一种阻容降压式欠压脱扣保护电路制造技术

本实用新型专利技术涉及一种阻容降压式欠压脱扣保护电路，用以对交流电源进行欠压保护，该保护电路包括阻容降压模块、全波整流模块、半波整流模块、电压检测驱动模块和脱扣电路模块，所述的交流电源、阻容降压模块、全波整流模块和脱扣电路模块依次连接，所述的交流电源、半波整流模块、电压检测驱动模块和脱扣电路模块依次连接。与现有技术相比，本实用新型专利技术具有简单、可靠、安全、低成本等优点。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种欠压保护电路，尤其是涉及一种阻容降压式欠压脱扣保护电路。
技术介绍
现有欠压保护电路很多，而目前很多欠压脱扣保护电路结构复杂，元器件成本太高。如图2所示，中国专利201020588404.4公开了一种欠压保护电路，该设计采用控制电路通断的控制芯片U2，当电源电压正常时，U2正常工作，电路有输出，后续设备可以正常运转，当电源欠压时，U2停止工作，此时没有输出，负载端的设备就停止工作。此电路虽然实现了功能，但采用的控制芯片价格较高，电压检测电路相对复杂，使用元器件比较多，电路的整体成本比较高。
技术实现思路
本技术的目的就是为了克服上述现有技术存在的缺陷而提供一种简单、可靠、安全、低成本的阻容降压式欠压脱扣保护电路。本技术的目的可以通过以下技术方案来实现：一种阻容降压式欠压脱扣保护电路，用以对交流电源进行欠压保护，该保护电路包括阻容降压模块、全波整流模块、半波整流模块、电压检测驱动模块和脱扣电路模块，所述的交流电源、阻容降压模块、全波整流模块和脱扣电路模块依次连接，所述的交流电源、半波整流模块、电压检测驱动模块和脱扣电路模块依次连接。所述的阻容降压模块包括第一电容、第一电阻和第七电阻，所述的第一电阻和第七电阻串联后再与第一电容并联，所述的第一电容的设置在交流电源的第一进线端与全波整流模块之间。所述的全波整流模块为一由第一二极管、第二二极管、第三二极管和第四二极管构成的整流桥。所述的半波整流模块包括第五二极管，所述的第五二极管正极与交流电源的第一进线端连接，负极与电压检测驱动模块连接。所述的电压检测驱动模块包括第一分压支路、第二分压支路和电压检测芯片，所述的第一分压支路包括第三电阻、第四电阻和第六电阻，所述的第五二极管的负极、第三电阻、第四电阻和地依次连接，所述的第三电阻通过第六电阻与电压检测芯片的输出端连接，所述的第二分压支路包括第二电阻和第五电阻，所述的第五二极管的负极、第二电阻、第五电阻和地依次连接，所述的电压检测芯片的输入端连接到第二电阻与第五电阻之间，所述的电压检测芯片的输出端与脱扣电路模块连接。所述的脱扣电路模块包括脱扣线圈、MOSFET管和第六二极管，所述的第六二极管的负极与全波整流模块连接，正极与MOSFET管的漏极连接，所述的MOSFET管的栅极与电压检测芯片的输出端连接，源极接地，所述的脱扣线圈并联在第六二极管两端。所述的保护电路还包括第一压敏电阻，所述的第一压敏电阻设置在交流电源的第一进线端和第二进线端之间，用以防止交流电源电压过大，保护电路。所述的电压检测驱动模块还包括稳压二极管，所述的稳压二极管负极与电压检测芯片的输出端连接，正极接地。所述的脱扣电路模块还包括第二压敏电阻，所述的第二压敏电阻一端与MOSFET管的漏极连接，另一端接地，用以防止MOSFET管漏极和源极两端电压过大。所述的电压检测芯片的型号为HT7050。与现有技术相比，本技术具有以下优点：本技术电路采用阻容降压的方式，使加到脱扣线圈L3上的电压降低，避免流过线圈的电流过大引起线圈发热，同时保护MOSFET管，让其免受过压引起的损坏，另外，本技术电路采用电压检测芯片检测输入的电压信号，相比于控制芯片成本低，可靠性和稳定性更好，保证了脱扣线圈动作的一致性，是一种简单可靠的欠压保护电路。附图说明图1为本技术的电路原理图。图2为现有欠压保护电路的电路原理图。具体实施方式下面结合附图和具体实施例对本技术进行详细说明。实施例：如图1所示，本技术电路是一种阻容降压式欠压脱扣保护电路，电路包括：阻容降压模块、全波整流模块、半波整流模块、电压检测驱动模块和脱扣电路模块，阻容降压模块由第一电阻R1、第七电阻R7和第一电容C1组成，其中第一电阻R1和第七电阻R7串联，第一电阻R1的一端连接到第一电容C1的一端，第七电阻R7一端连接到第一电容C1另一端，全波整流电路模块由二极管D1、D2、D3和D4组成，半波整流电路包括第五二极管D5，其中第五二极管D5的阳极连接到电源一端，阴极连接到第二电阻R2和第三电阻R3的公共端；电压检测驱动模块包括分压电阻第二电阻R2、第三电阻R3、第四电阻R4、第五电阻R5和第六电阻R6，滤波电容C2和C3，电压检测芯片U1，稳压二极管Z2，其中第二电阻R2、第五电阻R5和第二电容C2的公共端连接到电压检测芯片U1的2号引脚，R6和Z2的公共端连接到电压检测芯片U1的1号引脚，电压检测芯片U1的3号引脚接地；脱扣电路模块包括第六二极管D6，脱扣线圈L3，MOSFET管Q1，第二压敏电阻TV2，其中第六二极管D6阳极连接MOSFET管Q1的漏极，接MOSFET管Q1的电压检测芯片U1的1号引脚，接MOSFET管Q1的源极接地。本技术电路的原理为：380V交流电经过第一电阻R1、第七电阻R7和第一电容C1阻容降压后，再通过整流桥D1，D2，D3，D4整流，连接到MOSFET管Q1上。同时，380V交流电经过第五二极管D5进行半波整流后，一路通过电阻第二电阻R2和第五电阻R5进行分压，连接到电压检测芯片U1的输入端2脚，另一路电压信号通过第三电阻R3、第四电阻R4和第六电阻R6分压后，连接到电压检测芯片U1的输出端1脚，电压检测芯片U1的1脚连接到MOSFET管Q1的栅极，稳压二极管Z2阴极连接到MOSFET管Q1的栅极，防止MOSFET管Q1栅极电压过高。当电源电压正常时，电压检测芯片U1的输入端电压大于等于电压检测芯片U1的检测电压，电压检测芯片U1输出高电平，MOSFET管Q1导通，脱扣线圈L3吸合，断路器正常供电；当交流电源的输入端的输入电压低于欠压保护电路的欠压保护设定值时，电压检测芯片U1的2脚电压值没有达到电压检测芯片U1检测值，电压检测芯片U1输出低电平，MOSFET管Q1截止，脱扣线圈L3释放，断路器就会脱扣，保护设备免受欠压带来的损害。本技术电路成本低，采用普通的电压检测芯片就可以实现，且本技术电路采用阻容降压方式，对负载和电子元器件都有保护作用，延长了产品的使用寿命。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种阻容降压式欠压脱扣保护电路，用以对交流电源进行欠压保护，其特征在于，该保护电路包括阻容降压模块、全波整流模块、半波整流模块、电压检测驱动模块和脱扣电路模块，所述的交流电源、阻容降压模块、全波整流模块和脱扣电路模块依次连接，所述的交流电源、半波整流模块、电压检测驱动模块和脱扣电路模块依次连接。

【技术特征摘要】
1.一种阻容降压式欠压脱扣保护电路，用以对交流电源进行欠压保护，其特征在于，该保护电路包括阻容降压模块、全波整流模块、半波整流模块、电压检测驱动模块和脱扣电路模块，所述的交流电源、阻容降压模块、全波整流模块和脱扣电路模块依次连接，所述的交流电源、半波整流模块、电压检测驱动模块和脱扣电路模块依次连接。2.根据权利要求1所述的一种阻容降压式欠压脱扣保护电路，其特征在于，所述的阻容降压模块包括第一电容(C1)、第一电阻(R1)和第七电阻(R7)，所述的第一电阻(R1)和第七电阻(R7)串联后再与第一电容(C1)并联，所述的第一电容(C1)的设置在交流电源的第一进线端(L1)与全波整流模块之间。3.根据权利要求1所述的一种阻容降压式欠压脱扣保护电路，其特征在于，所述的全波整流模块为一由第一二极管(D1)、第二二极管(D2)、第三二极管(D3)和第四二极管(D4)构成的整流桥。4.根据权利要求1所述的一种阻容降压式欠压脱扣保护电路，其特征在于，所述的半波整流模块包括第五二极管(D5)，所述的第五二极管(D5)正极与交流电源的第一进线端(L1)连接，负极与电压检测驱动模块连接。5.根据权利要求4所述的一种阻容降压式欠压脱扣保护电路，其特征在于，所述的电压检测驱动模块包括第一分压支路、第二分压支路和电压检测芯片(U1)，所述的第一分压支路包括第三电阻(R3)、第四电阻(R4)和第六电阻(R6)，所述的第五二极管(D5)的负极、第三电阻(R3)、第四电阻(R4)和地依次连接，所述的第三电阻(R3)通过第六电阻(R6)与电压检测芯片(U1)的输出端连...

【专利技术属性】
技术研发人员：潘秀菊，李建模，丁小伟，
申请(专利权)人：德力西电气有限公司，
类型：新型
国别省市：浙江;33