阵列基板及其制作方法和有机发光显示器件技术

本发明专利技术公开了一种阵列基板，包括：基底，包括电容区以及非电容区；半导体层，位于所述基底的电容区和非电容区上；第一电极，位于所述半导体层上，并位于所述电容区上；第一介电层，位于所述第一电极以及半导体层上；第二介电层，位于所述第一介电层上；第一开口和第二开口，所述第一开口位于所述电容区上的所述第二介电层中，所述第二开口位于所述非电容区上的第一介电层和第二介电层中；金属层，位于所述第二介电层上、第一开口内和第二开口内。本发明专利技术还公开了一种包括所述阵列基板的有机发光显示器件以及一种阵列基板的制作方法，本发明专利技术的阵列基板的生产成本低。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及显示
，特别是涉及一种阵列基板及其制作方法、有机发光显示器件。
技术介绍
有机发光显示器件(OLED)通过使用有机发光元件来显示图像。当电子和空穴在有机发射层中结合所产生的激子从激发态下降至基态时，释放出一定的能量来产生光，有机发光显示器件(OLED)通过使用这种光来显示图像。一般来说，有机发光显示器件(OLED)设置有多个薄膜晶体管，并在相邻的薄膜晶体管之间设置有电容器。然而，现有技术中薄膜晶体管和电容器各层的形成需要经过多道掩膜遮挡的刻蚀工艺，工艺复杂，成本较高。
技术实现思路
为解决现有技术中有机发光显示器件制备成本高的技术问题，本专利技术提供一种阵列基板，包括：基底，包括电容区以及非电容区；半导体层，位于所述基底的电容区和非电容区上；第一电极，位于所述半导体层上，并位于所述电容区上；第一介电层，位于所述第一电极以及半导体层上；第二介电层，位于所述第一介电层上；第一开口和第二开口，所述第一开口位于所述电容区上的所述第二介电层中，所述第二开口位于所述非电容区上的第一介电层和第二介电层中；以及金属层，位于所述第二介电层上、第一开口内和第二开口内。进一步的，在所述阵本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种阵列基板，其特征在于，包括：基底，包括电容区以及非电容区；半导体层，位于所述基底的电容区和非电容区上；第一电极，位于所述半导体层上，并位于所述电容区上；第一介电层，位于所述第一电极以及半导体层上；第二介电层，位于所述第一介电层上；第一开口和第二开口，所述第一开口位于所述电容区上的所述第二介电层中，所述第二开口位于所述非电容区上的第一介电层和第二介电层中；以及金属层，位于所述第二介电层上、第一开口内和第二开口内。

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板，其特征在于，包括：基底，包括电容区以及非电容区；半导体层，位于所述基底的电容区和非电容区上；第一电极，位于所述半导体层上，并位于所述电容区上；第一介电层，位于所述第一电极以及半导体层上；第二介电层，位于所述第一介电层上；第一开口和第二开口，所述第一开口位于所述电容区上的所述第二介电层中，所述第二开口位于所述非电容区上的第一介电层和第二介电层中；以及金属层，位于所述第二介电层上、第一开口内和第二开口内。2.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述金属层中还设置有第三开口，所述电容区上的金属层与所述非电容区上的金属层通过所述第三开口相隔离，位于所述电容区上的金属层形成第二电极，位于所述非电容区上的金属层形成走线。3.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括绝缘层，所述绝缘层位于所述半导体层与第一电极以及所述半导体层与第一介电层之间，所述第二开口还位于所述绝缘层中。4.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第一介电层和所述第二介电层的材料不同。5.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第一介电层的材料为氮化硅，所述第二介电层的材料为氧化硅。6.一种有机发光显示器件，包括如权利要求1-5中任意一项所述阵列基板。7.一种如权利要求1-5中任意一项所述阵列基板的制作方法，其特征在于，包括：在基底上形成半导体层；在所述半导体层上形成第一电极；在所述第一电极以及半导体层上形成第一介电层；在所述第一介电层上形成第二介电层；在所述电容区上...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄梦，文国哲，
申请(专利权)人：昆山国显光电有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32