一种低融结合剂cBN复合材料的制备方法技术

技术编号:14864387 阅读:88 留言:0更新日期:2017-03-19 18:32
一种低融结合剂cBN复合材料的制备方法,属于cBN复合材料领域,包括如下步骤:(1)将玻璃相的结合剂和cBN混合、球磨后所得物料装填到模具中;(2)将模具置于SPS烧结腔内,施加单轴向压力、抽真空后加入惰性保护性气体,在30~110Mpa、500~900℃条件下进行放电等离子体烧结10~30min,然后随炉冷却并随温减压后关真空泵;(3)待模具降温后,将坯体从烧结腔里取出即可。本发明专利技术提供的制备方法使成型坯体在较低的温度下,尤其是在650~800℃的低温范围内即可达到致密烧结,低温常压放电等离子体烧结能避免立方氮化硼的六方转化,放电等离子体使烧结体内部各个颗粒均匀的自发产生焦耳热,并活化颗粒表面,有效利用颗粒间的自身发热作用而进行烧结,得到的cBN复合材料具有较高质量。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于cBN复合材料领域,具体涉及一种低融结合剂cBN复合材料的制备方法
技术介绍
立方氮化硼(cBN)具有高硬度、热稳定性、化学惰性以及良好的透红外性和较宽的禁带宽度等优异性能,它的硬度仅次于金钢石,但热稳定性远高于金钢石,对铁系金属元素有较大的化学稳定性。立方氮化硼磨具的磨削性能十分优异,不仅能胜任难磨材料的加工,提高生产率,还能有效地提高工件的磨削质量。立方氮化硼的使用是对金属加工的一大贡献,导致磨削发生革命性变化,是磨削技术的第二次飞跃。因此,采用立方氮化硼制备的各种材料具有广阔的市场前景。目前,立方氮化硼(cBN)复合材料的烧结大多是在高温高压(大于5GPa,1000~1400℃)条件下进行(MikinoriHotta,TakashiGoto,DensificationandPhaseTransformationofb-SiAlON–CubicBoron,NitrideCompositesPreparedbySparkPlasmaSinterin,JournaloftheAmericanCeramicSociety,2009,92[8]1684-1690),存在烧结生产过程及设备较为复杂、生产控制要求较严、模具材料要求高、电能消耗大、生产效率低、劳动力消耗大等缺陷。由于高温高压合成工序复杂,影响产品质量事故的因素难以判断。另外结合剂的选取对cBN复合材料的烧结及性能影响至关重要,目前一般采用的主要以Ti的氮化物、碳化物、金属Al、Ti、Ni等作为结合剂,这些结合剂大多数要求很高温度才能达到烧结的效果,然而,cBN在1400℃就开始发生六方转化,转化为hBN,hBN的出现会让复合材料的硬度和抗折强度大幅度降低。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种低融结合剂cBN复合材料的制备方法。基于上述目的,本专利技术采用以下技术方案:一种低融结合剂cBN复合材料的制备方法,包括如下步骤:(1)将玻璃相的结合剂和cBN混合、球磨后所得物料装填到模具中;(2)将装填过物料的模具置于SPS烧结腔内,施加单轴向压力、抽真空后加入惰性保护性气体,在30~110Mpa、500~900℃条件下进行放电等离子体烧结10~30min,然后随炉冷却并随温减压后关真空泵;(3)待模具降温后,将坯体从烧结腔里取出即可。进一步地,所述结合剂采用以下方法制备:将石英砂、硼酸、碳酸钠和氧化铝中两种或两种以上研磨混合、在高温炉中进行烧结,待温度升至400~500℃保温30~180min后,自然冷却至室温后,进行球磨、烘干、过筛,得到粒度为1-30μm的低融玻璃相的结合剂粉体。进一步地,cBN占结合剂与cBN的混合物的体积分数为30%~90%。进一步地,步骤(2)中放电等离子体烧结的温度为650~800℃。进一步地,步骤(2)中,所述惰性保护性气体为氮气或氩气。进一步地,步骤(2)中,抽真空至2~8×10-2Pa。进一步地,步骤(3)中,将模具的温度降至100℃即可。与现有技术相比,本专利技术具有以下优点:(1)本专利技术提供的制备方法使成型坯体在较低的温度下,尤其是在650~800℃的低温范围内即可达到致密烧结,低温常压放电等离子体烧结能避免立方氮化硼的六方转化,放电等离子体使烧结体内部各个颗粒均匀的自发产生焦耳热,并活化颗粒表面,有效利用颗粒间的自身发热作用而进行烧结,得到的cBN复合材料具有较高质量。该制备方法工艺简单,操作方便,能够快速均匀的加热坯体,降低了生产成本,成型生产效率高,节约能源。(2)本专利技术采用的低融玻璃相结合剂在低温时即可达到熔融状态,熔融的低融玻璃相的结合剂与cBN颗粒有良好的界面润湿性,颗粒与颗粒之间存在的空隙形成毛细管,毛细管中的玻璃熔体可以把分散的cBN颗粒连接起来,得到的烧结体具有高致密度、高硬度等优点。附图说明图1是实施例1中cBN复合材料的升温曲线和放电等离子体烧结炉的压头位移曲线;图2是实施例1中压头位移速率随时间的变化图谱;图3是实施例1制备的cBN复合材料的扫描电子显微照片。具体实施方式下面结合实施例对本专利技术进行详细说明。实施例1一种低融结合剂cBN复合材料的制备方法,步骤为:(1):将石英砂、硼酸、碳酸钠和氧化铝中两种或两种以上研磨混合、在高温炉中进行烧结,待温度升至400℃保温180min后,自然冷却至室温后,进行球磨混料6h(球料比为2:1,转速为100转/分)、烘干、过筛,得到粒度为1-30μm的低融玻璃相的结合剂粉体;将低融玻璃相的结合剂粉体和cBN混合、球磨后所得物料装填到模具中,其中,所得物料中cBN的体积分数为75%;(2)将装填过物料的模具置于德国FCTHP25型放电等离子体烧结炉(SPS)烧结腔内,施加单轴向压力、抽真空至8×10-2Pa后加入氮气或氩气,在30Mpa、750℃条件下进行放电等离子体烧结20min,然后随炉冷却并随温减压后关真空泵;(3)待模具温度降至100℃以下时,将坯体从烧结腔里取出即可得低融结合剂cBN复合材料。上述低融结合剂cBN复合材料的致密度99.30%,硬度为47GPa。在放电等离子体烧结过程中,随着温度的升高,烧结腔内的物料体积发生变化,为了保证烧结腔内的压力不变,放电等离子体烧结炉的压头(压板)的要发生移动。压头位移曲线是指压头随着时间变化移动的距离,cBN复合材料的升温曲线和放电等离子体烧结炉的压头位移曲线见图1;压头位移速率随时间的变化图谱见图2。从图1和图2可以看出,与现有技术相比,在相对较低温度下(750℃),cBN复合材料中出现液相;在等离子体加热过程中,cBN复合材料中形成致密的粘结层,提高cBN颗粒间的把持力,同时也有效排除了坯体中的气体,促进材料的致密化。采用日本电子株式会社JSM-7001F扫描电子显微镜(FE-SEM,Nova230,FEICompany)观察所得样品的微观形貌,扫描电子显微照片见图3,由扫描电子显微照片可以看出,所得试样均比较致密,没有可见的气孔,样品的烧结属于液相烧结,结合剂与cBN颗粒有很好的界面结合力。实施例2一种低融结合剂cBN复合材料的制备方法,步骤为:(1):将石英砂、硼酸、碳酸钠和氧化铝中两种或两种以上研磨混合、在高温炉中进行烧结,待温度升至500℃保温30min后,自然冷却至室温后,进行球磨混料6h(球料比为2:1,转速为100转/分)、烘干、过筛,得到粒度为1-30μm的低融玻璃相的结合剂粉体;将低融玻璃相的结合剂粉体和cBN混合、球磨后所得物料装填到模具中,其中,所得物料中cBN的体积分数为30%;(2)将装填过物料的模具置于德国FCTHP25型放电等离子体烧结炉(SPS)烧结腔内,施加单轴向压力、抽真空至2×10-2Pa后加入氮气或氩气,在30Mpa、900℃条件下进行放电等离子体烧结20min,然后随炉冷却并随温减压后关真空泵;(3)待模具温度降至100℃以下时,将坯体本文档来自技高网
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一种低融结合剂cBN复合材料的制备方法

【技术保护点】
一种低融结合剂cBN复合材料的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:(1)将玻璃相的结合剂和cBN混合、球磨后所得物料装填到模具中;(2)将装填过物料的模具置于SPS烧结腔内,施加单轴向压力、抽真空后加入惰性保护性气体,在30~110Mpa、500~900℃条件下进行放电等离子体烧结10~30min,然后随炉冷却并随温减压后关真空泵;(3)待模具降温后,将坯体从烧结腔里取出即可。

【技术特征摘要】
1.一种低融结合剂cBN复合材料的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:
(1)将玻璃相的结合剂和cBN混合、球磨后所得物料装填到模具中;
(2)将装填过物料的模具置于SPS烧结腔内,施加单轴向压力、抽真空后加入惰性保护性气体,在30~110Mpa、500~900℃条件下进行放电等离子体烧结10~30min,然后随炉冷却并随温减压后关真空泵;
(3)待模具降温后,将坯体从烧结腔里取出即可。
2.根据权利要求1所述的低融结合剂cBN复合材料的制备方法,其特征在于,所述结合剂采用以下方法制备:将石英砂、硼酸、碳酸钠和氧化铝中两种或两种以上研磨混合、在高温炉中进行烧结,待温度升至400~500℃保温30~180min后,自然冷却至室温,球磨、烘干、过筛,得到粒度为1-30...

【专利技术属性】
技术研发人员:雷君
申请(专利权)人:富耐克超硬材料股份有限公司
类型:发明
国别省市:河南;41

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