波开关MOSFET器件QE的漏极连接，平波电感LE的另一端与平波电容CE的正极连接；平波电容CE的负极接执行电路地；上耦合电阻R1F的一端与光耦器件LC的12脚连接，另一端与上开关MOSFET器件Q1F的栅极连接；下耦合电阻R2F的一端与光耦器件LC的10脚连接，另一端与下开关MOSFET器件Q2F的栅极连接；上开关MOSFET器件Q1F的源极与平波电容CE的正极连接；上开关MOSFET器件Q1F的漏极与下开关MOSFET器件Q2F的漏极连接，该连接点作为驱动信号匹配输出端OD；下开关MOSFET器件Q2F的源极接执行电路地；处理时间设定键的处理时间设定开关接点KT、处理功率设定键的处理功率设定开关接点KP均有两侧静接点接线端；处理时间设定开关接点KT的一侧接线端、处理功率设定开关接点KP的一侧接线端分别连接到单片机芯片U的24脚、23脚引脚；处理时间设定开关接点KT的另一侧接线端、处理功率设定开关接点KP的另一侧接线端均接地，所述装置的信号电路为以Atmega8型单片机芯片U作为核心器件的操作、控制和超声波信号产生电路，所述信号电路的短时挡级指示灯上拉电阻RT1、中时挡级指示灯上拉电阻RT2、长时挡级指示灯上拉电阻RT3、功率弱挡级指示灯上拉电阻RP1、功率中挡级指示灯上拉电阻RP2、功率强挡级指示灯上拉电阻RP3分别与短时挡级LED指示灯DT1、中时挡级LED指示灯DT2、长时挡级LED指示灯DT3、功率弱挡级LED指示灯DP1、功率中挡级LED指示灯DP2、功率强挡级LED指示灯DP3串联，对应串联支路的LED负极一端分别与单片机芯片U的2、3、4、5、6、11脚连接，各串联支路LED正极一端均连接到工作电源正极接线端E；上起振电容Cp1的一端与下起振电容Cp2的一端连接并接地；上起振电容Cp1的另一端与下起振电容 Cp2的另一端分别与晶振Cf的两端连接，该二连接点分别与单片机芯片U的9和10脚连接；单片机芯片U的VCC引脚连接到工作电源正极接线端E。...

【技术特征摘要】
1.一种超声波黄曲霉素提取装置，其特征是：
所述装置由超声波电源、振子、门、升降调节钮、托架、处理时间设定键、处理功率设定键和电源开关键构成；超声波电源是定频超声波电能的电路装置，装配于所述装置左侧的电路室内；其电能通过振子转换为超声波，以实现对烧杯内的混合液，即上清液+样本的处理；振子结构以其后座紧固装配于所述装置的顶部；所述装置以其右侧壁板、处理室后背板的前壁、顶部下壁、电路室右侧壁板、底板和门构成处理室结构；在处理室内，有可调节升降的托架装配于底板上；用来调节托架升降并实现定位的升降调节钮装配于右侧壁下部；在装置的电路室前壁，门的左侧面部，装配有处理时间设定键、处理功率设定键和电源开关键；门为透明PC材料制成的中空双层平板结构，以便监视、观察处理状态、过程；其四边镶有加固边框；
处理室的右侧壁板、顶部、左侧壁板即电路室右侧壁板、底板均为强化PC材料制成的中空双层平板，并以上下四平行楞固结成为框结构；通过卡贴和螺丝紧固配合，该框结构与处理室后背板构成槽结构；再通过铰接配合，该槽结构与门构成腔室结构；电路室通过卡贴和螺丝与电路室后背板紧固配合；电路室后背板的上部开有防落尘式排风窗，下部开有防落尘式进风窗，进风窗下部开有市电线插口的配合口；
所述装置的执行电路由谐振-换能、调功和功率放大部分组成；
振子的振子等效阻抗Z的一端连接到振子接线端F，另一端接执行电路地；谐振电感LZ的一端连接到振子接线端F，另一端连接到驱动信号匹配输出端OD；
母线滤波电感L0的一端连接到直流电力母线E0，母线滤波电感L0的另一端与母线滤波电容C0的正极、斩波驱动基极偏流电阻REb的一端同时连接；母线滤波电容C0的负极接执行电路地；斩波驱动基极偏流电阻REb的另一端与斩波驱动三极管TE的基极连接，该连接点与TLP521-4型光耦器件LC的16脚、14脚同时连接；斩波开关MOSFET器件栅极偏流电阻REg的一端连接到直流电力母线E0，另一端与斩波开关MOSFET器件QE的栅极连接，该连接点与斩波驱动集电极负载电阻REc的一端连接；斩波驱动集电极负载电阻REc的另一端与斩波驱动三极管TE的集电极连接；斩波驱动三极管TE的发射极接执行电路地；斩波开关MOSFET器件QE的源极连接到直流电力母线E0；斩波开关MOSFET器件QE的漏极与稳压续流二极管DE的负极连接；稳压续流二极管DE的正极接执行电路地；平波电感LE的一端与斩波开关MOSFET器件QE的漏极连接，平波电感LE的另一端与平波电容CE的正极连接；平波电容CE的负极接执行电路地；
上耦合电阻R1F的一端与光耦器件LC的12脚连接，另一端与上开关MOSFET器件Q1F的栅极连接；下耦合电阻R2F的一端与光耦器件LC的10脚连接，另一端与下开关MOSFET器件Q2F的栅极连接；上开关MOSFET器件Q1F的源极与平波电容CE的正极连接；上开关MOSFET器件Q1F的漏极与下开关MOSFET器件Q2F的漏极连接，该连接点作为驱动信号匹配输出端OD；下开关MOSFET器件Q2F的源极接执行电路地；
处理时间设定键的处理时间设定开关接点KT、处理功率设定键的处理功率设定开关接点KP均有两侧静接点接线端；处理时间设定开关接点KT的一侧接线端、处理功率设定开关接点KP的一侧接线端分别连接到单片机芯片U的24脚、23脚引脚；处理时间设定开关接点KT的另一侧接线端、处理功率设定开关接点KP的另一侧接线端均接地，
所述装置的信号电路为以Atmega8型单片机芯片U作为核心器件的操作、控制和超声波信号产生电路，
所述信号电路的短时挡级指示灯上拉电阻RT1、中时挡级指示灯上拉电阻RT2、长时挡级指示灯上拉电阻RT3、功率弱挡级指示灯上拉电阻RP1、功率中挡级指示灯上拉电阻RP2、功率强挡级指示灯上拉电阻RP3分别与短时挡级LED指示灯DT1、中时挡级LED指示灯DT2、长时挡级LED指示灯DT3、功率弱挡级LED指示灯DP1、功率中挡级LED指示灯DP2、功率强挡级LED指示灯DP3串联，对应串联支路的LED负极一端分别与单片机芯片U的2、3、4、5、6、11脚连接，各串联支路LED正极一端均连接到工作电源正...

【专利技术属性】
技术研发人员：屈百达，
申请(专利权)人：江南大学，
类型：新型
国别省市：江苏;32