有机发光器件及有机发光显示器制造技术

技术编号:14701521 阅读:32 留言:0更新日期:2017-02-24 19:39
本发明专利技术公开了一种有机发光器件,其包括:衬底基材;位于衬底基材之上的底电极;与底电极相对且与底电极间隔开的顶电极;位于底电极和顶电极之间的有机电致发光元件;设置于顶电极与有机电致发光元件之间和/或底电极与有机电致发光元件之间的缓冲元件,所述缓冲元件用于提高载流子平衡以及电子和/或空穴的传输性能。本发明专利技术通过在顶电极与有机电致发光元件之间和/或底电极与有机电致发光元件之间设置能够提高空穴和/或电子的传输性能能够提高载流子平衡的缓冲元件,以提高有机发光器件的发光效率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于电致发光
,具体地讲,涉及一种有机发光器件及有机发光显示器
技术介绍
近年来,有机发光二极管(OrganicLight-EmittingDiode,OLED)成为国内外非常热门的新兴平面显示器产品,这是因为OLED显示器具有自发光、广视角(达175°以上)、短反应时间(1μs)、高发光效率、广色域、低工作电压(3~10V)、薄厚度(可小于1mm)、可制作大尺寸与可挠曲的面板及制程简单等特性,而且它还具有低成本的潜力。目前,有机发光二极管由具有不同功能的多层结构组成。每层结构所采用材料的固有属性及其与其他层结构所采用材料的兼容性是非常重要的。在多层结构中,通常包括空穴注入层(HIL)、空穴传输层(HTL)、发光层(EML)、电子传输层(ETL)以及电子注入层(EIL)等。但是,采用这种多层结构的缺陷在于空穴传输层或者电子传输层的传输速率低,电子和空穴通常难以保持平衡,从而导致器件效率较低。另外,电子传输层直接与顶电极接触,当顶电极采用金属材料制成时,在沉积过程中,金属原子很容易进入电子传输层内部,成为激子猝灭中心,降低了器件效率以及寿命。
技术实现思路
为了解决上述的技术问题,本专利技术的目的在于提供一种能够提高空穴传输层和/或电子传输层的传输速率,并且能够提高载流子平衡的有机发光器件及具有该有机发光器件的有机发光显示器。根据本专利技术的一方面,提供了一种有机发光器件,其包括:衬底基材;位于衬底基材之上的底电极;与底电极相对且与底电极间隔开的顶电极;位于底电极和顶电极之间的有机电致发光元件;设置于顶电极与有机电致发光元件之间和/或底电极与有机电致发光元件之间的缓冲元件,所述缓冲元件用于提高载流子平衡以及电子和/或空穴的传输性能。可选地,所述缓冲元件由P型半导体材料和N型半导体材料混合制成。可选地,所述P型半导体材料包括酞菁铜、并五苯、并四苯、NPB、TPBI中的至少一种;所述N型半导体材料包括C60、苝酐或苝二酰胺、氧化钼中的至少一种。可选地,所述P型半导体材料与所述N型半导体材料的混合比例介于8:1至1:8之间。可选地,所述有机电致发光元件从底电极到顶电极顺序包括:空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层及电子注入层。可选地,当仅在所述底电极与所述有机电致发光元件之间设置所述缓冲元件时,所述有机电致发光元件从底电极到顶电极顺序包括:空穴传输层、发光层、电子传输层及电子注入层。可选地,当仅在所述顶电极与所述有机电致发光元件之间设置所述缓冲元件时所述有机电致发光元件从底电极到顶电极顺序包括:空穴注入层、空穴传输层、发光层及电子传输层。可选地,当分别在所述顶电极与所述有机电致发光元件之间和所述底电极与所述有机电致发光元件之间设置缓冲元件时,所述有机电致发光元件从底电极到顶电极顺序包括:空穴传输层、发光层及电子传输层。可选地,所述底电极和所述顶点极中的一个是透明的或半透明的,另一个是不透明且反射光的。根据本专利技术的另一方面,又提供了一种有机发光显示器,其包括上述的有机发光器件。本专利技术的有益效果:本专利技术通过在顶电极与有机电致发光元件之间和/或底电极与有机电致发光元件之间设置能够提高空穴和/或电子的传输性能能够提高载流子平衡的缓冲元件,以提高有机发光器件的发光效率。附图说明通过结合附图进行的以下描述,本专利技术的实施例的上述和其它方面、特点和优点将变得更加清楚,附图中:图1根据本专利技术的第一实施例的有机发光器件的结构示意图;图2根据本专利技术的第二实施例的有机发光器件的结构示意图;图3根据本专利技术的第三实施例的有机发光器件的结构示意图;图4根据本专利技术的第四实施例的有机发光器件的结构示意图;图5根据本专利技术的第五实施例的有机发光器件的结构示意图;图6根据本专利技术的第六实施例的有机发光器件的结构示意图。具体实施方式以下,将参照附图来详细描述本专利技术的实施例。然而,可以以许多不同的形式来实施本专利技术,并且本专利技术不应该被解释为限制于这里阐述的具体实施例。相反,提供这些实施例是为了解释本专利技术的原理及其实际应用,从而使本领域的其他技术人员能够理解本专利技术的各种实施例和适合于特定预期应用的各种修改。在附图中,为了清楚器件,夸大了层和区域的厚度。相同的标号在整个说明书和附图中表示相同的元器件。有机电致发光元件(或称有机EL元件)是指处于两个电极之间的一个或多个有机层,它们在外加电压下发光。图1根据本专利技术的第一实施例的有机发光器件的结构示意图。参照图1,根据本专利技术的第一实施例的有机发光器件包括:衬底基材100、位于衬底基材100上的底电极210、与底电极210相对且与底电极210间隔开的顶电极220、位于底电极210和顶电极220之间的有机电致发光元件300以及位于底电极210与有机电致发光元件300之间的缓冲元件400,其中该缓冲元件400用于提高空穴的传输性能(或称空穴的传输速率),并且该缓冲元件400还用于提高载流子平衡(或载流子平衡系数),从而提高有机发光器件的发光效率。衬底基材100可以是透明的或者不透明的。对于通过衬底基材100观察有机电致发光组件发光来说,衬底基材100是具有透光性质。在此情况下通常使用透明玻璃或塑料。对于通过顶电极观察有机电致发光组件发光来说,衬底基材100的可以是透光的、吸光的或反光的。用于这种情况的材料包括但是不局限于玻璃、塑料、半导体材料、陶瓷、电路板材料或任何其它合适的材料。底电极210最通常被设置为阳极。底电极210也是反光镜。当通过衬底基材100观察有机电致发光组件发光时,底电极210可以由反射性金属制成,并且应该足够薄以便在发射光的波长下具有部分透光率,这被称为是半透明的,或者底电极210可以由透明的金属氧化物制成,诸如氧化铟锡或氧化锌锡等。当通过顶电极观察有机电致发光组件发光时,底电极210可以由反射性金属制成,并且应该足够厚,以使其基本上是不透光的且是全反光镜。顶电极220最通常被设置为阴极。顶电极220也是反光镜。当通过顶电极220观察有机电致发光组件发光时,顶电极220可以由反射性金属制成,并且应该足够薄以便在发射光的波长下具有部分透光率,这被称为是半透明的,或者顶电极220可以由透明的金属氧化物制成,诸如氧化铟锡或氧化锌锡等。当通过衬底基材100观察有机电致发光组件发光时,顶电极220可以由反射性金属制成,并且应该足够厚,以使其基本上是不透光的且是全反光镜。在本实施例中,有机电致发光元件300从底电极210到顶电极220顺序包括:空穴注入层(HIL)310、空穴传输层(HTL)320、发光层(EML)330、电子传输层(ETL)340以及电子注入层(EIL)350;其中这些层结构可使用适当的材料制成,在此不再赘述。缓冲元件400由P型半导体材料和N型半导体材料混合制成,并且缓冲元件400具有较高的空穴和电子浓度。P型半导体材料与N型半导体材料的共混比例可以是8:1、4:1、3:1、3:2、1:1、1:3、2:3、1:4或1:8等。P型半导体材料包括酞菁铜、并五苯、并四苯、NPB(N,N'-二苯基-N,N'-(1-萘基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺)、TPBI(1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯)等中的至少一种;N型半导体材料包括C60、苝酐或苝本文档来自技高网...
有机发光器件及有机发光显示器

【技术保护点】
一种有机发光器件,其特征在于,包括:衬底基材;位于衬底基材之上的底电极;与底电极相对且与底电极间隔开的顶电极;位于底电极和顶电极之间的有机电致发光元件;设置于顶电极与有机电致发光元件之间和/或底电极与有机电致发光元件之间的缓冲元件,所述缓冲元件用于提高载流子平衡以及电子和/或空穴的传输性能。

【技术特征摘要】
1.一种有机发光器件,其特征在于,包括:衬底基材;位于衬底基材之上的底电极;与底电极相对且与底电极间隔开的顶电极;位于底电极和顶电极之间的有机电致发光元件;设置于顶电极与有机电致发光元件之间和/或底电极与有机电致发光元件之间的缓冲元件,所述缓冲元件用于提高载流子平衡以及电子和/或空穴的传输性能。2.根据权利要求1所述的有机发光器件,其特征在于,所述缓冲元件由P型半导体材料和N型半导体材料混合制成。3.根据权利要求2所述的有机发光器件,其特征在于,所述P型半导体材料包括酞菁铜、并五苯、并四苯、NPB、TPBI中的至少一种;所述N型半导体材料包括C60、苝酐或苝二酰胺、氧化钼中的至少一种。4.根据权利要求2所述的有机发光器件,其特征在于,所述P型半导体材料与所述N型半导体材料的混合比例介于8:1至1:8之间。5.根据权利要求1至4中任一项所述的有机发光器件,其特征在于,所述有机电致发光元件从底电极到顶电极顺序包括:空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层及电子注入层。...

【专利技术属性】
技术研发人员:江志雄
申请(专利权)人:深圳市华星光电技术有限公司
类型:发明
国别省市:广东;44

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