一种尖晶石型四方相CuFe2O4铁磁性薄膜及其制备方法技术

本发明专利技术提供了一种尖晶石型四方相CuFe2O4铁磁性薄膜及其制备方法，将硝酸铜和硝酸铁按摩尔比为1:2溶于乙二醇甲醚和醋酸酐中，搅拌得到均匀的CuFe2O4前驱液，用旋涂法和逐层退火的工艺在基片上制备出致密度高、晶粒尺寸均匀的尖晶石型四方相CuFe2O4铁磁性薄膜。本发明专利技术采用溶胶凝胶工艺，设备要求简单，适宜在大的表面和形状不规则的表面上制备薄膜，且化学组分精确可控。本发明专利技术制得的尖晶石型四方相CuFe2O4铁磁性薄膜的饱和磁化强度Ms＝110emu/cm3，剩余磁化强度Mr＝71emu/cm3，矫顽Hc＝810Oe。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于功能材料领域，具体涉及一种尖晶石型四方相CuFe2O4铁磁性薄膜及其制备方法。
技术介绍
尖晶石型铁氧体属于一种多功能半导体材料，尤其是一种重要的磁性材料。尖晶石型铁氧体的薄膜在光学性质、电学性质、磁学性质等众多方面展现出许多新型的特性。所以对尖晶石型铁磁性薄膜的深入研究和对其开发利用具有相当重要的意义。具有这种结构的尖晶石型铁氧体是从自然界的一种矿物MgAl2O4之中得来，这是一种按立方晶系结晶的矿物。这种尖晶石晶体的结构最开始是由Bragg(布喇格)和Nishikawa所确定的。这一类型尖晶石型铁氧体是以立方晶系结构构成的一种晶体，它的化学分子通式是MeFe2O4，其中Me代表二价金属离子，Me可以是Co2+、Ni2+、Zn2+等离子。这其中铁是三价离子，同样铁离子也可以被其它如Cr3+、A13+等三价金属离子所取代。按照晶体结构化学理论，在铁酸铜晶体结构中Cu2+主要占据八面体位置，可以用Fe[CuFe]O4来表达。目前，并没有采用溶胶-凝胶法制备尖晶石型四方本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种尖晶石型四方相CuFe2O4铁磁性薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤1：将硝酸铜和硝酸铁按摩尔比为1:2溶于乙二醇甲醚中，搅拌均匀后再加入醋酸酐，得到CuFe2O4前驱液；步骤2：采用旋涂法在基片上旋涂CuFe2O4前驱液，得CuFe2O4湿膜，CuFe2O4湿膜经匀胶后在250～300℃下烘烤得干膜，再于600～750℃下在空气中退火，得到晶态CuFe2O4薄膜；步骤3：待晶态CuFe2O4薄膜冷却后，在晶态CuFe2O4薄膜上重复步骤2，直至达到所需厚度，得到尖晶石型四方相CuFe2O4铁磁性薄膜。

【技术特征摘要】
1.一种尖晶石型四方相CuFe2O4铁磁性薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
步骤1：将硝酸铜和硝酸铁按摩尔比为1:2溶于乙二醇甲醚中，搅拌均匀后再加入醋酸酐，
得到CuFe2O4前驱液；
步骤2：采用旋涂法在基片上旋涂CuFe2O4前驱液，得CuFe2O4湿膜，CuFe2O4湿膜经匀
胶后在250～300℃下烘烤得干膜，再于600～750℃下在空气中退火，得到晶态CuFe2O4薄膜；
步骤3：待晶态CuFe2O4薄膜冷却后，在晶态CuFe2O4薄膜上重复步骤2，直至达到所需
厚度，得到尖晶石型四方相CuFe2O4铁磁性薄膜。
2.根据权利要求1所述的尖晶石型四方相CuFe2O4铁磁性薄膜的制备方法，其特征在于：
所述的CuFe2O4前驱液中乙二醇甲醚和醋酸酐的体积比为(3.5～4.5):1，CuFe2O4前驱液中Fe离
子的浓度为0.3～0.5mol/L。
3.根据权利要求1所述的尖晶石型四方相CuFe2O4铁磁性薄膜的制备方法，其特征在于：
所述步骤2在进行前，先将基片表面清洗干净，然后在紫外光下照射处理，使基片表面达到原
子清洁度。
4.根据权利要求1所述的尖晶石型四方相CuFe2O4铁磁性薄膜的制备方法，其特征在于：
所述的基片为FTO/玻璃基片、Si基片、SrTi...

【专利技术属性】
技术研发人员：谈国强，杨玮，晏霞，耶维，乐忠威，任慧君，夏傲，
申请(专利权)人：陕西科技大学，
类型：发明
国别省市：陕西;61