一种PERC电池的制备方法技术

本发明专利技术公开了一种PERC电池的制备方法，包括：步骤1，对硅片进行制绒；步骤2，对硅片进行背面硼扩散和正面磷扩散，形成硼硅玻璃层和磷硅玻璃层；步骤3，刻蚀去掉硼硅玻璃层和磷硅玻璃层；步骤4，对硅片的背面镀背面钝化层；步骤5，对硅片的正面镀正面减反膜；步骤6，对硅片进行背面激光开槽；步骤7，对硅片的背面丝网印刷栅线状铝背场；步骤8，对硅片的正面印刷正面电极，并进行烧结。通过背面印刷栅线状铝背场，可使铝浆被充分地挤压并严实地填充整个开口槽体，从而降低铝硅空洞比例、节约了铝浆降低制造成本；同时双面扩散叠加栅线状铝背场制作的PERC电池，有双面电池的效果，对于当前新型双玻组件有一定的功率提升。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及光伏组件制造领域，特别是涉及一种PERC电池的制备方法。
技术介绍
高效、低成本是目前晶硅太阳能电池追求的主要目标，PERC电池是当前提高多晶硅太阳电池电性能的主要技术，其核心是在硅片的背光面用氧化铝或者氧化硅薄膜(5nm～10nm)覆盖，以起到钝化背表面，提高长波响应的作用，从而提升电池的转换效率。现有的PERC太阳能电池结构其制备方法主要包括如下步骤：制绒、扩散、刻蚀、背面沉积氧化铝或氧化硅薄膜、沉积氮化硅保护膜、正面沉积氮化硅减反射层、背面局部开口、丝网印刷正背面金属浆料、烧结，即可得到PERC电池。常规的PERC电池背面印刷整面的铝背场，铝浆在开槽内填充不严实容易形成空洞，降低了背面钝化的效果；同时双面扩散叠加栅线状铝背场制作的PERC电池，有双面电池的效果，对于当前新型双玻组件有一定的功率提升。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种PERC电池的制备方法，减少太阳能电池的铝硅空洞比例，节约了铝浆，降低了制造成本。为解决上述技术问题，本专利技术实施例提供了一种PERC电池的制备方法，包括：步骤1，对硅片进行制绒；步骤2，对所述硅片进行背面硼扩散和正面磷扩散，形成硼硅玻璃层和磷硅玻璃层；步骤3，刻蚀去掉所述硼硅玻璃层和所述磷硅玻璃层；步骤4，对所述硅片的背面镀背面钝化层；步骤5，对所述硅片的正面镀正面减反膜；步骤6，对所述硅片进行背面激光开槽；步骤7，对所述硅片的背面丝网印刷栅线状铝背场；步骤8，对所述硅片的正面印刷正面电极，并进行烧结。其中，所述栅线状铝背场的网版线宽度为25μm～30μm。其中，所述栅线状铝背场的网版线宽度为35μm～40μm。其中，所述背面钝化层为所述硅片的背面的氧化铝层和氮化硅层。其中，所述正面减反膜为氮化硅减反膜。本专利技术实施例所提供的PERC电池的制备方法，包括：步骤1，对硅片进行制绒；步骤2，对所述硅片进行背面硼扩散和正面磷扩散，形成硼硅玻璃层和磷硅玻璃层；步骤3，刻蚀去掉所述硼硅玻璃层和所述磷硅玻璃层；步骤4，对所述硅片的背面镀背面钝化层；步骤5，对所述硅片的正面镀正面减反膜；步骤6，对所述硅片进行背面激光开槽；步骤7，对所述硅片的背面丝网印刷栅线状铝背场；步骤8，对所述硅片的正面印刷正面电极，并进行烧结。所述PERC电池的制备方法，通过背面印刷栅线状铝背场，可使铝浆被充分地挤压并严实地填充整个开口槽体，从而降低铝硅空洞比例、节约了铝浆降低制造成本；同时双面扩散叠加栅线状铝背场制作的PERC电池，有双面电池的效果，对于当前新型双玻组件有一定的功率提升。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为本专利技术实施例所提供的PERC电池的制备方法的一种具体实施方式的步骤流程示意图。具体实施方式正如
技术介绍
部分所述，现有的PERC电池背面印刷整面的铝背场，铝浆在开槽内填充不严实容易形成空洞，降低了背面钝化的效果。基于此，本专利技术实施例提供了一种PERC电池的制备方法，包括：步骤1，对硅片进行制绒；步骤2，对所述硅片进行背面硼扩散和正面磷扩散，形成硼硅玻璃层和磷硅玻璃层；步骤3，刻蚀去掉所述硼硅玻璃层和所述磷硅玻璃层；步骤4，对所述硅片的背面镀背面钝化层；步骤5，对所述硅片的正面镀正面减反膜；步骤6，对所述硅片进行背面激光开槽；步骤7，对所述硅片的背面丝网印刷栅线状铝背场；步骤8，对所述硅片的正面印刷正面电极，并进行烧结。综上所述，本专利技术实施例提供的PERC电池的制备方法，通过背面印刷栅线状铝背场，可使铝浆被充分地挤压并严实地填充整个开口槽体，从而降低铝硅空洞比例、节约了铝浆降低制造成本；同时双面扩散叠加栅线状铝背场制作的PERC电池，有双面电池的效果，对于当前新型双玻组件有一定的功率提升。为使本专利技术的上述目的、特征和优点能够更为明显易懂，下面结合附图对本专利技术的具体实施方式做详细的说明。在以下描述中阐述了具体细节以便于充分理解本专利技术。但是本专利技术能够以多种不同于在此描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本专利技术内涵的情况下做类似推广。因此本专利技术不受下面公开的具体实施的限制。请参考图1，图1为本专利技术实施例所提供的PERC电池的制备方法的一种具体实施方式的步骤流程示意图。在一种具体方式中，所述PERC电池的制备方法，包括：步骤1，对硅片进行制绒；步骤2，对所述硅片进行背面硼扩散和正面磷扩散，形成硼硅玻璃层和磷硅玻璃层；步骤3，刻蚀去掉所述硼硅玻璃层和所述磷硅玻璃层；步骤4，对所述硅片的背面镀背面钝化层；步骤5，对所述硅片的正面镀正面减反膜；步骤6，对所述硅片进行背面激光开槽；步骤7，对所述硅片的背面丝网印刷栅线状铝背场；步骤8，对所述硅片的正面印刷正面电极，并进行烧结。所述PERC电池的制备方法，通过背面印刷栅线状铝背场，可使铝浆被充分地挤压并严实地填充整个开口槽体，从而降低铝硅空洞比例、节约了铝浆降低制造成本；同时双面扩散叠加栅线状铝背场制作的PERC电池，有双面电池的效果，对于当前新型双玻组件有一定的功率提升。对比例取500片单晶硅片，进行常规PERC的制绒、扩散、刻蚀、背面氧化铝、背面氮化硅、正面氮化硅、背面激光开槽(30-50um线宽)工序后，通过丝网印刷的方式印刷整面背电场，印刷正面电极、烧结，完成电池的制备，制成的单晶PERC电池最大效率可达到20.40％。实施例1取500片单晶硅片，进行常规PERC的制绒、扩散、刻蚀、背面氧化铝、背面氮化硅、正面氮化硅、背面激光开槽(30-50um线宽)工序后，通过丝网印刷的方式印刷栅线状背电场-所述栅线状铝背场的网版线宽度为25μm～30μm，印刷正面电极、烧结，完成电池的制备，制成的单晶PERC电池最大效率可达到20.55％。实施例2所述栅线状铝背场的网版线宽度为35μm～40μm，进行常规PERC的制绒、扩散、刻蚀、背面氧化铝、背面氮化硅、正面氮化硅、背面激光开槽(42um线宽)工序后，通过丝网印刷的方式印刷栅线状背电场-所述栅线状铝背场的网版线宽度为35μm～40μm，印刷正面电极、烧结，完成电池的制备，制成的单晶PERC电池最大效率可达到20.45％。通过以上对比例与实施例的测试结果可知：栅线状背电场更容易量产，节约铝浆降低生产成本，且效率也有增益；同时双面扩散叠加栅线状铝背场制作的PERC电池，有双面电池的效果，对于当前新型双玻组件有一定的功率提升。其中，所述背面钝化层为所述硅片的背面的氧化铝层和氮化硅层。其中，所述正面减反膜为氮化硅减反膜。本专利技术对背面钝化层和正面减反膜的厚度、材质以及沉积方法不做具体限定。综上所述，本专利技术实施例提供的PERC电池的制备方法，通过背面印刷栅线状铝背场，可使铝浆被充分地挤压并严实地填充整个开口槽体，从而降低铝硅空洞比例、节约了铝浆降低制造成本；同时双面扩散叠加栅线状铝背场制作的PERC电池，有双面电池的效果，对于当前新型双玻组件有一定的功率提升。以上对本专利技术所提供的PERC电池的制备方法进行了详细介绍。本文中应用了具体个例对本专利技术的原理及实施方式进行了阐本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种PERC电池的制备方法，其特征在于，包括：步骤1，对硅片进行制绒；步骤2，对所述硅片进行背面硼扩散和正面磷扩散，形成硼硅玻璃层和磷硅玻璃层；步骤3，刻蚀去掉所述硼硅玻璃层和所述磷硅玻璃层；步骤4，对所述硅片的背面镀背面钝化层；步骤5，对所述硅片的正面镀正面减反膜；步骤6，对所述硅片进行背面激光开槽；步骤7，对所述硅片的背面丝网印刷栅线状铝背场；步骤8，对所述硅片的正面印刷正面电极，并进行烧结。

【技术特征摘要】
1.一种PERC电池的制备方法，其特征在于，包括：步骤1，对硅片进行制绒；步骤2，对所述硅片进行背面硼扩散和正面磷扩散，形成硼硅玻璃层和磷硅玻璃层；步骤3，刻蚀去掉所述硼硅玻璃层和所述磷硅玻璃层；步骤4，对所述硅片的背面镀背面钝化层；步骤5，对所述硅片的正面镀正面减反膜；步骤6，对所述硅片进行背面激光开槽；步骤7，对所述硅片的背面丝网印刷栅线状铝背场；步骤8，对所述硅片的正面印刷正面电极，并进行烧结。2.如权利要求1所...

【专利技术属性】
技术研发人员：孙海杰，金井升，蒋方丹，金浩，
申请(专利权)人：浙江晶科能源有限公司，晶科能源有限公司，
类型：发明
国别省市：浙江;33