一种印刷AM-QDLED器件及其制备方法技术

本发明专利技术公开一种印刷AM-QDLED器件及其制备方法，本发明专利技术通过在Bank顶层增加其粗糙度形成一粗糙层，在不增加外材料和工艺难度的前提下，放大墨水初期对基板的浸润疏液性；且通过改变墨水组成结构，在挥发过程前期使墨水对基板相对疏水，并通过基板粗糙度的放大效果将墨水局限在Bank结构内；其后随着高表面张力且低沸点的溶液挥发，在Bank内溶液表面张力逐渐变小，最终与Bank形成浸润状态，提高了溶液成膜的均匀性，并强化了器件性能和制造成本。同时相对于传统工艺，本发明专利技术方法操作简单易行且可控性高，可在不增加制作工艺前提下降低制作难度，并最终降低整体成本和提高了器件利润空间。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及发光二极管
，尤其涉及一种印刷AM-QDLED器件及其制备方法。
技术介绍
由于拥有大面积、柔性化与低成本等FMM或SMS掩膜板生产方式所不具备的特征点，印刷有机发光二极管（OLED）和量子点-有机发光二极管QD-LED技术越来越受到厂商的关注。但作为一个新兴技术，溶液法印刷技术和印刷工艺一直未能得到很好的解决。虽然研究者们从材料及喷印设备对其进行了改进，但是印刷出的薄膜形貌不均匀等印刷难题一直未能达到预期结果。在常规印刷AM-QDLED或AMOLED器件中，像素界定层(PDL或Bank)为呈现上窄下宽的结构以限制墨水在印刷时向四周溢出。该像素界定层一般为负性光刻胶，其表面光滑。为保证墨水成膜的均匀性，Bank内部需与墨水呈现亲液性质，而同时为避免墨滴飞溅和相邻像素点间墨水融合，Bank上半部分需要与液体呈现疏液性质。常规印刷墨水为单一溶剂体系，则在印刷中为实现Bank上部疏液而下部亲液效果，Bank往往由多种材料并经过多次复杂工序制成。通过此方式以保证墨水对Bank亲疏液性，存在多次对位、曝光、显影和刻蚀工序，产生制作难度上升、制作工艺复杂、器件整体均匀性差和表面成膜性差等缺点，极大的限制了印刷技术在大尺寸显示器制造方向上的运用。因此，现有技术还有待于改进和发展。
技术实现思路
鉴于上述现有技术的不足，本专利技术的目的在于提供一种印刷AM-QDLED器件及其制备方法，旨在解决现有像素界定层制作难度上升、制作工艺复杂、器件整体均匀性差和表面成膜性差的问题。本专利技术的技术方案如下：一种印刷AM-QDLED器件的制备方法，其中，包括步骤：A、在基板上沉积TFT驱动阵列，然后在TFT驱动阵列上沉积阳极层；B、在阳极层上涂覆光刻胶，并采用曝光的方法将光刻胶制作成梯形结构的像素界定层，然后在梯形结构的像素界定层的上部制作一粗糙层；C、在像素界定层的沟槽内依次制作电子注入层、电子传输层和量子点发光层；D、在量子点发光层上依次制作空穴传输层、空穴注入层和阴极层，得到印刷AM-QDLED器件。所述的印刷AM-QDLED器件的制备方法，其中，所述步骤A中，所述基板为刚性基板或柔性基板。所述的印刷AM-QDLED器件的制备方法，其中，所述步骤A具体包括步骤：对基板进行洁净处理，接着在基板上沉积TFT驱动阵列并进行退火处理，然后在TFT驱动阵列上沉积阳极层并进行刻蚀形成阳极图案。所述的印刷AM-QDLED器件的制备方法，其中，所述步骤B中，所述光刻胶的材料包含树脂、感光剂、溶剂和添加剂。所述的印刷AM-QDLED器件的制备方法，其中，所述步骤B具体包括步骤：在阳极层上以旋涂工艺涂覆光刻胶并烘干，然后在光刻胶表面压制凹槽并进行刻蚀处理，压制完后对基板再烘干，烘干后通过曝光方式使光刻胶进行交联，形成上窄下宽且上表面粗糙的像素界定层。所述的印刷AM-QDLED器件的制备方法，其中，所述步骤B具体包括步骤：在阳极层上以旋涂工艺涂覆光刻胶并烘干，然后通过曝光方式使光刻胶进行交联，随后对交联后的光刻胶进行模压并刻蚀处理，形成上窄下宽且上表面粗糙的像素界定层。所述的印刷AM-QDLED器件的制备方法，其中，所述步骤B具体包括步骤：在阳极层上以旋涂工艺第一次涂覆光刻胶并烘干，待该层光刻胶烘干并定型后进行第二次涂覆光刻胶，随后再进行烘干和定型，待两层光刻胶定型后以图案化掩膜板对位进行曝光，形成上窄下宽且上表面粗糙的像素界定层。所述的印刷AM-QDLED器件的制备方法，其中，所述步骤C中，所述量子点发光层的量子点的溶剂为墨水，所述墨水由两种不同沸点和不同表面张力的溶剂组成。所述的印刷AM-QDLED器件的制备方法，其中，所述步骤D之后还包括步骤：E、沉积阴极层后沉积水氧阻隔层和保护层，最后再贴覆除湿剂封装，最终完成印刷AM-QDLED器件的制备。一种印刷AM-QDLED器件，其中，采用如上任一所述的印刷AM-QDLED器件的制备方法制备而成。有益效果：本专利技术通过在像素界定层的上部制作一粗糙层，使粗糙层与墨水之间形成Wenzel效应，放大墨水初期与像素界定层表面之间的接触角，在不增加外材料和工艺难度的前提下保证了像素界定层上表面对墨水有较高的疏液性。附图说明图1为本专利技术一种印刷AM-QDLED器件的制备方法较佳实施例的流程图。图2为本专利技术纳米压印槽形貌的示意图。图3为本专利技术先压印后曝光制作粗糙层的工艺流程图。图4为本专利技术先曝光后压印制作粗糙层的工艺流程图。图5为本专利技术两次涂覆制作粗糙层的工艺流程图。图6为本专利技术墨水印刷后初期时墨水分布与溶质颗粒流向的示意图。图7为本专利技术墨水印刷后逐步干燥，墨水和Bank间逐渐浸润性逐步提高时溶质颗粒流向的示意图。图8为本专利技术墨水印刷后期时墨水分布与QD流向的示意图。图9为本专利技术量子点发光层干燥完毕后器件形貌的结构示意图。图10为本专利技术的封装印刷AM-QDLED器件的结构示意图。具体实施方式本专利技术提供一种印刷AM-QDLED器件及其制备方法，为使本专利技术的目的、技术方案及效果更加清楚、明确，以下对本专利技术进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本专利技术，并不用于限定本专利技术。请参阅图1，图1为本专利技术一种印刷AM-QDLED器件的制备方法较佳实施例的流程图，如图所示，其包括步骤：S100、在基板上沉积TFT驱动阵列，然后在TFT驱动阵列上沉积阳极层；S200、在阳极层上涂覆光刻胶，并采用曝光的方法将光刻胶制作成梯形结构的像素界定层，然后在梯形像素界定层的上部制作一粗糙层；S300、在像素界定层的沟槽内依次制作电子注入层、电子传输层和量子点发光层；S400、在量子点发光层上依次制作空穴传输层、空穴注入层和阴极层，得到AM-QDLED器件。本专利技术在不改变Bank材料体系的前提下在Bank材料表面上增加粗糙度，形成一层粗糙层。由于表面粗糙度的增加，根据Wenzel效应则基板与墨水之间浸润能力效果也被放大，使对基板略疏液的墨水变为超疏液状态，保证了墨水在印刷时仅能在Bank沟道内部沉积。由于光刻胶材料体系不变，该粗糙层在制作过程中不会形成层与层之间的分离，同时其制作方法简单易行，可大幅度降低制作难度和制作成本。所述步骤S100中，所述基板包括刚性基板和柔性基板。所述刚性基板可选硅片、金属、玻璃或不锈钢等刚性基板。所述柔性基板可选聚酰亚胺（PI）、聚对苯二甲酸乙二醇酯（PET）或聚萘二甲酸乙二醇酯（PEN）等柔性基板。当所述基板选用柔性基板时，所述柔性基板需在刚性基板上预先贴附或成膜。优选地，本专利技术所述基板选用玻璃基板。所述步骤S100具体包括步骤：对基板进行洁净处理，接着在基板上沉积TFT驱动阵列并进行退火处理，然后在TFT驱动阵列上沉积阳极层并进行刻蚀形成阳极图案。例如，当所述基板选用玻璃基板时，预先对玻璃基板以电子级的清洗工艺进行洁本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种印刷AM‑QDLED器件的制备方法，其特征在于，包括步骤：A、在基板上沉积TFT驱动阵列，然后在TFT驱动阵列上沉积阳极层；B、在阳极层上涂覆光刻胶，并采用曝光的方法将光刻胶制作成梯形结构的像素界定层，然后在梯形结构的像素界定层的上部制作一粗糙层；C、在像素界定层的沟槽内依次制作电子注入层、电子传输层和量子点发光层；D、在量子点发光层上依次制作空穴传输层、空穴注入层和阴极层，得到印刷AM‑QDLED器件。

【技术特征摘要】
1.一种印刷AM-QDLED器件的制备方法，其特征在于，包括步骤：
A、在基板上沉积TFT驱动阵列，然后在TFT驱动阵列上沉积阳极层；
B、在阳极层上涂覆光刻胶，并采用曝光的方法将光刻胶制作成梯形结构的像素界定层，然后在梯形结构的像素界定层的上部制作一粗糙层；
C、在像素界定层的沟槽内依次制作电子注入层、电子传输层和量子点发光层；
D、在量子点发光层上依次制作空穴传输层、空穴注入层和阴极层，得到印刷AM-QDLED器件。
2.根据权利要求1所述的印刷AM-QDLED器件的制备方法，其特征在于，所述步骤A中，所述基板为刚性基板或柔性基板。
3.根据权利要求1所述的印刷AM-QDLED器件的制备方法，其特征在于，所述步骤A具体包括步骤：对基板进行洁净处理，接着在基板上沉积TFT驱动阵列并进行退火处理，然后在TFT驱动阵列上沉积阳极层并进行刻蚀形成阳极图案。
4.根据权利要求1所述的印刷AM-QDLED器件的制备方法，其特征在于，所述步骤B中，所述光刻胶的材料包含树脂、感光剂、溶剂和添加剂。
5.根据权利要求1所述的印刷AM-QDLED器件的制备方法，其特征在于，所述步骤B具体包括步骤：在阳极层上以旋涂工艺涂覆光刻胶并烘干，然后在光刻胶表面压制凹槽并进行刻蚀处理，压制完后对基板再烘干，烘干后通过曝...

【专利技术属性】
技术研发人员：李耘，
申请(专利权)人：TCL集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44