【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体制作领域,特别涉及一种一体式旋转结构动平衡的修正装置和修正方法。
技术介绍
光刻(photolithography)是半导体器件制造工艺中的一个重要步骤,该步骤是利用曝光工艺和显影工艺在光刻胶层中形成光刻图形。然而,随着芯片的集成度的不断提高,这就要求光刻的特征尺寸不断减小曝光装置的分辨率(R)决定了光刻的最小特征尺寸,曝光系统的分辨率(R)满足关系式:R=kλ/(NA),其中k是与曝光工艺相关的系数,λ为曝光光源的波长,NA为曝光装置的光学系统的数值孔径。由前述关系式可知,可以通过两种途径提高曝光装置的分辨率:一种是增加光学系统的数值孔径;另外一种是减小曝光光源的波长。研究人员曾经尝试通过增加光学系统的数值孔径的方法来提高分辨率,但是由于下一代光刻技术对最小特征尺寸存在非常苛刻的要求,需要光学提供具有非常大的数值孔径,这不仅使得光刻系统的制备和调制变得异常复杂,而且数值孔径的增大对光学系统的焦深有较大的限制。因而,研究人员开始考虑另外一种方式也即减小曝光光源波长的方式来提高分辨率,极紫外(extremeultraviolet,EUV)光源是最新发展起来的光源,极紫外光源产生的曝光光线的波长为13.5纳米,将极紫外光源应用于曝光系统时,能获得很小的光刻特征尺寸。现有技术产生极紫外光的主流方式是激光产生等离子体辐射方式(LaserProducedPlasma,LPP),该方式的原理是:激光源产生激光束轰击锡(Sn)靶材,由此激发等离子体,等离子向外辐射极紫外光。现有的极紫外光源的结构,请参考图1,包括,锡滴喷嘴101,所述锡滴喷嘴101 ...
【技术保护点】
一种一体式旋转结构动平衡的修正方法,其特征在于,包括:提供一体式旋转结构,所述一体式旋转结构包括聚光镜、与聚光镜的一体连接的电机驱动轴,所述聚光镜包括内凹的第一表面以及相对的第二表面,第二表面与电机驱动轴相连接,所述第一表面包括偏心且倾斜的椭球形反射面以及包围椭球形反射面的非反射面;一体式旋转结构旋转,进行动平衡偏移值测量步骤,测量获得一体式旋转结构旋转至少一周时第二表面的不同位置的对应的动平衡偏移值;进行待轰击位置获得步骤,获得最大动平衡偏移值对应的第二表面上的待轰击位置;进行轰击步骤,采用激光束轰击待轰击位置对应的聚光镜的第二表面,去除部分聚光镜材料。
【技术特征摘要】
1.一种一体式旋转结构动平衡的修正方法,其特征在于,包括:提供一体式旋转结构,所述一体式旋转结构包括聚光镜、与聚光镜的一体连接的电机驱动轴,所述聚光镜包括内凹的第一表面以及相对的第二表面,第二表面与电机驱动轴相连接,所述第一表面包括偏心且倾斜的椭球形反射面以及包围椭球形反射面的非反射面;一体式旋转结构旋转,进行动平衡偏移值测量步骤,测量获得一体式旋转结构旋转至少一周时第二表面的不同位置的对应的动平衡偏移值;进行待轰击位置获得步骤,获得最大动平衡偏移值对应的第二表面上的待轰击位置;进行轰击步骤,采用激光束轰击待轰击位置对应的聚光镜的第二表面,去除部分聚光镜材料。2.如权利要求1所述的一体式旋转结构动平衡的修正方法,其特征在于,一体式旋转结构旋转,进行动平衡偏移值测量步骤,测量获得一体式旋转结构旋转至少一周时第二表面的不同位置的对应的动平衡偏移值的过程包括:一体式旋转结构旋转以一设定转速匀速旋转,测量获得一体式旋转结构以一设定转速匀速旋转至少一周时第二表面的不同位置的对应的若干动平衡偏移值。3.如权利要求1所述的一体式旋转结构动平衡的修正方法,其特征在于,一体式旋转结构旋转,进行动平衡偏移值测量步骤,测量获得一体式旋转结构旋转至少一周时第二表面的不同位置的对应的动平衡偏移值的过程包括:一体式旋转结构旋转以第一设定转速匀速旋转,测量获得一体式旋转结构以第一设定转速匀速旋转至少一周时第二表面的不同位置的对应的若干第一动平衡偏移值;一体式旋转结构旋转以第二设定转速匀速旋转,第二设定转速匀速旋转大于或小于第一设定转速,测量获得一体式旋转结构以第二设定转速匀速旋转至少一周时第二表面的不同位置的对应的若干第二动平衡偏移值,第二设定转速旋转时测量的第二动平衡偏移值的数量与第一设定转速旋转时测量的第一动平衡偏移值的数量相同,且第二设定转
\t速旋转时测量的一体式旋转结构第二表面的位置与第一设定转速旋转时测量的一体式旋转结构第二表面的位置相同。4.如权利要求3所述的一体式旋转结构动平衡的修正方法,其特征在于,一体式旋转结构第二表面同一位置对应的第一动平衡偏移值和第二动平衡偏移值相减获得若干偏移值,偏移值最大值对应的某一个第一动平衡偏移值和某一个第二动平衡偏移值为最大动平衡偏移值。5.如权利要求1所述的一体式旋转结构动平衡的修正方法,其特征在于,获得一体式旋转结构的实时转速,当实时转速偏移设定转速时,将实时转速修正至设定转速。6.如权利要求1所述的一体式旋转结构动平衡的修正方法,其特征在于,所述动平衡偏移值为随着时钟基准变化的若干数值。7.如权利要求6所述的一体式旋转结构动平衡的修正方法,其特征在于,还包括:获得一体式旋转结构旋转一周所需的时间,所述一体式旋转结构旋转一周所需的时间为一个测量周期。8.如权利要求7所述的一体式旋转结构动平衡的修正方法,其特征在于,所述时钟基准包括若干个连续的测量周期,每个测量周期内具有若干等距的测量节点,每个测量节点对应测量获得一个动平衡偏移值,每个测量节点定义第二表面的一个待轰击位置。9.如权利要求8所述的...
【专利技术属性】
技术研发人员:岳力挽,伍强,
申请(专利权)人:中芯国际集成电路制造上海有限公司,
类型:发明
国别省市:上海;31
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。