充电电路及方法技术

本发明专利技术提供一种充电电路及方法。该充电电路，包括处理单元、开关装置和充电芯片；开关装置的控制端与处理单元连接，开关装置的输入端与外部充电设备连接，开关装置的输出端与充电芯片的输入端连接，充电芯片的输出端与电池连接；处理单元，在开关装置与充电设备连接时，根据预设的控制命令控制开关装置至少两次接通和断开；充电芯片，在开关装置接通时，检测充电设备与电池是否适配；处理单元，当充电设备与电池在至少两次检测过程中均适配时，控制开关装置接通，以使充电设备为电池供电。本发明专利技术的处理单元控制开关装置多次接通和断开，使得充电芯片实现对充电设备的多次检测，进而提高了充电设备与电池匹配性检测的准确性。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及电路技术，尤其涉及一种充电电路及方法。
技术介绍
随着科技的进步和人们生活水平的提高，手机的应用越来越普及，为了更好地使用和维护他，需要为手机选择合适的充电设备。但是，目前有一部分手机在充电的过程中会出现充电慢或者手机爆炸的情况。例如，手机将快充型充电设备识别成普通型充电设备，进而使得充电电流过小，造成充电慢的问题；或者，充电设备的充电电流过大，大于手机的预设电流时，造成手机爆炸的问题。因此，如何准确判断充电设备与手机电池的匹配性，成为技术人员亟待解决的技术问题。
技术实现思路
本专利技术提供一种充电电路及方法，以克服无法准确判断充电设备与电池的适配性而造成的充电问题。第一方面，本专利技术提供一种充电电路，包括：处理单元、开关装置和充电芯片；所述开关装置的控制端与所述处理单元连接，所述开关装置的输入端用于与外部充电设备连接，所述开关装置的输出端与所述充电芯片的输入端连接，所述充电芯片的输出端与电池连接；所述处理单元，用于在所述开关装置与所述充电设备连接时，根据预设的控制命令控制所述开关装置的接通和断开；所述充电芯片，用于在所述开关装置接通时，检测所述充电设备与所述电池是否适配；所述处理单元，还用于当所述充电设备与所述电池适配时，控制所述开关装置接通，以使所述充电设备为所述电池供电。在本专利技术的一种可行的实现方式中，所述电路还包括适配器，所述开关装置的输入端通过所述适配器与所述充电设备连接。在本专利技术的另一种可行的实现方式中，所述适配器通过电源线VBUS与所述开关装置的输入端连接，所述开关装置的输出端通过所述VBUS与所述充电芯片的输入端连接。在本专利技术的又一种可行的实现方式中，充电芯片包括电源线VBUS接口和充电电压检测管脚VBUS-SNS接口，所述开关装置的输出端通过所述VBUS分别与所述VBUS接口和所述VBUS-SNS接口连接。在本专利技术的另一种可行的实现方式中，所述开关装置为过压保护OVP器件，所述OVP器件的检测端EN接口与所述处理单元的通用输入输出GPIO接口连接，所述OVP的输出接口通过所述VBUS分别与所述VBUS接口和所述VBUS-SNS连接；所述处理单元用于通过控制所述GPIO接口的电位差来控制所述OVP器件的通断。在本专利技术的另一种可行的实现方式中，所述开关装置为半导体场效应晶体管MOSFET器件，所述MOSFET器件的门Gate接口与所述处理单元的GPIO接口连接，所述MOSFET器件的输出接口通过所述VBUS分别与所述VBUS接口和所述VBUS-SNS接口连接；所述处理单元用于通过控制所述GPIO接口的电位差来控制所述MOSFET器件的通断。在本专利技术的另一种可行的实现方式中，所述电路还包括接地电阻，所述接地电阻的一端与所述开关装置的控制端连接，所述接地电阻的另一端接地。进一步的，所述处理单元为中央处理器CPU。在本专利技术的另一种可行的实现方式中，当所述预设的控制命令为控制所述开关装置进行至少两次接通和断开时，所述处理单元，具体用于在所述开关装置与所述充电设备连接时，根据所述预设的控制命令控制所述开关装置至少两次接通和断开；所述处理单元，具体用于当所述充电设备与所述电池在至少两次检测过程中均适配时，控制所述开关装置接通，以使所述充电设备为所述电池供电。第二方面，本专利技术提供一种充电方法，所述方法适用于充电电路，所述充电电路包括处理单元、开关装置和充电芯片；所述开关装置的控制端与所述处理单元连接，所述开关装置的输入端用于与外部充电设备连接，所述开关装置的输出端与所述充电芯片的输入端连接，所述充电芯片的输出端与电池连接；所述方法包括：当所述开关装置的控制端与所述处理单元连接时，所述处理单元根据预设的控制命令控制所述开关装置接通和断开；在所述开关装置接通时，所述充电芯片检测所述充电设备与所述电池是否适配；当所述充电设备与所述电池适配时，所述处理单元控制所述开关装置接通，以使所述充电设备为所述电池供电。在本专利技术的一种可行的实现方式中，当所述开关装置为过压保护OVP器件时，所述处理单元根据预设的控制命令控制所述开关装置接通和断开，具体包括：所述处理单元通过控制所述GPIO接口的电位差来控制所述OVP器件的通断。在本专利技术的另一种可行的实现方式中，当所述开关装置为半导体场效应晶体管MOSFET器件时，所述处理单元根据预设的控制命令控制所述开关装置接通和断开，具体包括：所述处理单元用于通过控制所述GPIO接口的电位差来控制所述MOSFET器件的通断。本专利技术提供的充好电路及方法，通过将开关装置的控制端与所述处理单元连接，所述开关装置的输入端用于与外部充电设备连接，所述开关装置的输出端与所述充电芯片的输入端连接，所述充电芯片的输出端与电池连接；所述处理单元，用于在所述开关装置与所述充电设备连接时，根据预设的控制命令控制所述开关装置接通和断开；所述充电芯片，用于在所述开关装置接通时，检测所述充电设备与所述电池是否适配；所述处理单元，还用于当所述充电设备与所述电池适配时，控制所述开关装置接通，以使所述充电设备为所述电池供电。本实施例的充电电路，处理单元控制开关装置的接通和断开，使得充电芯片实现对充电设备进行检测，进而实现了充电设备与电池匹配性的准确检测，从而提高了充电的可靠性和安全性。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作一简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为本专利技术提供的充电电路实施例一的电路图；图2为本专利技术提供的充电电路实施例二的电路图；图3为本专利技术提供的充电电路实施例二的另一结构示意图；图4为本专利技术提供的充电方法实施例的流程图。具体实施方式为使本专利技术实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。本专利技术提供的充电电路及方法，适用于任意需要供电的终端设备，例如手机、PC等，用于解决上述由于无法准确检测充电设备与电池的适配性而造成的充电问题。本实施例的充电电路设置在待充电设备内部，作为该待充电设备的充电电路，模拟充电设备的插拔，实现对充电设备与电池的适配性的准确检查，进而提高了充电的效率和安全性。图1为本专利技术提供的充电电路实施例一的电路图，如图1所述，本实施例的充电电路100可以包括：处理单元10、开关装置20和充电芯片30；所述开关装置20的控制端与所述处理单元10连接，所述开关装置20的输入端用于与充电设备连接，所述开关装置20的输出端与所述充电芯片30的输入端连接，所述充电芯片30的输出端与电池连接；所述处理单元10，用于在所述开关装置20与所述充电设备连接时，根据预设的控制命令控制所述开关装置20的接通和断开；所述充电芯片30，用于在所述开关装置20接通时，检测所述充电设备与所述电池是否适配；所述处理单元10，还用于当所述充电设备与所述电池适配时，控制所述开关装本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种充电电路，其特征在于，包括：处理单元、开关装置和充电芯片；所述开关装置的控制端与所述处理单元连接，所述开关装置的输入端用于与外部充电设备连接，所述开关装置的输出端与所述充电芯片的输入端连接，所述充电芯片的输出端与电池连接；所述处理单元，用于在所述开关装置与所述充电设备连接时，根据预设的控制命令控制所述开关装置的接通和断开；所述充电芯片，用于在所述开关装置接通时，检测所述充电设备与所述电池是否适配；所述处理单元，还用于当所述充电设备与所述电池适配时，控制所述开关装置接通，以使所述充电设备为所述电池供电。

【技术特征摘要】
1.一种充电电路，其特征在于，包括：处理单元、开关装置和充电芯片；所述开关装置的控制端与所述处理单元连接，所述开关装置的输入端用于与外部充电设备连接，所述开关装置的输出端与所述充电芯片的输入端连接，所述充电芯片的输出端与电池连接；所述处理单元，用于在所述开关装置与所述充电设备连接时，根据预设的控制命令控制所述开关装置的接通和断开；所述充电芯片，用于在所述开关装置接通时，检测所述充电设备与所述电池是否适配；所述处理单元，还用于当所述充电设备与所述电池适配时，控制所述开关装置接通，以使所述充电设备为所述电池供电。2.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，所述电路还包括适配器，所述开关装置的输入端通过所述适配器与所述充电设备连接。3.根据权利要求2所述的电路，其特征在于，所述适配器通过充电线VBUS与所述开关装置的输入端连接，所述开关装置的输出端通过所述VBUS与所述充电芯片的输入端连接。4.根据权利要求3所述的电路，其特征在于，充电芯片包括充电线VBUS接口和充电电压检测管脚VBUS-SNS接口，所述开关装置的输出端通过所述VBUS分别与所述VBUS接口和所述VBUS-SNS接口连接。5.根据权利要求4所述的电路，其特征在于，所述开关装置为过压保护OVP器件，所述OVP器件的检测端EN接口与所述处理单元的通用输入输出GPIO接口连接，所述OVP的输出接口通过所述VBUS分别与所述VBUS接口和所述VBUS-SNS接口连接；所述处理单元用于通过控制所述GPIO接口的电位差来控制所述OVP器件的通断。6.根据权利要求4所述的电路，其特征在于，所述开关装置为半导体场效应晶体管MOSFET器件，所述MOSFET器件的门Gate接口与所述处理单元的GPIO接口连接，所述MOSFET器件的输出接口通过所述VBUS分别与所述VBUS接口和所述VBUS-SNS接口连接；所述处理单元用于通过控制所述GPIO接口的电位差来控...

【专利技术属性】
技术研发人员：贲志朋，
申请(专利权)人：深圳众思科技有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44