用于感测光刻设备的液体泄漏的设备和方法技术

本发明专利技术提供一种用于感测光刻设备的液体泄漏的设备和方法，其可通过对提供给极紫外光产生设备的收集镜的冷却水的泄漏进行感测来防止收集镜受到污染。所述液体泄漏感测设备包括收集镜模块、配置为向所述收集镜模块的一个表面提供冷却水的冷却单元、配置为向所述冷却单元提供水溶性气体的气体供应单元以及配置为对泄漏到所述冷却单元外部的水溶性气体进行感测的感测单元。

【技术实现步骤摘要】
相关申请的交叉引用本申请要求于2014年11月27日提交至韩国知识产权局的韩国专利申请No.10-2014-0167105的优先权，该申请的全部内容以引用方式并入本文中。
本专利技术构思涉及用于感测光刻设备的液体泄漏的设备和方法。
技术介绍
近来，为了实现半导体器件的微加工，已经提出了一种利用极紫外(EUV)辐射的光刻工艺。在所述光刻工艺中，光(也被称为光束)可穿过具有电路图案的掩模投影到硅衬底上，从而通过对光刻胶材料进行曝光而形成电子电路。由光刻所形成的电路的最小工艺尺寸通常取决于光源的波长。因此，为了生产具有更小几何排列(geometry)的电路，可在用于光刻工艺的光源中使用具有更短波长的光。作为下一代光刻光源，EUV光源适合使用。极紫外(EUV)辐射具有约1nm至100nm的波长。由于该范围内的光关于多种材料具有较高的吸收率，因此不可使用透射性光学系统(例如透镜)，但是可使用反射性光学系统。为了产生EUV辐射，可使用激光产生等离子体(LPP)的技术以及由脉冲功率驱动的放电产生等离子体(DPP)的技术。
技术实现思路
本专利技术构思提供一种液体泄漏感测设备，所述液体泄漏感测设备可通过对提供给极紫外(EUV)光产生设备的收集镜的冷却水的泄漏进行感测来防止所述收集镜受到污染。这里，水溶性气体用于感测冷却水的泄漏。本专利技术构思还提供一种液体泄漏感测方法，所述液体泄漏感测方法可通过对提供给极紫外(EUV)光产生设备的收集镜的冷却水的泄漏进行感测来防止收集镜受到污染。通过以下各优选实施例的描述，本专利技术构思的这些及其他方面将变得清楚，或者将在以下各优选实施例的描述中对本专利技术构思的这些及其他方面进行描述。根据本专利技术构思的一个方面，提供一种液体泄漏感测设备，其包括收集镜模块、配置为向所述收集镜模块的一个表面提供冷却水的冷却单元、配置为向所述冷却单元提供水溶性气体的气体供应单元以及配置为对泄漏到所述冷却单元外部的水溶性气体进行感测的感测单元。根据本专利技术构思的另一方面，提供一种液体泄漏感测设备，其包括容器、配置为向所述容器提供源光的光源、配置为产生微滴(droplet)的微滴产生器、布置在所述容器中并配置为收集和反射通过所述源光与所述微滴之间的相互反应而产生的EUV光的收集镜、布置在所述收集镜的一侧并配置为向所述收集镜的一个表面提供冷却水以调节所述收集镜的温度的冷却单元、向所述冷却单元提供水溶性气体的气体供应单元以及对水溶性气体是否泄漏到冷却单元外部进行感测的感测单元。根据本专利技术构思的又一方面，提供一种液体泄漏感测设备，其包括物体、配置为向形成为与所述物体的一个表面接触的液体接收空间提供工艺液体的液体供应单元、配置为向所述液体供应单元提供水溶性气体的气体供应单元以及配置为感测泄漏到液体接收空间外部的水溶性气体的感测单元。根据本专利技术构思的又一方面，提供一种液体泄漏感测设备，其包括源光与微滴在其中发生反应以产生EUV光的容器、配置为向所述容器内部提供冷却水的冷却单元、配置为向所述冷却单元提供水溶性气体的气体供应单元以及配置为感测容器中是否存在泄漏到所述冷却单元外部的水溶性气体的感测单元。根据本专利技术构思的又一方面，提供一种液体泄漏感测方法，其包括步骤：向容器中的物体提供包括有水溶性气体的冷却水；以及对所述容器中是否存在泄漏到所述物体外部的水溶性气体进行感测，其中所述感测包括测量所述水溶性气体的分压。附图说明通过参照附图详细描述本专利技术的优选实施例，本专利技术构思的以上及其他特征和优点将变得更加明显，其中：图1示意性示出了极紫外(EUV)光产生设备；图2示意性示出了根据本专利技术构思的实施例的液体泄漏感测设备；图3为图2所示的液体泄漏感测设备的框图；图4示出了图2所示的液体泄漏感测设备的操作；图5是根据本专利技术构思的另一实施例的液体泄漏感测设备的框图；图6示意性示出了图5所示的示例性设备；图7是根据本专利技术构思的又一实施例的液体泄漏感测设备的示意性框图；图8是示出图7所示的容器的内部电路的示意性框图；图9是根据本专利技术构思的又一实施例的液体泄漏感测设备的示意性示图；图10是根据本专利技术构思的又一实施例的液体泄漏感测设备的示意性框图；图11是顺序示出根据本专利技术构思的实施例的液体泄漏感测方法的流程图；图12是顺序示出根据本专利技术构思的另一实施例的液体泄漏感测方法的流程图；图13是包括了利用根据本专利技术构思的光刻设备制造的半导体器件的电子系统的框图；以及图14和图15示出了可对其应用利用根据本专利技术构思的光刻设备制造的半导体器件的示例性半导体系统。具体实施方式下面将参照示出了本专利技术优选实施例的附图对本专利技术进行更加全面的描述。然而，本专利技术可实现为不同的形式，并且不应理解为限于本文所阐述的实施例。相反，提供这些实施例是为了使得本专利技术将是彻底和完整的，并且将向本领域技术人员全面传达本专利技术的范围。在本说明书中，相同的附图标记始终表示相同的部件。为清楚起见，在附图中放大了层与区域的厚度。应当理解，当一层被称作“位于”另一层或衬底“之上”时，所述层可以直接位于另一层或衬底之上，或者也可存在中间层。相反，当一个元件被称作“直接位于”另一元件“之上”时，不存在中间元件。为了便于描述，本文中可使用空间相对术语，例如“位于……下方”、“之下”、“下部”、“位于……之下”、“之上”、“上部”等，来描述附图所示的一个元件或特征与另一个(一些)元件或特征的关系。应当理解，空间相对术语旨在涵盖在使用或操作中的器件的除附图所示的指向之外的不同指向。例如，如果附图中的器件被翻转，则被描述为“在”另一些元件或特征“之下”或者“位于”另一些元件或特征“下方”的元件将指向为“在”另一些元件或特征“之上”。因此，示例性术语“之下”可以涵盖“之上”和“之下”这两种指向。器件可另外地进行指向(旋转90度或以其他指向)，并相应地解释本文所使用的空间相对描述词。除非在本文中另外表示或明显与上下文矛盾，否则将术语“一个”、“一”和“该”以及在描述本专利技术的上下文中的类似指示物的用法理解为涵盖单数和复数这两者。除非另外指明，否则将术语“包含……的”、“具有……的”、“包括……的”以及“含有……的”理解为开放性术语(即，意指“包括，但不限于”)。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种液体泄漏感测设备，包括：收集镜模块；冷却单元，其配置为向所述收集镜模块的一个表面提供冷却水；气体供应单元，其配置为向所述冷却单元提供水溶性气体；以及感测单元，其配置为对所述水溶性气体从所述冷却单元泄漏进行感测。

【技术特征摘要】
2014.11.27 KR 10-2014-01671051.一种液体泄漏感测设备，包括：
收集镜模块；
冷却单元，其配置为向所述收集镜模块的一个表面提供冷却水；
气体供应单元，其配置为向所述冷却单元提供水溶性气体；以
及
感测单元，其配置为对所述水溶性气体从所述冷却单元泄漏进
行感测。
2.根据权利要求1所述的液体泄漏感测设备，其中所述感测单
元配置为测量泄漏的水溶性气体的分压。
3.根据权利要求2所述的液体泄漏感测设备，其中所述感测单
元包括残余气体分析仪。
4.根据权利要求2所述的液体泄漏感测设备，其中所述水溶性
气体包括Kr、He、Ar和CO2中的至少一种。
5.一种液体泄漏感测设备，包括：
容器；
光源，其配置为向所述容器提供源光；
微滴产生器，其配置为产生微滴；
收集镜，其布置在所述容器中，并配置为对通过所述源光与所
述微滴之间的相互反应而产生的极紫外光进行收集和反射；
冷却单元，其配置为向所述收集镜的一个表面提供冷却水以调
节所述收集镜的温度；
气体供应单元，其配置为向所述冷却单元提供水溶性气体；以
及
感测单元，其配置为对水溶性气体从所述容器内的冷却单元泄

\t漏进行感测。
6.根据权利要求5所述的液体泄漏感测设备，还包括压力计单
元，其配置为测量所述容器中的压力变化。
7.根据权利要求5所述的液体泄漏感测设备，其中所述感测单
元配置为测量泄漏的水溶性气体的分压。
8.根据权利要求7所述的液体泄漏感测设备，其中所述感测单
元包括残余气体分析仪。
9.根据权利要求5所述的液体泄漏感测设备，其中所述水...

【专利技术属性】
技术研发人员：金成柱，金镇平，徐度铉，李在必，李显勋，黃星朝，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国;KR