一种低功耗步进电机驱动器制造技术

本实用新型专利技术属于驱动领域，涉及一种低功耗步进电机驱动器。包括控制模块、半桥驱动器、H桥，本实用新型专利技术通过控制模块可以动态的配置半桥驱动器的寄存器，可以实现动态的控制半桥驱动器的驱动电流，在电机不同负载时提供不同的驱动电流使其能够正常驱动电机动作，从而避免电机在不同负载工作下恒电流工作以造成能源的浪费以及电机寿命的降低；控制模块可以通过配置半桥驱动器的寄存器实现对步进电机细分数的控制以满足电机在不同场合下的应用。

【技术实现步骤摘要】

本技术属于驱动领域，尤其涉及一种低功耗步进电机驱动器。
技术介绍
步进电机作为一种精密机械，它以固定的步距角一步一步进行旋转，其主要特点是无累计误差，被广泛应用在开环的控制中。步进电机是将电脉冲信号转变成角位移或者是线位移，即在接受到控制器发送出来的脉冲信号后，步进电机就转过一个相应的角度。当步进电机需要不同的扭矩时，需要提供不同的驱动电流，现有的步进驱动器一般都是提供给电机最大扭矩所需驱动电流，即使在需要相对较小扭矩时电机也是工作在大电流状态下，不但造成能源的浪费，同时也因大电流发热等问题减小了电机的使用寿命。分析上述提及的现有技术存在以下不足，即本技术所要解决的技术问题：（1）不同负载时恒定电流工作造成能源的浪费；（2）恒定大电流造成发热问题严重，减小电机工作寿命。
技术实现思路
本技术的目的在于克服现有技术中存在的缺陷，提供一种结构简单、发热小、能耗低的低功耗步进电机驱动器。为了实现上述目的，本技术的技术方案涉及一种低功耗步进电机驱动器，其包括控制模块（01）、半桥驱动器（02）和H桥（03）。所述控制模块（01）通过上位机发来的脉冲进行判断电机现在工作状态，根据电机所需扭力的大小来进行半桥驱动器（02）的寄存器参数的配置，所述的控制模块（01）与所述的半桥驱动器（02）通讯，把配置好的寄存器参数写进半桥驱动器（02）的寄存器内，改变驱动电流的大小满足电机此时正常工作所需扭力。所述的半桥驱动器（02）具有过流保护和过热保护功能，当出现过流或者是过热故障时，所述的半桥驱动器（02）与所述的控制模块（03）通讯把错误数据传输给控制芯片。与现有的技术相比，本技术能够根据电机的需求动态调整驱动电流以避免能源的浪费，减小电机发热提高其工作寿命。附图说明图1为本技术一种低功耗步进电机驱动器的示意图；其中，01-控制模块（01）；02-半桥驱动器（02）；03-H桥（03）。具体实施方式下面结合附图和实施例对本技术的具体实施方式作进一步描述，以下实施例仅用于更加清楚地说明本技术的技术方案，而不能以此来限制本技术的保护范围。本技术的技术方案涉及一种低功耗步进电机驱动器，包括控制模块（01）、半桥驱动器（02）和H桥（03）。其中，所述的控制模块（03）包括一款8位单片机，所述的8位单片机接收上位机发出的脉冲，通过判断确定电机的当前运行状态，由电机的当前运行状态进行对半桥驱动器寄存参数配置。所述的8位单片机与半桥驱动器（02）通讯，把配置好的寄存器参数写进半桥驱动器（02）的寄存器内，改变电机驱动电流的大小满足电机此时正常工作所需扭力。这一实施中实现了对电机驱动电流的动态控制，以避免能源的浪费，减小电机发热提高电机工作寿命。所述的半桥驱动器（02）具有过流保护和过热保护功能，当出现过流或者是过热故障时，所述的半桥驱动器（02）可以输出错误数据；所述的半桥驱动器（02）与上述的8位单片机通讯把错误数据传输给单片机，将错误信息反馈到上位机。所述的H桥（03）分别由两片双路60VN通道NexFET™功率金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)组成2个H桥，这一实施中实现该步进电机驱动器结构简单，体积小的优点。以上所述仅是本技术的优先实施方式，应当指出，对于本
的普通技术人员来说，在不脱离本技术技术原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本技术的保护范围。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种低功耗步进电机驱动器，包括控制模块（01）、半桥驱动器（02）和H桥（03）；所述的控制模块（01）连接所述半桥驱动器（02），所述半桥驱动器（02）连接所述H桥（03），其特征在于：所述控制模块（01）可以动态的配置所述半桥驱动器（02）的寄存器，可以实现动态的控制驱动电流，电机在不同负载下提供其不同的驱动电流。

【技术特征摘要】
1.一种低功耗步进电机驱动器，包括控制模块（01）、半桥驱动器（02）和H桥（03）；所述的控制模块（01）连接所述半桥驱动器（02），所述半桥驱动器（02）连接所述H桥（03），其特征在于：所述控制模块（01）可以动态的配置所述半桥驱动器...

【专利技术属性】
技术研发人员：王彦君，田永杰，
申请(专利权)人：北京灵铱科技有限公司，
类型：新型
国别省市：北京;11