附载体铜箔、积层体、印刷配线板的制造方法及电子机器的制造方法技术

本发明专利技术涉及附载体铜箔、积层体、印刷配线板的制造方法及电子机器的制造方法,且提供一种微细电路形成性良好的附载体铜箔。本发明专利技术的附载体铜箔依序具备载体、中间层、及极薄铜层，并且在通过在压力：20kgf/cm2、220℃的条件下对附载体铜箔进行2小时加热压制而将其从极薄铜层侧贴合在双马来酰亚胺三嗪树脂基板后，将载体剥离，接着通过蚀刻将极薄铜层去除，由此而露出的树脂基板表面的利用激光显微镜所测得的依据ISO 25178的最大凹部深度Sv为0.181～2.922μm。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种附载体铜箔、积层体、印刷配线板的制造方法及电子机器的制造方法。
技术介绍
通常，印刷配线板是经过使绝缘基板粘接于铜箔而制成覆铜积层板后，通过蚀刻在铜箔面形成导体图案的步骤所制造。随着近年来电子机器的小型化、高性能化需求的增大，向搭载零件的高密度安装化或信号的高频化方向发展，对印刷配线板要求导体图案的微细化(微间距化)或高频应对等。最近，应对微间距化而要求厚度9μm以下、进而厚度5μm以下的铜箔，但这种极薄铜箔的机械强度低，在制造印刷配线板时容易破损或产生褶皱，因此出现了将有厚度的金属箔用作载体，并经由剥离层使极薄铜层电镀在该载体上的附载体铜箔。在将极薄铜层的表面贴合在绝缘基板上并进行热压接后，经由剥离层将载体剥离去除。在利用抗蚀剂在所露出的极薄铜层上形成电路图案后，通过利用硫酸-过氧化氢系的蚀刻剂而将极薄铜层蚀刻去除的方法(MSAP：Modified-Semi-Additive-Process，改良半加成法)形成微细电路。这里，对于成为与树脂的粘接面的附载体铜箔的极薄铜层的表面，主要要求极薄铜层与树脂基材的剥离强度充分，并且该剥离强度在高温加热、湿式处理、焊接、化本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种附载体铜箔，其依序具备载体、中间层、及极薄铜层，并且在通过在压力：20kgf/cm2、220℃的条件下对所述附载体铜箔进行2小时加热压制而将其从极薄铜层侧贴合在双马来酰亚胺三嗪树脂基板后，将所述载体剥离，接着通过蚀刻将所述极薄铜层去除，由此而露出的所述树脂基板表面的利用激光显微镜所测得的依据ISO 25178的最大凹部深度Sv为0.181～2.922μm。

【技术特征摘要】
2015.08.06 JP 2015-1565261.一种附载体铜箔，其依序具备载体、中间层、及极薄铜层，并且在通过在压力：20kgf/cm2、220℃的条件下对所述附载体铜箔进行2小时加热压制而将其从极薄铜层侧贴合在双马来酰亚胺三嗪树脂基板后，将所述载体剥离，接着通过蚀刻将所述极薄铜层去除，由此而露出的所述树脂基板表面的利用激光显微镜所测得的依据ISO25178的最大凹部深度Sv为0.181～2.922μm。2.根据权利要求1所述的附载体铜箔，其中，在通过在压力：20kgf/cm2、220℃的条件下对所述附载体铜箔进行2小时加热压制而将其从极薄铜层侧贴合在双马来酰亚胺三嗪树脂基板后，将所述载体剥离，接着通过蚀刻将所述极薄铜层去除，由此而露出的所述树脂基板表面的利用激光显微镜所测得的依据ISO25178的核心部的高差Sk为0.095～0.936μm。3.根据权利要求1所述的附载体铜箔，其中，在通过在压力：20kgf/cm2、220℃的条件下对所述附载体铜箔进行2小时加热压制而将其从极薄铜层侧贴合在双马来酰亚胺三嗪树脂基板后，将所述载体剥离，接着通过蚀刻将所述极薄铜层去除，由此而露出的所述树脂基板表面的利用激光显微镜所测得的依据ISO25178的突出凹部深度Svk为0.051～0.478μm。4.根据权利要求2所述的附载体铜箔，其中，在通过在压力：20kgf/cm2、220℃的条件下对所述附载体铜箔进行2小时加热压制而将其从极薄铜层侧贴合在双马来酰亚胺三嗪树脂基板后，将所述载体剥离，接着通过蚀刻将所述极薄铜层去除，由此而露出的所述树脂基板表面的利用激光显微镜所测得的依据ISO25178的突出凹部深度Svk为0.051～0.478μm。5.根据权利要求1所述的附载体铜箔，其中，在通过在压力：20kgf/cm2、220℃的条件下对所述附载体铜箔进行2小时加热压制而将其从极薄铜层侧贴合在双马来酰亚胺三嗪树脂基板后，将所述载体剥离，接着通过蚀刻将所述极薄铜层去除，由此而露出的所述树脂基板表面的利用激光显微镜所测得的依据ISO25178的凹部的空隙容积Vvv为0.003～0.020μm3/μm2。6.根据权利要求2所述的附载体铜箔，其中，在通过在压力：20kgf/cm2、220℃的条件下对所述附载体铜箔进行2小时加热压制而将其从极薄铜层侧贴合在双马来酰亚胺三嗪树脂基板后，将所述载体剥离，接着通过蚀刻将所述极薄铜层去除，由此而露出的所述树脂基板表面的利用激光显微镜所测得的依据ISO25178的凹部的空隙容积Vvv为0.003～0.020μm3/μm2。7.根据权利要求3所述的附载体铜箔，其中，在通过在压力：20kgf/cm2、220℃的条件下对所述附载体铜箔进行2小时加热压制而将其从极薄铜层侧贴合在双马来酰亚胺三嗪树脂基板后，将所述载体剥离，接着通过蚀刻将所述极薄铜层去除，由此而露出的所述树脂基板表面的利用激光显微镜所测得的依据ISO25178的凹部的空隙容积Vvv为0.003～0.020μm3/μm2。8.根据权利要求4所述的附载体铜箔，其中，在通过在压力：20kgf/cm2、220℃的条件下对所述附载体铜箔进行2小时加热压制而将其从极薄铜层侧贴合在双马来酰亚胺三嗪树脂基板后，将所述载体剥离，接着通过蚀刻将所述极薄铜层去除，由此而露出的所述树脂基板表面的利用激光显微镜所测得的依据ISO25178的凹部的空隙容积Vvv为0.003～0.020μm3/μm2。9.根据权利要求1至8中任一项所述的附载体铜箔，其中，在通过在压力：20kgf/cm2、220℃的条件下对所述附载体铜箔进行2小时加热压制而将其从极薄铜层侧贴合在双马来酰亚胺三嗪树脂基板后，将所述载体剥离，接着通过蚀刻将所述极薄铜层去除，由此而露出的所述树脂基板表面的利用激光显微镜所测得的依据ISO25178的最大凹部深度Sv与突出凹部深度Svk的比Sv/Svk为3.549～10.777。10.根据权利要求9所述的附载体铜箔，其中，在所述树脂基板表面满足以下10-1～10-5的项目中的任一个或两个或三个或四个或五个：·10-1：利用激光显微镜所测得的依据ISO25178的最大凹部深度Sv满足以下10-1a～10-1c中的任一个：10-1a：2.35μm以下、10-1b：1.4μm以下、10-1c：0.67μm以下；·10-2：利用激光显微镜所测得的依据ISO25178的核心部的高差Sk满足以下10-2a～10-2c中的任一个：10-2a：0.8μm以下、10-2b：0.48μm以下、10-2c：0.35μm以下；·10-3：利用激光显微镜所测得的依据ISO25178的突出凹部深度Svk满足以下10-3a～10-3c中的任一个：10-3a：0.210μm以下、10-3b：0.164μm以下、10-3c：0.160μm以下；·10-4：利用激光显微镜所测得的依据ISO25178的凹部的空隙容积Vvv满足以下10-4a～10-4e中的任一个：10-4a：0.018μm3/μm2以下、10-4b：0.010μm3/μm2以下、10-4c：0.009μm3/μm2以下、10-4d：0.008μm3/μm2以下、10-4e：0.007μm3/μm2以下；·10-5：利用激光显微镜所测得的依据ISO25178的最大凹部深度Sv与突出凹部深度Svk的比Sv/Svk满足以下10-5a～10-5c中的任一个：10-5a：10.5以下、10-5b：8.300以下、10-5c：7.000以下。11.一种附载体铜箔，其依序具备载体、中间层、及极薄铜层，并且在通过在压力：20kgf/cm2、220℃的条件下对所述附载体铜箔进行2小时加热压制而将其从极薄铜层侧贴合在双马来酰亚胺三嗪树脂基板后，将所述载体剥离，接着通过蚀刻将所述极薄铜层去除，由此而露出的所述树脂基板表面的利用激光显微镜所测得的依据ISO25178的核心部的高差Sk为0.095～0.936μm。12.根据权利要求11所述的附载体铜箔，其中，在通过在压力：20kgf/cm2、220℃的条件下对所述附载体铜箔进行2小时加热压制而将其从极薄铜层侧贴合在双马来酰亚胺三嗪树脂基板后，将所述载体剥离，接着通过蚀刻将所述极薄铜层去除，由此而露出的所述树脂基板表面的利用激光显微镜所测得的依据ISO25178的突出凹部深度Svk为0.051～0.478μm。13.根据权利要求11所述的附载体铜箔，其中，在通过在压力：20kgf/cm2、220℃的条件下对所述附载体铜箔进行2小时加热压制而将其从极薄铜层侧贴合在双马来酰亚胺三嗪树脂基板后，将所述载体剥离，接着通过蚀刻将所述极薄铜层去除，由此而露出的所述树脂基板表面的利用激光显微镜所测得的依据ISO25178的凹部的空隙容积Vvv为0.003～0.020μm3/μm2。14.根据权利要求12所述的附载体铜箔，其中，在通过在压力：20kgf/cm2、220℃的条件下对所述附载体铜箔进行2小时加热压制而将其从极薄铜层侧贴合在双马来酰亚胺三嗪树脂基板后，将所述载体剥离，接着通过蚀刻将所述极薄铜层去除，由此而露出的所述树脂基板表面的利用激光显微镜所测得的依据ISO25178的凹部的空隙容积Vvv为0.003～0.020μm3/μm2。15.根据权利要求11所述的附载体铜箔，其中，在通过在压力：20kgf/cm2、220℃的条件下对所述附载体铜箔进行2小时加热压制而将其从极薄铜层侧贴合在双马来酰亚胺三嗪树脂基板后，将所述载体剥离，接着通过蚀刻将所述极薄铜层去除，由此而露出的所述树脂基板表面的利用激光显微镜所测得的依据ISO25178的最大凹部深度Sv与突出凹部深度Svk的比Sv/Svk为3.549～10.777。16.根据权利要求12所述的附载体铜箔，其中，在通过在压力：20kgf/cm2、220℃的条件下对所述附载体铜箔进行2小时加热压制而将其从极薄铜层侧贴合在双马来酰亚胺三嗪树脂基板后，将所述载体剥离，接着通过蚀刻将所述极薄铜层去除，由此而露出的所述树脂基板表面的利用激光显微镜所测得的依据ISO25178的最大凹部深度Sv与突出凹部深度Svk的比Sv/Svk为3.549～10.777。17.根据权利要求13所述的附载体铜箔，其中，在通过在压力：20kgf/cm2、220℃的条件下对所述附载体铜箔进行2小时加热压制而将其从极薄铜层侧贴合在双马来酰亚胺三嗪树脂基板后，将所述载体剥离，接着通过蚀刻将所述极薄铜层去除，由此而露出的所述树脂基板表面的利用激光显微镜所测得的依据ISO25178的最大凹部深度Sv与突出凹部深度Svk的比Sv/Svk为3.549～10.777。18.根据权利要求14所述的附载体铜箔，其...

【专利技术属性】
技术研发人员：宫本宣明，
申请(专利权)人：JX金属株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP